专利名称：一种耐高温碳化硅的制备方法
技术领域：
本发明涉及陶瓷材料领域，具体涉及一种耐高温碳化硅的制备方法。
背景技术：
碳化硅(SiC)陶瓷具有热膨胀系数小、分解温度高、密度低、高温强度高、耐腐蚀、 耐磨损、耐烧蚀等优异性能，是在1300°C以上使用的最有前途的高温结构材料之一，广泛用于耐热、耐磨和使用环境苛刻的场合。SiC陶瓷高温使用时存在氧化现象，其氧化机制分为主动氧化和被动氧化。高温低氧分压时发生主动氧化，SiC材料氧化生成挥发的SiO，导致材料质量减少，继而材料失效。 中温高氧分压时发生被动氧化，SiC材料氧化形成SiO2薄膜保护层，阻止氧向内部扩散，材料质量增加。SiC材料在被动氧化机制下表面形成的SW2薄膜阻氧性能好，氧扩散率远远低于其他高温氧化物，从而有效保护SiC在高温下的使用。在一定的氧分压环境下，两种氧化机制存在温度转换点，材料表面温度高于转换温度时氧化机制由被动氧化变为主动氧化，主被动氧化的转换温度控制碳化硅的使用温度。SiC材料作为结构部件，例如航天用飞行器，其工作环境为高温低氧分压，易发生主动氧化，材料失效，因此需要碳化硅材料具有更高的使用温度。由于SiA在高温低氧分压时主动挥发，所以，目前多数碳化硅的使用温度约为1700°c，限制了其使用范围，有必要开发新方法来制备碳化硅，提高其主被动氧化的转换温度，从而提高碳化硅使用温度，得到耐高温的碳化硅。
发明内容
要解决的技术问题为了避免现有技术的不足之处，本发明提出一种耐高温碳化硅的制备方法，本方法能将SiC的使用温度提高到1800°C -1850°C，且耗能少，设备简单，工艺简单，所制成的碳化硅高温抗氧化性能好。本发明的基本思想是通过先驱体聚碳硅烷中引入微量铝，锆，钇，钛金属元素，高温热处理产生含微量金属元素的碳化硅，在高温氧化时，生成含微量金属元素的S^2固熔体。引入的金属元素降低了 S^2的活度，减少了 S^2的挥发，提高了主被动氧化的转换温度，从而提高了碳化硅使用温度。技术方案一种耐高温碳化硅的制备方法，其特征在于所用原料的质量百分比为液态聚碳硅烷80 95%，有机金属盐中的一种或几种5 20%，制备步骤如下步骤1 将有机金属盐中的一种或几种加入液态聚碳硅烷中，置于磁力搅拌器上进行搅拌，时间为3 5小时，温度为60 90°C ；步骤2 将混合均勻的原料放入交联裂解炉中，先抽真空到-0. 09MPa，再充氩气到 OMPa，并保持氩气流通，流速为50 80ml/min，以0. 5 1. 5°C /min的升温速率依次升至200°C，400°C和900-1100°C，分别保温4小时，交联裂解结束；步骤3 将交联裂解得到的固体物进行球磨，时间为2 4小时，转速为1200周/ 分；步骤4:将上述球磨得到的陶瓷粉体放入高温热处理炉中进行热处理，先抽真空到-0. 09MPa,再充氩气到OMPa，并保持氩气流通，流速为30 60ml/min，以20°C /min的升温速度均勻升温，升至1400°C时，以5°C /min的升温速度均勻升温，在1600_1850°C保温热处理1 2小时，得到改性的SiC粉体。所述有机金属盐为乙酰丙酮铝、乙酰丙酮锆、乙酰丙酮钇、乙酰丙酮钛、异丙醇铝或异丙醇锆。所述高纯氩气的纯度为99. 9999%。所述真空压力为相对压力。有益效果本发明提出的一种耐高温碳化硅的制备方法，与现有技术相比具有如下显著优占.
^ \\\ ·1、该陶瓷的制备是通过液态聚碳硅烷裂解转化为陶瓷，因而碳化硅陶瓷的结构具有可设计性，可以精确控制碳硅比，且微量掺杂，不改变SiC的宏观结构，对SiC的物理性能无明显影响。2、通过在液态聚碳硅烷中引入微量金属元素，反应与固化同时进行，实现了金属元素与液态聚碳硅烷的充分混合和完全反应。固化反应结束后，能够形成牢固的化学键，在被动氧化过程中，形成金属S^2固熔体，降低SiA的活度，明显提高了主被动氧化的转换温度，从而得到耐高温的SiC材料。3、在1750_1850°C的真空条件下，含微量金属元素的SiC，其粘度比不含金属元素的碳化硅大，且表面光滑，能够阻止S^2的挥发，保护碳化硅材料。4、该方法制备的耐高温碳化硅，不用在材料表面制备涂层，仅仅是在材料中引入微量的金属元素，就能起到很好的作用，同时该材料具有均一性，以及制备工艺所使用的设备简单，安全可靠，易于控制，便于大规模生产。
图1是1850°C，氩气保护1小时条件下，液态聚碳硅烷与乙酰丙酮铝的质量分数比为9 1的碳化硅X射线衍射(XRD)图谱；图2是在1250°C氧化，1800°C真空处理条件下，不含金属元素的碳化硅表面形貌示意图；图3是在1250°C氧化，1800°C真空处理条件下，液态聚碳硅烷与乙酰丙酮铝的质量分数比为91的碳化硅表面形貌示意图。
