1.一种电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于电阻率min不低于1e10ω*cm，且电阻率的高温稳定性优良，衬底放置在不高于2200℃的高温环境中，其电阻率保持不低于1e7ω*cm；
2.根据权利要求1所述的电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅衬底，经温度t1高温存储t1时长后，电阻率min不低于1e10ω*cm，其中t1≤1300℃、t1＜10h；经温度t2、高温存储t2时长后，电阻率min不低于1e7ω*cm，其中1300℃＜t2≤2200℃、t2＜10h。
3.根据权利要求1所述的电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅衬底片内电阻率极差值不大于1个数量级，径向电阻率相对标准偏差不大于10％。
4.根据权利要求1所述的电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅衬底中晶体轴向同种杂质的浓度差异不大于20％，晶体径向同种杂质的浓度差异不大于20％。
5.根据权利要求1所述的电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅衬底在hrxrd测试下，晶体半高宽fwhm不大于25arcsec，片内及同棒不同衬底间晶体半高宽fwhm差值均不大于10arcsec。
6.根据权利要求1所述的电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅晶体热导率不低于3.3w/(cm*k)，晶体轴向及径向热导率差异均不大于10％。
7.根据权利要求1所述的电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅衬底经koh腐蚀后，所得衬底贯穿位错的密度不大于2000cm-2，所述衬底贯穿位错包括tsd和ted。
8.根据权利要求1所述的电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅衬底在室温下epr测试晶体的自旋密度不大于5e15 cm-3。
9.根据权利要求1所述的电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅衬底包括但不限于4h、6h、8h、15r、3c晶型。