技术特征：
1.一种tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、将lif、盐酸和ti3alc2粉末进行混合，经搅拌反应后离心倒掉上清液，并反复洗涤至倒出上清液的ph≥6，收集下层沉淀即得到多层ti3c2t
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粉末；s2、往多层ti3c2t
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粉末中加水后加热原位形成tio2@ti3c2t
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异质结，再利用光沉积法使tio2@ti3c2t
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异质结通过倏逝场的作用吸附于拉锥光纤的锥区形成可饱和吸收体。2.根据权利要求1所述的一种tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述盐酸的浓度为6-9m，所述lif与盐酸的料液比为3-8g：100ml，所述ti3alc2粉末与盐酸的料液比为4-12g：100ml。3.根据权利要求1所述的一种tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述搅拌反应为20-40℃，时间为12-48h，转速为300-500rpm。4.根据权利要求1所述的一种tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述多层ti3c2t
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粉末与水的料液比为1g：20-60ml。5.根据权利要求1所述的一种tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，步骤s2中，加热原位形成tio2@ti3c2t
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异质结的温度为40-100℃，时间为6-20h。6.根据权利要求1所述的一种tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，步骤s2中，光沉积所采用的光源为980nm半导体激光器，输出功率为150-200mw。7.根据权利要求1所述的一种tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述拉锥光纤为单模光纤，锥区长度为8-10mm，宽度为8-12μm。8.采用权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体。9.权利要求8所述的tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体在制备脉冲光纤激光器中的应用。10.一种基于tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体的锁模脉冲光纤激光器，其特征在于，所述锁模脉冲光纤激光器包括权利要求8所述的tio2@ti3c2t
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异质结可饱和吸收体、激光泵浦源、波分复用器、掺铒光纤、光隔离器、单模光纤、光纤耦合器和偏振控制器，所述波分复用器包括第一输入端和第二输入端，所述光纤耦合器包括90％输出端和10％输出端。
技术总结
本发明属于脉冲光纤激光器技术领域，具体涉及一种异质结可饱和吸收体的制备方法及其在脉冲光纤激光器中的应用。为开发出一种能在大气环境下稳定的TiO2@Ti3C2T
技术研发人员：陈珊珊 刘建锋 招瑜 陶丽丽 冯星
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2022.11.15
技术公布日：2023/1/31