一种近红外发光金属卤化物闪烁晶体及其制备方法和应用

技术特征：
1.一种近红外发光金属卤化物闪烁晶体，其特征在于，所述近红外发光金属卤化物闪烁晶体的组成通式为：(a
1-x
a’x
)4(b
1-y-y
’‑
y
’’
b’y
eu
y’sm
y
’’
)(x
1-z
x’z
)6、(a
1-x
a’x
)(b
1-y-y
’‑
y
’’
b’y
eu
y’sm
y
’’
)(x
1-z
x’z
)3、或(a
1-x
a’x
)2(b
1-y-y
’‑
y
’’
b’y
eu
y’sm
y
’’
)(x
1-z
x’z
)4；其中，a、a’=li、na、k、rb、cs、in和tl中的至少两种；b、b’= mg、ca、sr和ba中的至少两种；x、x’=f、cl、br和i中的至少两种；0≤x≤1、0≤y≤1、0＜y’≤1、0＜y
’’
≤0.1、0≤z≤1。2.一种权利要求1所述的近红外发光金属卤化物闪烁晶体的制备方法，其特征在于，采用坩埚下降法制备近红外发光金属卤化物闪烁晶体。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚下降法的工艺步骤包括：（1）按近红外发光金属卤化物闪烁晶体的组成通式称取ax、bx2、a’x、b’x2、ax’、bx
’2、a’x’、b’x
’2并混合，得到原料粉体；（2）在惰性气体环境中，将原料粉体装载到带有毛细结构的石英坩埚中，在10-2
～10-7
pa真空度、100～300℃下烘料6～72小时，降温后采用氢氧焊枪将石英坩埚焊封；（3）将焊封好的石英坩埚竖直置于晶体生长炉的中间位置；对晶体生长炉进行升温，熔化原料粉体至完全熔合并混合均匀；（4）调节坩埚位置与炉温，使坩埚底部温度降至近红外发光金属卤化物闪烁晶体的熔点温度，以0.1～10.0 mm/h的下降速度使石英坩埚在炉体内下降，晶体从坩埚毛细底开始成核并生长，直至熔体完全凝固；然后缓慢降至室温，最后从石英坩埚中取出晶体。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述原料粉体的纯度≥99.9wt%。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体环境为充满氩气或氮气的手套操作箱。6.一种权利要求1所述的近红外发光金属卤化物闪烁晶体的应用，其特征在于，所述近红外发光金属卤化物闪烁晶体匹配雪崩二极管或硅光电倍增管形成的探测器件。7.一种权利要求1所述的近红外发光金属卤化物闪烁晶体在x射线、γ射线或中子的探测和成像领域中的应用。

技术总结
本发明涉及一种近红外发光金属卤化物闪烁晶体及其制备方法和应用。近红外发光金属卤化物闪烁晶体的通式为：(A


技术研发人员：吴云涛 成双良 闻学敏
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2021.06.23
技术公布日：2022/12/22