一种晶体培养装置的制作方法

本实用新型涉及晶体培养技术领域，尤其涉及一种晶体培养装置。

背景技术：

静态晶体培养法是将配体和配位中心离子溶解后，配成培养液，放置与容器中，等待自然挥发或温度调节等获得晶体自组装生长的过程。现在已经有很多类似这种反应应用在实际生产过程中，因此就提出了对原先技术更深的要求。通常情况下，采用培养皿进行培养液的放置，并不能连续叠加，且培养完成后，固液分离是个非常大的难题，通常的倾倒法容易严重破坏原有晶体的形态。

技术实现要素：

本实用新型为了克服现有技术中的晶体培养皿在倒水时倾斜导致破坏晶体形态、晶体培养效率低的不足，提供了一种在排水时不会破坏晶体形态、晶体培养质量高的晶体培养装置。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种晶体培养装置，包括底座、设在底座上的若干培养皿，所述培养皿的内底面中心设有连接筒，连接筒内设有转动管，转动管依次穿过每个培养皿上的连接筒将培养皿串接叠合在一起，转动管的下端穿过底座与底座之间转动连接，所述连接筒的上端侧面设有液位孔，所述连接筒的下端另一侧面设有排液孔，所述转动管的侧面设有若干与培养皿上的排液孔一一对应的排液缺口，当转动管上的排液缺口转动到与液位孔同侧时，排液缺口与液位孔连通，当排液缺口转动到与排液孔同侧时，排液缺口与排液孔连通。

先把排液缺口转动到与液位孔同侧，然后分别向每个培养皿内注入培养液，多余而对培养液会从经过液位孔、排液缺口后从转动管的下端排掉，从而使得每个培养皿内的液位一致；晶体在培养皿内完全反应后需要将水排掉，此时转动管转动一个角度，使得排液缺口与排液孔连通，此时每个培养皿内的水都通过转动管排掉，无需把培养皿倾斜倒水，不会破坏晶体形态，提高晶体培养质量同时可以根据需要增加培养皿的数量，提高晶体单次培养量。

作为优选，所述连接筒的上端端面为内锥面，所述培养皿的外底面中心设有限位凸环，所述限位凸环的下端端面为与内锥面配合的外锥面。培养皿上下叠合时，限位凸环能保证培养皿之间同轴叠合，不易错位，确保转动管能够稳定插入并转动。

作为优选，所述转动管的下端设有下限位套，所述转动管的上端设有上限位套。下限位套、上限位套对转动管的两端限位，防止转动管轴向移动而错位。

作为优选，所述培养皿的侧面设有凸耳，所述的凸耳上设有定位孔，所述的底座上设有依次贯穿定位孔的定位杆。每个培养皿均通过定位杆、转动管定位，从而确保每个培养皿中的排液孔、液位孔的位置一致。

作为优选，所述培养皿的开口端侧面设有倾斜的注液槽。培养皿叠合后，通过注液槽向培养皿内注入培养液。

因此，本实用新型在排水时不会破坏晶体形态、晶体培养质量高。

附图说明

图1为本实用新型的一种结构示意图。

图2为培养皿的结构示意图。

图3为图1中A处局部放大示意图。

图中：底座1、培养皿2、连接筒3、内锥面30、液位孔31、排液孔32、转动管4、排液缺口40、限位凸环5、外锥面50、凸耳6、定位孔7、定位杆8、注液槽9、下限位套10、上限位套11。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步描述：

如图1和图2所示的一种晶体培养装置，包括底座1、设在底座上的若干培养皿2，培养皿2的内底面中心设有连接筒3，连接筒3内设有转动管4，转动管依次穿过每个培养皿上的连接筒将培养皿串接叠合在一起，连接筒3的上端端面为内锥面30，培养皿的外底面中心设有限位凸环5，限位凸环的下端端面为与内锥面配合的外锥面50，培养皿2的侧面设有凸耳6，凸耳上设有定位孔7，底座上设有依次贯穿定位孔的定位杆8，培养皿2的开口端侧面设有倾斜的注液槽9；转动管的下端穿过底座与底座之间转动连接，转动管的下端设有下限位套10，转动管的上端设有上限位套11。

如图3所示，连接筒3的上端侧面设有液位孔31，连接筒的下端另一侧面设有排液孔32，转动管4的侧面设有若干与培养皿上的排液孔一一对应的排液缺口40，当转动管上的排液缺口转动到与液位孔同侧时，排液缺口与液位孔连通，当排液缺口转动到与排液孔同侧时，排液缺口与排液孔连通。

结合附图，本实用新型的使用方法如下：先把排液缺口转动到与液位孔同侧，然后通过注液槽分别向每个培养皿内注入培养液，多余而对培养液会从经过液位孔、排液缺口后从转动管的下端排掉，从而使得每个培养皿内的液位一致；晶体在培养皿内完全反应后需要将水排掉，此时转动管转动一个角度，使得排液缺口与排液孔连通，此时每个培养皿内的水都通过转动管排掉，无需把培养皿倾斜倒水，不会破坏晶体形态，提高晶体培养质量同时可以根据需要增加培养皿的数量，提高晶体单次培养量。