1.一种电介质组合物,其中,
所述电介质组合物包含主相和ca-si-p-o偏析相,
所述主相包含以abo3表示的主成分,
所述a包含选自钙及锶中的至少任意一种,
所述b包含选自锆、钛、铪及锰中的至少任意一种,
所述ca-si-p-o偏析相中至少包含钙、硅及磷。
2.根据权利要求1所述的电介质组合物,其中,
将所述ca-si-p-o偏析相中所包含的钙、锶、硅及磷的合计设为1摩尔份时,
在所述ca-si-p-o偏析相中,包含0.24~0.77摩尔份的钙,包含0.00~0.40摩尔份的锶,包含0.05~0.30摩尔份的硅,并且包含0.05~0.40摩尔份的磷。
3.根据权利要求1所述的电介质组合物,其中,
所述ca-si-p-o偏析相的晶系为斜方晶系。
4.根据权利要求1所述的电介质组合物,其中,
所述电介质组合物进一步包含ca-zr-o系偏析相。
5.根据权利要求1所述的电介质组合物,其中,
所述ca-si-p-o偏析相的圆当量直径为0.02~1μm。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的电介质组合物,其中,
以(所述ca-si-p-o偏析相的面积/所述主相的面积)×100%的式子表示的所述ca-si-p-o偏析相的面积比率为0.5~10%。
7.一种电子部件,其中,
具备权利要求1~6中任一项所述的电介质组合物。