技术特征：
技术总结
本发明涉及水热合成技术领域，公开了一种纳米结构阵列及其制备方法和装置。所述纳米结构阵列的制备方法包括：在恒温和匀速搅拌下，在密闭反应釜中，将反应溶液与生长基底接触以进行水热合成，其中，所述生长基底以垂直或平行于反应釜底面的方式设置于反应釜中。根据本发明所述的方法制备的ZnO纳米结构阵列的缺陷密度显著将低，从而具有较高的光学质量；而且，根据本发明所述的方法制备的ZnO纳米结构阵列在相同的生长时间下长度显著增加，从而极大提高了ZnO纳米结构阵列的生长速度。
技术研发人员：赵颖;汤洋;陈颉
受保护的技术使用者：神华（北京）光伏科技研发有限公司
技术研发日：2018.02.09
技术公布日：2018.09.21