一种新型硅芯棒组合结构的制作方法

本实用新型涉及一种芯棒，具体涉及一种硅芯棒。

背景技术：

目前，在硅芯棒组件中，竖棒和横棒采用钼丝绑在一起，操作繁琐，在硅棒长粗后，钼丝被埋在硅棒里，在取下硅棒后并进行切割后，需要把含有钼丝部分的硅块另行回收处理，这样严重影响产品质量与产率。一般的横棒和竖棒为高低连接，大大影响了多晶硅的初期生长速率和转换率，同时也增加了多晶硅的生长电耗。

技术实现要素：

发明目的：本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种连接牢靠，多晶硅沉积均匀稳定的新型硅芯棒组合结构。

技术方案：为了解决上述技术问题，本实用新型所述的一种新型硅芯棒组合结构，它包括横棒和竖棒，所述横棒和竖棒的横截面为方形，所述竖棒的横截面周长与竖棒的长度比为1：（35-45），在所述竖棒的上端面中部设有连接凹槽，在所述连接凹槽一旁设有限位凸台，在所述横棒上设有与连接凹槽匹配的连接凸台，所述横棒的上侧面与限位凸台的上侧面设在同一水平面上，在所述竖棒的下端面中间设有定位孔。

所述竖棒的横截面周长与竖棒的长度比为1：40。

所述横棒和竖棒的厚度为1.5-4.5mm。

有益效果：本实用新型与现有技术相比，其显著优点是：本实用新型整体结构设置合理，在硅芯棒上端部设有连接凹槽，并且采用长度比为1：（35-45）的竖棒横截面周长与硅芯棒本体，使硅芯棒重心处于中下部，确保硅芯棒在安装及反应时不会发生倾斜，设置连接凹槽和连接凸台，横棒和竖棒连接方便牢靠，无需用钼丝捆绑，简化操作步骤，并且横棒和竖棒连接后，横棒的上侧面与限位凸台的上侧面设在同一水平面上，确保多晶硅沉积均匀稳定，设置定位孔，使整体结构更牢固，符合实际使用要求。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型中所述横棒的结构示意图；

图3是本实用新型中所述竖棒的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。

如图1、图2和图3所示，本实用新型所述的一种新型硅芯棒组合结构，它包括横棒1和竖棒2，所述横棒1和竖棒2的横截面为方形，所述竖棒2的横截面周长与竖棒2的长度比为1：（35-45），在所述竖棒2的上端面中部设有连接凹槽3，在所述连接凹槽3一旁设有限位凸台4，在所述横棒1上设有与连接凹槽3匹配的连接凸台5，所述横棒1的上侧面与限位凸台4的上侧面设在同一水平面上，在所述竖棒2的下端面中间设有定位孔6；所述竖棒2的横截面周长与竖棒2的长度比为1：40；所述横棒1和竖棒2的厚度为1.5-4.5mm。本实用新型整体结构设置合理，在硅芯棒上端部设有连接凹槽，并且采用长度比为1：（35-45）的竖棒横截面周长与硅芯棒本体，使硅芯棒重心处于中下部，确保硅芯棒在安装及反应时不会发生倾斜，设置连接凹槽和连接凸台，横棒和竖棒连接方便牢靠，无需用钼丝捆绑，简化操作步骤，并且横棒和竖棒连接后，横棒的上侧面与限位凸台的上侧面设在同一水平面上，确保多晶硅沉积均匀稳定，设置定位孔，使整体结构更牢固，符合实际使用要求。

本实用新型提供了一种思路及方法，具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围，本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。