专利名称：透明导电性膜、其制造方法、电子装置用部件及电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及透明导电性膜、其制造方法、包含该透明导电性膜的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子装置。
背景技术：
以往，已知有在由透明塑料形成的基板上具有透明导电体层的透明导电性膜。作为上述透明导电性膜的透明导电体层形成材料，主要使用了锡掺杂氧化铟(ITO)，但铟是稀有金属，因此近年来提出了氧化锌系导电材料作为代替ITO的透明导电材料。然而，氧化锌系导电材料存在与ITO相比在高温高湿度条件下薄层电阻值容易劣化这样的问题。为了解决该问题，专利文献I中公开了，在塑料基材上设置的硬涂层上，形成了掺杂有硅的氧化锌皮膜的透明导电体。然而，对于这样的透明导电体，有时导电材料的结晶性降低而损害导电性。专利文献2中公开了具有通过含有相对于锌为特定量的镓等来提高耐热性的透明导电膜的透明发热体。然而，在形成该透明发热体的透明导电膜时，存在必须使锌以特殊的条件含有镓，制造条件受到限制这样的问题。专利文献3中提出了通过设置增加了氧化度的耐热导电性层来提高耐热性的带有透明导电膜的基板。然而，未能控制高温高湿度环境下的薄层电阻值。此外，非专利文献I中记载了，在氧化镓-氧化锌系透明导电体中，通过使氧化镓的掺杂量非常多，并且使厚度为400nm，从而控制高温高湿度环境下的薄层电阻值的技术。然而，该文献所记载的方法中，由于将透明导电体成膜为400nm，因此生产性显著差，此外掺杂的氧化镓量非常多，从原材料的成本方面考虑也不现实。
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现有技术文献 专利文献
专利文献1:日本特开平8-45352号公报 专利文献2:日本特开平6-187833号公报 专利文献3:日本特开2009-199812号公报 非专利文献
非专利文献 1: APPLIED PHYSICS LETTERS 89,091904(2006)。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是鉴于上述的以往技术而提出的，其目的是提供具有优异的阻气性和透明性，并且即使在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，耐弯折性和导电性优异的透明导电性膜、其制造方法、包含该透明导电性膜的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子
>J-U ρ α装直。用于解决课题的手段本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现下述透明导电性膜具有优异的阻气性和透明性，此外，即使在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异，所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，上述阻气层由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，并具有下述区域(A)，所述区域(A)从表面向着深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加，上述区域(A)具有以特定的比例包含氧原子、碳原子和硅原子的至少2种部分区域。此外发现，这样的透明导电性膜的阻气层可以通过向包含聚硅烷化合物的层注入离子来简便并且高效率地形成，从而完成本发明。这样，根据本发明，可提供下述⑴ (9)的透明导电性膜、(10) (12)的透明导电性膜的制造方法、(13)的电子装置用部件、和(14)的电子装置。(I) 一种透明导电性膜，其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，
所述阻气层由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，并具有下述区域(A)，所述区域(A)从表面向着深 度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加，
所述区域(A)包含相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为20 55%、碳原子的存在比例为25 70%、硅原子的存在比例为5 20%的部分区域(Al)，和氧原子的存在比例为I 15%、碳原子的存在比例为72 87%、硅原子的存在比例为7 18%的部分区域(A2)。(2)根据⑴所述的透明导电性膜，其特征在于，所述区域㈧在包含聚硅烷化合物的层的表层部形成。(3) 一种透明导电性膜，其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，
所述阻气层具有向包含聚硅烷化合物的层注入离子而得到的层。(4)根据⑵或(3)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述聚硅烷化合物为包含下述式(I)所示的重复单元的化合物。
权利要求
1.透明导电性膜，其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜， 所述阻气层由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，并具有下述区域(A)，所述区域(A)从表面向着深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加， 所述区域(A)包含相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为20 55%、碳原子的存在比例为25 70%、硅原子的存在比例为5 20%的部分区域(Al)，和氧原子的存在比例为I 15%、碳原子的存在比例为72 87%、硅原子的存在比例为7 18%的部分区域(A2)。
2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述区域(A)在包含聚硅烷化合物的层的表层部形成。
3.透明导电性膜，其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜， 所述阻气层具有向包含聚硅烷化合物的层注入离子而得到的离子注入层。
4.根据权利要求2或3所述的透明导电性膜，其特征在于，所述聚硅烷化合物为包含下述式(I)所示的重复单元的化合物，
5.根据权利要求3所述的透明导电性膜，其特征在于，所述阻气层离子注入层为通过等离子体离子注入法向包含聚硅烷化合物的层注入离子而得到的层。
6.根据权利要求3所述的透明导电性膜，其特征在于，所述离子是选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体被离子化而成的。
7.根据权利要求1或3所述的透明导电性膜，所述透明导电体层由导电性金属氧化物形成。
8.根据权利要求7所述的透明导电性膜，其特征在于，所述导电性金属氧化物为锌系氧化物。
9.根据权利要求1或3所述的透明导电性膜，其特征在于，在40°C、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为小于0.5g/m2/天。
10.透明导电性膜的制造方法，其为权利要求2 9中任一项所述的透明导电性膜的制造方法，其具有下述工序:向表面部具有包含聚硅烷化合物的层的成型物的、所述包含聚硅烷化合物的层，注入离子而形成离子注入层。
11.根据权利要求10所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，在注入离子而形成离子注入层的工序中，所述离子是选自氢、氧、氮、氩、氦、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体被离子化而成的。
12.根据权利要求10所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，注入离子而形成离子注入层的工序为通过等离子体离子注入法注入离子而形成离子注入层的工序。
13.电子装置用部件，其包含权利要求1 9中任一项所述的透明导电性膜。
14.电子装置，其具备权利要求13所述的电子装置用部件。
全文摘要
本发明是透明导电性膜等，所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，上述阻气层由至少包含氧O原子、碳C原子和硅Si原子的材料构成，并具有下述区域(A)，所述区域(A)从表面向着深度方向，层中的氧O原子的存在比例逐渐减少，碳C原子的存在比例逐渐增加，上述区域(A)包含相对于氧O原子、碳C原子和硅Si原子的总存在量，氧O原子的存在比例为20～55%、碳C原子的存在比例为25～70%、硅Si原子的存在比例为5～20%的部分区域(A1)，和氧O原子的存在比例为1～15%、碳C原子的存在比例为72～87%、硅Si原子的存在比例为7～18%的部分区域(A2)。
文档编号C08J7/00GK103249859SQ20118004969
公开日2013年8月14日 申请日期2011年10月13日 优先权日2010年10月15日
发明者永元公市, 近藤健, 永绳智史, 铃木悠太 申请人:琳得科株式会社