技术总结
本发明提供了一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法，第一步、线圈表面喷砂：第二歩、线圈表面的超声波清洗：第三步、多晶硅真空区熔及蒸发：第四歩、线圈表面清理：第五歩、覆盖硅膜层，将第三步、第四歩的过程重复进行三次，使线圈表面被真空蒸发的硅膜层完全覆盖。利用真空区熔工艺，以高纯多晶硅为原料，采用真空蒸发的方法，对线圈表面进行包硅预处理，使线圈表面形成一个牢固附着的硅膜层。采用经预蒸发处理后的线圈作为加热线圈进行真空区熔硅单晶生长时，可完全消除真空蒸发作用对单晶生长的影响，并有效避免了因硅颗粒从线圈表面脱落进入熔区所造成的材料沾污，提高了单晶的少子寿命，满足了真空区熔硅单晶生长的需要。
技术研发人员：闫萍;庞炳远;刘洪
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十六研究所
文档号码：201610941175
技术研发日：2016.11.02
技术公布日：2017.03.15