技术总结
本发明公开了一种钼酸镧基厚膜材料及其制备方法，所述钼酸镧基厚膜材料的制备方法为按照La2Mo2‑xNbxO9‑δ(0≤x≤0.04)进行配比，通过中温固相烧结制备出预烧粉体，然后加入一定量的粘结剂、增塑剂和均化剂，采用流延工艺制备出具有一定尺寸和均匀颗粒分布的钼酸镧基厚膜材料。所得材料具有低的烧结温度和较高的致密度，在相变温度以上即603℃氧离子电导率比纯的钼酸镧材料高出39％，达到0.0139S cm‑1，并且可以大批量制备。可广泛地用于中温燃料电池、氧传感器和氧渗透膜中。
技术研发人员：刘霄;杜慧玲
受保护的技术使用者：西安科技大学
文档号码：201610550890
技术研发日：2016.07.13
技术公布日：2016.12.21