技术特征：1.一种半导体纳米粒子，其是由含有ag、au、s作为必要构成元素的化合物的半导体晶体构成的半导体纳米粒子，
2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体纳米粒子，其中，
4.根据权利要求2或权利要求3所述的半导体纳米粒子，其中，
5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，
6.根据权利要求1～权利要求5中任一项所述的半导体纳米粒子，
7.根据权利要求1～权利要求6中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，
技术总结本发明是由含有Ag、Au、S作为必要构成元素的化合物的半导体晶体构成的半导体纳米粒子。在构成该半导体纳米粒子的AgAuS系化合物中，Ag、Au、S的合计含量为95质量％以上。另外，所述化合物优选是由通式Ag<subgt;(nx)</subgt;Au<subgt;(ny)</subgt;S<subgt;(nz)</subgt;表示的AgAuS三元系化合物。在所述通式中，n是任意的正整数。x、y、z表示所述化合物中的Ag、Au、S的各原子的原子数的比例，是0＜x,y,z≤1的实数。另外，x/y为1/7以上7以下。
技术研发人员：鸟本司,龟山达矢,常泉修平,渡边梦三,长谷川万里子,佐藤弘规,大岛优辅
受保护的技术使用者：国立大学法人东海国立大学机构
技术研发日：技术公布日：2024/1/15