本发明涉及农业栽培技术领域，具体涉及一种硒砂瓜栽培基质及其制备方法。
背景技术：
中卫香山西瓜不使用任何化肥和农药，经国家绿色食品发展中心审查监测，产品质量完全符合绿色有机食品要求，被认证为A级绿色有机食品。但随着硒砂瓜种植年限延长，各种病虫害以及土壤盐渍化严重影响了硒砂瓜成活率和硒砂瓜品质，硒砂瓜栽培基质不但可以提高硒砂瓜的育苗栽培成活率，还能降低成本，提高产量，对硒砂瓜种植有一定意义。因此，如何制备出一种能够提高育苗栽培成活率、降低种植成本的硒砂瓜栽培基质成为急需解决的问题。
技术实现要素：
本发明使用的原材料为草炭、玉米皮、糠醛渣、珍珠岩、蛭石等原材料配制而成，首先将糠醛渣经过微生物好氧发酵后再经过化学方法提取制备成含生化腐植酸等活性物质的液体，即得到了含生化腐植酸上清液，作为栽培基质的一种成分与其他成分配制而成的硒砂瓜栽培基质，这种栽培基质由于富含生化腐植酸，它能够促进细胞分裂，调节生理代谢、增强植物光合作用，提高植株抗病、抗虫、抗旱、抗冻能力，提高硒砂瓜苗成活率，同时还可以改良土壤。糠醛渣属于工业废弃物，此栽培基质的制备，利用糠醛渣和糠醛渣提取的植物源腐植酸，不但减少了环境的污染，同时得到了能够为我区硒砂瓜种植解决了很多实际问题，对硒砂瓜产业有一定意义。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术解决方案是：
一种硒砂瓜的栽培基质，其特征在于，包括以下化学组分：草炭、玉米皮、糠醛渣、珍珠岩、蛭石、微量元素和含生化腐植酸上清液，各种化学组分按质量分数计为：草炭27.5-42.5%、玉米皮7-18%、糠醛渣17-32%、珍珠岩10-17%、蛭石12-16%、微量元素0.05-0. 15%和含生化腐植酸上清液0.2-0.4%。
同时，本发明提供了一种硒砂瓜栽培基质的制备方法，包括以下步骤：
Ⅰ.采取堆肥发酵：将工业分离出来的糠醛渣、玉米皮等原材料中按质量分数计分别加入2.5%尿素和0.01%HM菌剂混合均匀，将其含水量调至60%左右，堆积进行好氧发酵，温度达到60℃开始翻堆，隔一天翻一次，水分不够时需补充含水量至60%，待温度降低到30-40℃，经过35-40天，堆内有大量白色菌丝即发酵结束，产生腐植质，备用；
Ⅱ.将步骤Ⅰ发酵所得的腐植质经化学方法提取制备得到含生化腐植酸上清液作为制备所述基质的原料；然后，按质量分数计分别加入草炭27.5-42.5%、玉米皮7-18%、糠醛渣17-32%、珍珠岩10-17%、蛭石12-16%、微量元素0.05-0. 15%和所述含生化腐植酸上清液0.2-0.4%，均匀混合，在20℃干燥室放置5-8天，使其含水量小于15%，无异味；
Ⅲ.在基质堆上按照上下不同层次多点随机取样，多点等量混合即为一个样品，风干后过1mm筛网，检测样品各项技术指标满足：电导率1-2mS/cm、pH5.5-7.5、有机质>45%、含水量<20%、总养分>5%、容重0.2-0.6g/mL、总孔隙度>60%，即得到合格的硒砂瓜栽培基质。
本发明具有如下有益效果：
（1）本发明的硒砂瓜栽培基质能够减少病虫害和盐碱地对硒砂瓜的影响，增强硒砂瓜抗逆性，降低种植成本。
（2）本发明使用的原材料为草炭、玉米皮、糠醛渣、珍珠岩、蛭石等原材料配制而成，降低生产成本，糠醛渣属于工业废弃物，此栽培基质的制备，利用糠醛渣和糠醛渣提取的植物源腐植酸，不但减少了环境的污染，同时得到了能够为我区硒砂瓜种植解决了很多实际问题，对硒砂瓜产业有一定意义。通过充分利用工业废弃物玉米皮和糠醛渣，变废为宝，资源循环利用，减少了环境污染。
（3）本发明能够给种植多年的贫瘠土壤提供充足的养分供硒砂瓜生长、促进作物生长，减少死苗情况，安全可靠，省力省时。
（4）本发明将糠醛渣经过微生物好氧发酵，再经过化学方法提取制备成含生化腐植酸等活性物质的液体，即得到了含生化腐植酸上清液，作为栽培基质的一种成分与其他成分配制而成的硒砂瓜栽培基质，这种栽培基质由于富含生化腐植酸，它能够促进细胞分裂，调节生理代谢、增强植物光合作用，提高植株抗病、抗虫、抗旱、抗冻能力，提高硒砂瓜苗成活率，同时还可以改良土壤。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供了一种硒砂瓜的栽培基质，包括以下化学组分（按质量分数计）为：草炭27.5-42.5%、玉米皮7-18%、糠醛渣17-32%、珍珠岩10-17%、蛭石12-16%、微量元素0.05-0. 15%和含生化腐植酸上清液0.2-0.4%。同时，本发明提供了一种硒砂瓜的栽培基质的制备方法，包括以下步骤：Ⅰ.采取堆肥发酵：将工业分离出来的糠醛渣、玉米皮等原材料中按质量分数计分别加入2.5%尿素和0.01%HM菌剂混合均匀，将其含水量调至60%左右，堆积进行好氧发酵，温度达到60℃开始翻堆，隔一天翻一次，水分不够时需补充含水量至60%，待温度降低到30-40℃，经过35-40天，堆内有大量白色菌丝即发酵结束，产生腐植质，备用；Ⅱ.