四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构的制作方法
【专利摘要】本发明提供了四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构，包括：第一石墨块及与第一石墨块相邻的第二石墨块，第一石墨块及第二石墨块的连接面处分别设有相互配合的N（N≥1）级台阶面，第一石墨块及第二石墨块通过台阶面相互扣合。本发明的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构，其结构简单，密封效果好，有效防止液体，乃至气体渗漏。
【专利说明】四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及石墨合成炉密封【技术领域】，尤其涉及一种四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构。
【背景技术】[0002]工业盐酸的生产主要采用氯气与氢气在合成炉内燃烧合成氯化氢气体，合成温度
>1500°C，因此需要进行降温，降温后的氯化氢气体再用稀盐酸或水吸收生成合成盐酸，即包括三道工序:合成一冷却一吸收。
[0003]常规的生产采用三台设备分别完成上述三道工序，其生产成本较高，生产效率低，原料浪费较严重。
[0004]较为先进的流程为:将上述合成——冷却——吸收三道工序合成到一台设备内完成，即采用三合一盐酸合成炉。
[0005]三合一盐酸合成炉仅仅对合成气体进行一次吸收，其盐酸生成率较低，造成能源浪费。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种结构简单，密封效果佳的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构。
[0007]为了实现上述目的，本发明提供的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构，为石墨合成炉中相邻两石墨块间的密封防漏结构，包括第一石墨块及与第一石墨块相邻的第二石墨块，第一石墨块及第二石墨块的连接面处分别设有相互配合的N (NS I)级台阶面，第一石墨块及第二石墨块通过台阶面相互扣合。
[0008]在一些实施方式中，每级台阶面均垫设有密封圈。
[0009]在一些实施方式中，密封圈包覆每级台阶面的直角面。
[0010]本发明的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构，其结构简单，密封效果好，有效防止液体，乃至气体渗漏。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本发明一种实施方式的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图及具体实施例来对本发明作进一步的详细描述说明。
[0013]图1示意性地显示了根据本发明一种实施方式的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构。
[0014]如图1所示，本发明的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构为石墨合成炉中相邻两石墨块间的密封防漏结构。
[0015]在本发明的此实施方式中，将相邻两石墨块定义为第一石墨块11及第二石墨块
12。如图所示，第一石墨块11及第二石墨块12的连接面处分别设置成相互配合的N(N ^ I)级台阶面13，在本发明的此实施方式中，设置为2级台阶面，第一石墨块11及第二石墨块
12通过台阶面13相互扣合；每级台阶面13均垫设有密封圈14，密封圈14设有折边141，使密封圈14包覆每级台阶面13的直角面。 [0016]综上所述，本发明的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构，其结构简单，密封效果好，有效防止液体，乃至气体渗漏。
【权利要求】
1.四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构，为石墨合成炉中相邻两石墨块间的密封防漏结构，包括第一石墨块(11)及与所述第一石墨块(11)相邻的第二石墨块(12)，所述第一石墨块(11)及第二石墨块(12)的连接面处分别设有相互配合的N (NS I)级台阶面(13)，所述第一石墨块(11)及第二石墨块(12)通过所述台阶面(13)相互扣合。
2.根据权利要求1所述的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构，其特征在于，每级所述台阶面(13)均垫设有密封圈(14)。
3.根据权利要求2所述的四合一石墨合成炉石墨块间台阶密封结构，其特征在于，所述密封圈(14)包覆每级所述台阶面(1`3)的直角面。
【文档编号】C01B7/01GK103663373SQ201310588109
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年11月21日 优先权日:2013年11月21日
【发明者】冯亮, 朱小峰, 陆俊 申请人:南通星球石墨设备有限公司