一种高导热石墨烯厚膜制备方法与流程

文档序号:33553757发布日期:2023-03-22 11:05阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:s1、浆料的制备:将氧化石墨配比成重量百分比为3%-12%、余量为水的悬浮液;s2、涂覆:利用刮涂方式将s1中配置的悬浮液浆料刮涂到底膜上形成湿膜,刮涂到底膜上的氧化石墨湿膜厚度为2mm-12mm;s3、干燥:干燥采用热风烘箱内循环分段方式,分段烘箱内至少一段烘箱采用磁感应加热,烘烤后形成石墨烯干膜。2.根据权利要求1所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,步骤s3中,至少一段烘箱内上层和/或下层采用磁感应加热烘烤。3.根据权利要求1所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,步骤s3中,烘箱分为5个温度区段,其中,第一区段温度为40-50℃,和/或第二区段温度为55-65℃,和/或第三区段温度为70-80℃,和/或第四区段温度为65-75℃,和/或第五区段温度为45-55℃。4.根据权利要求4所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,第一区段温度为45℃,和/或第二区段温度为60℃,和/或第三区段温度为75℃,和/或第四区段温度为70℃,和/或第五区段温度为50℃。5.根据权利要求3所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,第一区段、第二区段和第三区段中至少一个区段采用磁感应加热烘烤。6.根据权利要求3所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,步骤s2和s3中,石墨烯膜移动速度为0.5-2.5米/分钟。7.根据权利要求3所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,步骤s3中,在烘箱的5个区段对湿膜上表面吹风,其中,第一区段烘箱风量为200-300立方米每小时,和/或第二区段烘箱风量为350-450立方米每小时,和/或第三区段烘箱风量为400-500立方米每小时,和/或第四区段烘箱风量为650-750立方米每小时,和/或第五区段烘箱风量为450-550立方米每小时。8.根据权利要求7所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,步骤s3中,第一区段烘箱风量为250立方米每小时,和/或第二区段烘箱风量为400立方米每小时,和/或第三区段烘箱风量为450立方米每小时,和/或第四区段烘箱风量为700立方米每小时,和/或第五区段烘箱风量为500立方米每小时。9.根据权利要求3所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,步骤s3中,在烘箱的5个区段对湿膜下表面吹风,其中,第一区段烘箱风量为95-105立方米每小时、和/或第二区段烘箱风量为150-250立方米每小时、和/或第三区段烘箱风量为250-350立方米每小时、和/或第四区段烘箱风量为450-550立方米每小时、和/或第五区段烘箱风量为450-550立方米每小时。10.根据权利要求9所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,步骤s3中,第一区段烘箱风量为100立方米每小时、和/或第二区段烘箱风量为200立方米每小时、和/或第三区段烘箱风量为300立方米每小时、和/或第四区段烘箱风量为500立方米每小时、和/或第五区段烘箱风量为500立方米每小时。11.根据权利要求3所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,所述第一区段、第二区段、第三区段、第四区段、第五区段均包括4节烘箱,每节烘箱的长度为4米。12.根据权利要求1所述的高导热石墨烯厚膜制备方法,其特征在于,步骤s2中,底模采
用透气底膜。

技术总结
本发明提供一种高导热石墨烯厚膜制备方法,包括以下步骤:S1、浆料的制备:将氧化石墨配比成重量百分比为3%-12%、余量为水的悬浮液;S2、涂覆:利用刮涂方式将S1中配置的悬浮液浆料刮涂到底膜上形成湿膜,刮涂到底膜上的氧化石墨湿膜厚度为2mm-12mm;S3、干燥:干燥采用热风烘箱内循环分段方式,分段烘箱内至少一段烘箱采用磁感应加热,烘烤后形成石墨烯干膜。此外,进一步的改进方案中还对湿膜的干燥温度以及湿膜上下表面吹风量进一步改进。采用本发明的方法制备石墨烯厚膜既可得到理想的石墨烯干膜,又可以提高干燥效率,节电效果也十分显著。显著。显著。


技术研发人员:赵利平 吴红
受保护的技术使用者:深圳稀导技术有限公司
技术研发日:2022.09.06
技术公布日:2023/3/21
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