技术特征:
技术总结
本发明涉及水热合成技术领域,公开了一种纳米结构阵列及其制备方法和装置。所述纳米结构阵列的制备方法包括:在恒温和匀速搅拌下,在密闭反应釜中,将反应溶液与生长基底接触以进行水热合成,其中,所述生长基底以垂直或平行于反应釜底面的方式设置于反应釜中。根据本发明所述的方法制备的ZnO纳米结构阵列的缺陷密度显著将低,从而具有较高的光学质量;而且,根据本发明所述的方法制备的ZnO纳米结构阵列在相同的生长时间下长度显著增加,从而极大提高了ZnO纳米结构阵列的生长速度。
技术研发人员:赵颖;汤洋;陈颉
受保护的技术使用者:神华(北京)光伏科技研发有限公司
技术研发日:2018.02.09
技术公布日:2018.09.21