1.一种单晶培养装置，其特征在于，包括：
容置单元(1)，具有容置内腔；
培养单元(2)，设置于所述容置内腔中，包括第一瓶体(21)、第二瓶体(22)和第二盖体(23)；
所述第一瓶体(21)具有第一内腔，以及连通所述第一内腔与所述容置内腔的第一开口；
所述第二瓶体(22)具有第二内腔，以及连通第二内腔与所述容置内腔的第二开口；所述第二瓶体(22)的外周壁面具有沿竖向延伸的第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第二区域的上方，所述第一区域的部分外周壁面上开设有所需数量的通孔(221)；
所述第二盖体(23)包括封闭部(231)，和成型于所述封闭部(231)上且沿竖向延伸的延伸部(232)；所述延伸部(232)在所述第二盖体(23)安装于所述第二开口，与所述第二瓶体(22)的内侧壁面相贴合，其具有使至少部分所述通孔(221)敞开的第一状态，以及使至少部分所述通孔(221)被遮挡的第二状态。
2.根据权利要求1所述的单晶培养装置，其特征在于，还包括：
设置于所述容置单元(1)外部的温控单元(3)，所述温控单元(3)用于调节所述容置内腔中的温度。
3.根据权利要求2所述的单晶培养装置，其特征在于，所述温控单元(3)是设置于容置单元(1)外侧壁面上的保温层。
4.根据权利要求1所述的单晶培养装置，其特征在于，所述容置单元(1)包括：
培养容器(11)，所述培养容器(11)具有所述容置内腔以及将所述容置内腔与外界连通的第三开口；
密封件(12)，适于安装于所述第三开口使所述容置内腔形成密封腔体，
支撑单元(4)，设置在所述容置内腔中，所述支撑单元(4)上开设有适于安装所述第一瓶体(21)和所述第二瓶体(22)的至少两个安装孔。
5.根据权利要求4所述的单晶培养装置，其特征在于，所述支撑单元(4)是横向嵌设在所述培养容器(11)内的支撑板。
6.根据权利要求1所述的单晶培养装置，其特征在于，所述延伸部(232)是在周向上具有缺口的环形壁，所述缺口对应所述通孔(221)所在的第一区域。
7.根据权利要求6所述的单晶培养装置，其特征在于，所述延伸部(232)的竖向高度大于或等于所述第一区域的竖向高度。
8.根据权利要求1所述的单晶培养装置，其特征在于，所述通孔(221)所在的所述第一区域的周向长度是所示第一区域全部周向长度的一半，所述延伸部(232)的周向长度等于所述通孔(221)所在的所述第一区域的周向长度。
9.根据权利要求1所述的单晶培养装置，其特征在于，所述封闭部(231)的外径大于所述延伸部(232)的外径。