专利名称：节能型多晶硅还原炉的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多晶硅还原炉，主要是用三氯氢硅和氢气在加热的硅芯上 进行化学气相沉积生产多晶硅的还原炉。
背景技术：
目前，国内外生产多晶硅的主要工艺技术是"改良西门子法"用氯气和氢 气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进 行分离精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后，在一定的温度 和压力下通入多晶硅还原炉内，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅， 反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成棒状多晶硅产品，同时生成四氯化 硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。
多晶硅还原炉是"改良西门子法"生产多晶硅的主要设备，由底盘、含夹 套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气 管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水 出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产 品的污染。
发明内容
本发明是一种节能型多晶硅还原炉，主要通过在还原炉底盘上设置十三对 电极来降低能量消耗，提高单台还原炉产品产量。
节能型多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、 视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水 出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀 的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口设置在底盘上，其特征是在还原
炉底盘上分两个圆周均匀布置13对电极，外周布置8对电极，内周布置5对电 极。
该种设计使还原炉内部结构紧凑合理，内外圈耗电功率接近，相比现有的 十二对电极的还原炉，生产多晶硅时在耗电相当的情况下，每炉每次产量提高 约10%左右。
图1为该节能型多晶硅还原炉主视图 图2为该节能型多晶硅还原炉底盘俯视图具体实施方式
本发明涉及的节能型多晶硅还原炉主视图如图1所示，1为含夹套冷却水 的钟罩式双层炉体，2为视镜孔，3为底盘，4为底盘冷却水进水管，5为底盘 冷却水出水管，6为混和气进气管，7为进气管喷口， 8为混和气尾气出气管，9 为炉体冷却水进水管，IO为炉体冷却水出水管，ll为连接硅芯与电极的石墨夹 头，12为电极，13为硅芯，14为夹套冷却水导流板，进气管喷口7喷出的三氯 氢硅和氢气的混合气在高温通电硅芯13上进行化学气相沉积反应，生成棒状多 晶硅产品。
本发明涉及的节能型多晶硅还原炉底盘俯视图如图2所示，7为进气管喷 口， 8为混和气尾气出气管，12为电极，在还原炉底盘上分两个圆周均匀布置 13对电极，外周布置8对电极，内周布置5对电极。
权利要求1、节能型多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上分两个圆周均匀布置13对电极，外周布置8对电极，内周布置5对电极。
专利摘要节能型多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口均匀设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上分两个圆周均匀布置13对电极，外周布置8对电极，内周布置5对电极，该种设计使还原炉内部结构紧凑合理，内外圈耗电功率接近，相比现有的十二对电极的还原炉，生产多晶硅时在耗电相当的情况下，每炉每次产量提高约10％左右。
文档编号C01B33/00GK201162066SQ20082000691
公开日2008年12月10日 申请日期2008年2月2日 优先权日2008年2月2日
发明者钧 严, 朱青松, 王存惠 申请人:江苏中能硅业科技发展有限公司