技术特征：
技术总结
本发明公开了一种用于高掺杂硅单晶生长的气体导引装置，该气体导引装置具有锥形结构，其顶端具有一通孔，该通孔直径为籽晶夹持器外径的1.05‑1.15倍；其下端直径为目标晶体直径0.9‑1.2倍；该气体导引装置设置在熔体上方，通过被籽晶夹持器穿过通孔而位于籽晶夹持器的周围。采用本发明的气体导引装置，在NECK＞＞BODY阶段即使用较小的氩气流量，也能促使熔体上方的气流改善；较小的氩气流量，能够减少熔体上方气流刷新速度，减少了熔体内掺杂剂流失量，获得高掺杂的硅单晶。
技术研发人员：方峰;王学锋;邓德辉;李超
受保护的技术使用者：有研半导体材料有限公司
技术研发日：2017.12.11
技术公布日：2019.06.18