一种用于单晶硅生产的整体烧制石英坩埚的制作方法

文档序号:10030151阅读:267来源:国知局
一种用于单晶硅生产的整体烧制石英坩埚的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种石英坩祸,尤其是一种用于单晶硅生产的石英坩祸。
【背景技术】
[0002]石英坩祸是单晶硅生产中的主要耗材之一。制造这种单晶硅生产用的石英坩祸,是把石英砂装填在一种石英坩祸模具中进行烧制;为了把它烧制成高密度、高硬度的透明坩祸以达到单晶硅生产的要求,需要在烧制前对其进行抽真空处理。生产石英坩祸的石英砂的质量和价格直接影响石英坩祸的质量和成本。目前,生产用于单晶硅生产的石英坩祸,普遍采用美国尤尼明公司生产的1TA-CG标准高纯石英砂,但这种石英砂的价格要比国产石英砂高出很多;国产石英砂虽然价格较低,但质量达不到要求。另外,这种石英坩祸体积、重量较大,人工搬动不便。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是:提供一种质量能够达到单晶硅生产的要求而成本较低的整体烧制石英坩祸。
[0004]为了解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:
[0005]—种用于单晶硅生产的整体烧制石英坩祸,所述石英坩祸从内到外分为两层;内层的材质为美国尤尼明公司生产的1TA-CG标准高纯石英砂,外层的材质为国产石英砂,在烧制前只对内层进行抽真空处理,从而把其烧制成高密度、高硬度的透明层,其厚度为3mm?5mm,外层是厚度为5mm?1mm的不透明层。
[0006]在所述的外层的外壁表面对称设置有两个便于利用真空吸盘进行吸附的平面。
[0007]在所述的外层的外壁表面对称设置有两个便于人手至少四指抠进并把所述的石英坩祸抬起的凹陷部位,两个凹陷部位的开口朝下。
[0008]本实用新型所取得的有益效果:
[0009]在生产石英坩祸的过程中进行分层处理,内层和外层分别采用高等级和低等级材质,并且在烧制前只对内层进行抽真空处理,从而使内层满足单晶硅生产过程中的质量要求,外层对内层起到保护和支撑的作用,保证在单晶硅生产中整个石英坩祸不会变形,同时降低了成本。
[0010]在石英坩祸的外壁表面设置便于人手或真空吸盘操作的构造,方便了人工搬运或真空吸盘机械搬运。
[0011]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型做进一步详细说明。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型实施例一的构造示意图;
[0013]图2为本实用新型实施例二的构造示意图;
[0014]图3为本实用新型实施例三的构造示意图。
【具体实施方式】
[0015]实施例一、
[0016]如图1所示,一种用于单晶硅生产的整体烧制石英坩祸,所述石英坩祸从内到外分为两层;内层I的材质为美国尤尼明公司生产的1TA-CG标准高纯石英砂,外层2的材质为国产石英砂,在烧制前只对内层I进行抽真空处理,从而把其烧制成高密度、高硬度的透明层,其厚度为3mm?5mm,外层2是厚度为5mm?1mm的不透明层。
[0017]在生产石英坩祸的过程中进行分层处理,内层和外层分别采用高等级和低等级材质,并且在烧制前只对内层进行抽真空处理,从而使内层满足单晶硅生产过程中的质量要求,外层对内层起到保护和支撑的作用,保证在单晶硅生产中整个石英坩祸不会变形,同时降低了成本。
[0018]实施例二、
[0019]实施例二对实施例一的改进在于:在所述的外层2的外壁表面对称设置有两个便于利用真空吸盘进行吸附的平面3。
[0020]实施例三、
[0021]实施例三对实施例一的改进在于:在所述的外层2的外壁表面对称设置有两个便于人手至少四指抠进并把所述的石英坩祸抬起的凹陷部位4,两个凹陷部位4的开口朝下。
【主权项】
1.一种用于单晶硅生产的整体烧制石英坩祸,其特征在于:所述石英坩祸从内到外分为两层;内层(I)的材质为美国尤尼明公司生产的1TA-CG标准高纯石英砂,外层(2)的材质为国产石英砂,在烧制前只对内层(I)进行抽真空处理,从而把其烧制成高密度、高硬度的透明层,其厚度为3mm?5mm,外层⑵是厚度为5mm?1mm的不透明层。2.根据权利要求1所述的用于单晶硅生产的整体烧制石英坩祸,其特征在于:在所述的外层(2)的外壁表面对称设置有两个便于利用真空吸盘进行吸附的平面(3)。3.根据权利要求1所述的用于单晶硅生产的整体烧制石英坩祸,其特征在于:在所述的外层(2)的外壁表面对称设置有两个便于人手至少四指抠进并把所述的石英坩祸抬起的凹陷部位(4),两个凹陷部位(4)的开口朝下。
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于单晶硅生产的整体烧制石英坩埚。其从内到外分为两层;内层的材质为美国尤尼明公司生产的IOTA-CG标准高纯石英砂,外层的材质为国产石英砂,在烧制前只对内层进行抽真空处理,从而把其烧制成高密度、高硬度的透明层,其厚度为3mm~5mm,外层是厚度为5mm~10mm的不透明层。本实用新型在生产的过程中进行分层处理,内层和外层分别采用高等级和低等级材质,并且在烧制前只对内层进行抽真空处理,从而使内层满足单晶硅生产过程中的质量要求,外层对内层起到保护和支撑的作用,同时降低了成本。
【IPC分类】C30B35/00
【公开号】CN204939661
【申请号】CN201520635812
【发明人】范玉华, 李卫涛, 陈召强, 赵学东
【申请人】宁晋昌隆电子材料制造有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年8月21日
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