技术特征：
技术总结
本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2‑xMo3O12及其制备方法。其中1.4≤x≤1.6。属于无机非金属功能材料领域，该负热膨胀ScxIn2‑xMo3O12陶瓷材料以高纯度Sc2O3、In2O3和MoO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在750‑1100℃烧结，制备得到的斜方向负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12陶瓷，其结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Sc1.5In0.5Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑3.99×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、环保无污染，因而具有较好的应用前景。
技术研发人员：张志萍;朱沁怡;邢灵根;刘红飞;陈小兵
受保护的技术使用者：扬州大学
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2017.09.12