具体实施例方式现结合实施例、附图对本发明作进一步描述实施例1、一种耐高温碳化硅的制备方法，依次进行下列步骤1)液态聚碳硅烷中加入乙酰丙酮铝，置于磁力搅拌器上进行搅拌，搅拌时间为4小时，温度为80°C，其中液态聚碳硅烷与乙酰丙酮铝的质量分数比为9 1 ；2)将混合均勻的原料放入交联裂解炉中，先抽真空到_0.09MPa，再充氩气到 OMPa,并保持氩气流通，流速为50 80ml/min，以0. 5 1. 5°C /min的升温速率依次升至 2000C，4000C，分别保温4小时，交联固化结束；3)将上述得到的固体物球磨，时间为4小时，转速为1200周/分；4)将球磨得到的粉体，通过冷等静压成型，得到圆片型坯体，压力为200MPa ；5)将坯体放入交联裂解炉中，先抽真空到-0. 09MPa,再充氩气到OMPa，并保持氩气流通，流速为50 80ml/min，以1 1. 5°C /min的升温速率升温到900-1100°C，保温4 小时，结束裂解；6)将上述裂解得到的陶瓷圆片装入高温热处理炉中进行热处理，先抽真空到-0. 09MPa,再充氩气到OMPa，并保持氩气流通，流速为30 60ml/min，以20°C /min的升温速度均勻升温，升至1400°C时，再以5°C /min的升温速度均勻升温，在1600_1850°C保温热处理1 2小时，得到改性的SiC圆片。实施例1的碳化硅陶瓷在1850°C高温热处理的X射线衍射(XRD)图谱如图1所示，在1250°C氧化40小时，1800°C真空处理1小时的表面形貌如图3所示。实施例2、一种耐高温碳化硅的制备方法，依次进行下列步骤1)液态聚碳硅烷中加入乙酰丙酮铝，置于磁力搅拌器上进行搅拌，搅拌时间为4 小时，温度为80°C，其中液态聚碳硅烷与乙酰丙酮铝的质量分数比为9 1 ；2)将混合均勻的原料放入交联裂解炉中，先抽真空到_0.09MPa，再充氩气到 OMPa,并保持氩气流通，流速为50 80ml/min，以0. 5 1. 5°C /min的升温速率依次升至 200°C，400°C和900-1100°C，分别保温4小时，交联裂解结束；3)将交联裂解得到的固体物进行球磨，球磨时间为2 4小时，转速为1200周/ 分；4)将上述碳化硅粉体与粉体按照质量分数比为2 7的比例混合均勻，置于真空热压烧结炉中，升温至1750°C，加压20KN，保压1小时，得到成型的SiCIi^2陶瓷体；5)将上述热压烧结得到的陶瓷体置于氧化铝管式炉中，分别在1200°C，130(TC， 1500°C氧化15小时。结果表明，掺杂金属元素的陶瓷氧化增重明显低于不掺杂金属元素的 SiC-ZrB2陶瓷，这说明添加微量的金属元素，在1200-1500°C温度范围内能够抑制SiCIi^2 陶瓷的氧化。
权利要求
1.一种耐高温碳化硅的制备方法，其特征在于所用原料的质量百分比为液态聚碳硅烷80 95%，有机金属盐中的一种或几种5 20%，制备步骤如下步骤1 将有机金属盐中的一种或几种加入液态聚碳硅烷中，置于磁力搅拌器上进行搅拌，时间为3 5小时，温度为60 90°C ；步骤2 将混合均勻的原料放入交联裂解炉中，先抽真空到-0. 09MPa,再充氩气到 OMPa,并保持氩气流通，流速为50 80ml/min，以0. 5 1. 5°C /min的升温速率依次升至 200°C，400°C和900-1100°C，分别保温4小时，交联裂解结束；步骤3 将交联裂解得到的固体物进行球磨，时间为2 4小时，转速为1200周/分；步骤4:将上述球磨得到的陶瓷粉体放入高温热处理炉中进行热处理，先抽真空到-0. 09MPa,再充氩气到OMPa，并保持氩气流通，流速为30 60ml/min，以20°C /min的升温速度均勻升温，升至1400°C时，以5°C /min的升温速度均勻升温，在1600_1850°C保温热处理1 2小时，得到改性的SiC粉体。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温碳化硅的制备方法，其特征在于所述有机金属盐为乙酰丙酮铝、乙酰丙酮锆、乙酰丙酮钇、乙酰丙酮钛、异丙醇铝或异丙醇锆。
3.根据权利要求1所述的一种耐高温碳化硅的制备方法，其特征在于所述高纯氩气的纯度为99. 9999% ο
4.根据权利要求1所述的一种耐高温碳化硅的制备方法，其特征在于所述真空压力为相对压力。
全文摘要
本发明涉及一种耐高温碳化硅的制备方法，技术特征在于步骤为将液态聚碳硅烷和有机金属盐混合均匀，交联固化，球磨，经900-1100℃裂解，1600-1850℃高温热处理，得到含微量金属元素的结晶态碳化硅。本发明合成的碳化硅高温氧化得到的SiO2保护膜为含微量金属元素的SiO2固熔体。微量的金属元素降低了SiO2的活度，提高了碳化硅主被动氧化的转换温度，从而提高了碳化硅的使用温度。与现有技术相比，本发明通过碳化硅中引入微量的金属元素，将碳化硅的使用温度从1700℃提高到1800-1850℃，而且制备工艺所使用的设备简单，安全可靠，易于控制，便于大规模生产。
文档编号C01B31/36GK102249235SQ20111010028
公开日2011年11月23日 申请日期2011年4月21日 优先权日2011年4月21日
发明者孙静, 张立同, 成来飞, 王一光 申请人:西北工业大学