一种高致密性纳米陶瓷的制备方法与流程

文档序号:12834750阅读:229来源:国知局

本发明涉及纳米陶瓷材料的制备技术领域。



背景技术:

随着工业的发展,陶瓷材料的应用领域越来越广。但现有陶瓷材料由于孔隙多、致密性差存在很多缺陷。如现有的纺纱陶瓷如75瓷或95瓷或99瓷,由于孔隙多,抗潮性能差,耐磨性差,光洁度不高,造成纺纱断线率高。高压输电线的陶瓷瓶由于孔隙率大导致易被击穿。而半导体元器件封装用陶瓷瓶由于孔隙率大,抗潮性能差,影响半导体材料的使用寿命。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种高致密性的纳米陶瓷制备方法,采用的技术方案是:

(1)将待处理的陶瓷件如75瓷或95瓷或99瓷的纺织陶瓷、未施釉的高压输电瓷瓶、半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷、阀门或水龙头开关用陶瓷等清洗烘干后,置入真空容器,同时将纳米材料置于真空容器中的加热源上,抽真空至真空度为133.3×10-3~133.3×10-7pa,将纳米材料加热至1100-1200℃,保持1-4小时,解除真空,降至室温。所述的纳米陶瓷材料的组分及各组分质量分如下:纳米碳化硅30-40份、纳米氮化硅20-30份、纳米氧化锆30-40份。

(2)将步骤(1)真空处理后的陶瓷进行无压烧结,以为100-200k/min的速度升温至600-800℃,保持4-6小时后冷却降至室温。

本发明的有益效果是:本发明提供的纳米陶瓷制备方法工艺条件简单,成本低,适用于大规模工业生产。通过本发明的工艺方法处理后的陶瓷,将陶瓷的多孔性改变成致密性,增加陶瓷的润滑性和憎水性。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明,以下结合较佳实施例,对本发明做进一步详细说明。

实施例1

a.将待处理的陶瓷件如75瓷或95瓷或99瓷的纺织陶瓷、未施釉的高压输电瓷 瓶、半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷、阀门或水龙头开关用陶瓷等用酒精进行清洗,去除表面及孔内的污物、油渍,清洗后烘干,去除表面及孔内的物理水。

b.将待处理的陶瓷件如75瓷或95瓷或99瓷的纺织陶瓷、未施釉的高压输电瓷瓶、半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷、阀门或水龙头开关用陶瓷等置入真空容器,同时将纳米材料置于真空容器中的加热源上。所述的纳米陶瓷材料的组分及各组分质量分如下:纳米碳化硅30-40份、纳米氮化硅20-30份、纳米氧化锆30-40份。

c.抽真空至真空度为133.3×10-3~133.3×10-7pa,将纳米材料加热至1100-1200℃,保持1-4小时,解除真空,降至室温。

d.将上一步真空处理后的陶瓷进行无压烧结,以为100-200k/min的速度升温至600-800℃,保持4-6小时后冷却降至室温。



技术特征:

技术总结
本发明涉及纳米陶瓷材料的制备技术领域。提供一种高致密性的纳米陶瓷制备方法,具体为,将待处理的陶瓷件清洗烘干后,置入真空容器,同时将纳米材料置于真空容器中的加热源上,抽真空后在1100‑1200℃,保持1‑4小时进行真空处理;再将真空处理后的陶瓷进行无压烧结,以为100‑200K/min的速度升温至600‑800℃,保持4‑6小时后冷却降至室温。本发明提供的纳米陶瓷制备方法工艺条件简单,成本低,适用于大规模工业生产。通过本发明的工艺方法处理后的陶瓷,将陶瓷的多孔性改变成致密性,增加陶瓷的润滑性和憎水性。

技术研发人员:孟祥瑞
受保护的技术使用者:中科翔(天津)科技有限公司
技术研发日:2016.04.18
技术公布日:2017.10.31
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