高阻层、触控装置及其制备方法与流程

文档序号:11719899阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及一种高阻层、触控装置及其制备方法。其中所述高阻层的材料为三氧化二锑和氧化锡的混合物,所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为30~60:40~70。本申请通过偶尔试验研究发现,高阻层采用上述新材料,其防静电效果好,抗干扰性能强。用于触控装置具有较好的防静电效果,且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好,透射率≥99%,用于触控装置具有较好的显示效果。具体的,该高阻层的面电阻为1×107~1×108Ω/cm2。触控装置的触控响应时间为0.15~0.25s。

技术研发人员:易伟华;张迅;周慧蓉;张伯伦
受保护的技术使用者:江西沃格光电股份有限公司
技术研发日:2017.02.15
技术公布日:2017.07.14
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1