将步骤Ⅰ发酵所得的腐植质经化学方法提取制备得到含生化腐植酸上清液作为制备所述基质的原料；然后，按质量分数计分别加入草炭27.5-42.5%、玉米皮7-18%、糠醛渣17-32%、珍珠岩10-17%、蛭石12-16%、微量元素0.05-0. 15%和所述含生化腐植酸上清液0.2-0.4%，均匀混合，在20℃干燥室放置5-8天，使其含水量小于15%，无异味；Ⅲ.在基质堆上按照上下不同层次多点随机取样，多点等量混合即为一个样品，风干后过1mm筛网，检测样品各项技术指标满足：电导率1-2mS/cm、pH5.5-7.5、有机质>45%、含水量<20%、总养分>5%、容重0.2-0.6g/mL、总孔隙度>60%，即得到合格的硒砂瓜栽培基质。
本发明的硒砂瓜栽培基质能够减少病虫害和盐碱地对硒砂瓜的影响，增强硒砂瓜抗逆性，降低种植成本；通过充分利用工业废弃物玉米皮和糠醛渣，变废为宝，资源循环利用，减少了环境污染；能够给种植多年的贫瘠土壤提供充足的养分供硒砂瓜生长、促进作物生长，减少死苗情况，安全可靠，省力省时。
实施例一
一种硒砂瓜的栽培基质，采用如下制备方法得到：
Ⅰ.采取堆肥发酵：将工业分离出来的糠醛渣、玉米皮等原材料中按质量分数计分别加入2.5%尿素和0.01%HM菌剂混合均匀，将其含水量调至60%左右，堆积进行好氧发酵，温度达到60℃开始翻堆，隔一天翻一次，水分不够时需补充含水量至60%，待温度降低到30-40℃，经过35-40天，堆内有大量白色菌丝即发酵结束，产生腐植质，备用；
Ⅱ.将步骤Ⅰ发酵所得的腐植质经化学方法提取制备得到含生化腐植酸上清液作为制备所述基质的原料；然后，按质量分数计分别加入草炭27.5%、玉米皮7%、糠醛渣32%、珍珠岩17%、蛭石16%，微量元素0.15%和所述生化腐植酸上清液0.35%，均匀混合，在20℃干燥室放置5-8天，使其含水量小于15%，无异味；
Ⅲ.在基质堆上按照上下不同层次多点随机取样，多点等量混合即为一个样品，风干后过1mm筛网，检测样品各项技术指标满足：电导率1.2mS/cm、pH7.1、有机质62%、含水量16%、总养分7.25%、容重0.36g/mL、总孔隙度75%：即得到合格的硒砂瓜栽培基质。
实施例二
一种硒砂瓜的栽培基质，采用如下制备方法得到：
Ⅰ.采取堆肥发酵：将工业分离出来的糠醛渣、玉米皮等原材料中按质量分数计分别加入2.5%尿素和0.01%HM菌剂混合均匀，将其含水量调至60%左右，堆积进行好氧发酵，温度达到60℃开始翻堆，隔一天翻一次，水分不够时需补充含水量至60%，待温度降低到30-40℃，经过35-40天，堆内有大量白色菌丝即发酵结束，产生腐植质，备用；
Ⅱ.将步骤Ⅰ发酵所得的腐植质经化学方法提取制备得到含生化腐植酸上清液作为制备所述基质的原料；然后，按质量分数计分别加入草炭37.5%、玉米皮10%、糠醛渣27.5%、珍珠岩12%、蛭石12.75%，微量元素0.05%和所述生化腐植酸上清液0.2%，均匀混合，在20℃干燥室放置5-8天，使其含水量小于15%，无异味；
Ⅲ.在基质堆上按照上下不同层次多点随机取样，多点等量混合即为一个样品，风干后过1mm筛网，检测样品各项技术指标满足：电导率1.35mS/cm、pH6.7、有机质75%、含水量14%、总养分7.05%、容重0.30g/mL、总孔隙度>78%：即得到合格的硒砂瓜栽培基质。
实施例三
一种硒砂瓜的栽培基质，采用如下制备方法得到：
Ⅰ.采取堆肥发酵：将工业分离出来的糠醛渣、玉米皮等原材料中按质量分数计分别加入2.5%尿素和0.01%HM菌剂混合均匀，将其含水量调至60%左右，堆积进行好氧发酵，温度达到60℃开始翻堆，隔一天翻一次，水分不够时需补充含水量至60%，待温度降低到30-40℃，经过35-40天，堆内有大量白色菌丝即发酵结束，产生腐植质，备用；
Ⅱ.将步骤Ⅰ发酵所得的腐植质经化学方法提取制备得到含生化腐植酸上清液作为制备所述基质的原料；然后，按质量分数计分别加入草炭42.5%、玉米皮18%、糠醛渣17%、珍珠岩10%、蛭石12%，微量元素0.1%和所述生化腐植酸上清液0.4%，均匀混合，在20℃干燥室放置5-8天，使其含水量小于15%，无异味；
Ⅲ.在基质堆上按照上下不同层次多点随机取样，多点等量混合即为一个样品，风干后过1mm筛网，检测样品各项技术指标满足：电导率1.7mS/cm、pH6.1、有机质68%、含水量18%、总养分6.63%、容重0.46g/mL、总孔隙度75%：即得到合格的硒砂瓜栽培基质。
上面为结合实施例对本发明进一步描述，该描述只是为了更好的说明本发明而不是对其进行限制。本发明并不限于这里所描述的特殊实例和实施方案。任何本领域中的技术人员很容易在不脱离本发明精神和范围的情况下进行进一步的改进和完善，都落入本发明的保护范围。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。