本发明涉及硅材料加工技术领域，具体涉及一种硅片表面污渍分解剂及其加工方法。
背景技术：
硅材料，是重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能，硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平，单晶硅在太阳能电池中的应用，高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。
硅片是硅材料存在的一种物理形式，在正常的应用中，硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力，科学技术的发展不断推动着半导体的发展，自动化和计算机等技术发展，使硅片这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度，然而硅片在加工时，不同的工艺节点都会使得硅片加工出现瑕疵。
硅片一般都是通过相应的硅碇进行切片而成，由于在切割时，应用大量的切削液，润滑液等化学试剂，因此硅片在切割后，在其本身会存留有大量的化学污渍，此类污渍附着在加工成型后的硅片表面，会影响硅片本身性能，因此必须进行相应的清洗，硅片清洗相对于普通材料清洗不同，如果清洗不当，很容易将硅片表面划伤或者磕伤，因此清洗必须相对温和，但是由于硅片上的污渍相对较为顽固，因此直接清洗，并不能彻底清除，因此效果不佳，影响硅片的清洁度，从而影响硅片的本身质量。
技术实现要素：
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本发明所要解决的技术问题在于提供一种配方合理，性能温和，分解效果显著的硅片表面污渍分解剂及其加工方法。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
一种硅片表面污渍分解剂，其特征在于，由以下重量份的原料制成：
二甲苯60-80份、醋酸丁酯3-5份、阻聚剂6-8份、蔗糖酯5-7份、腐殖酸6-8份、丁二酰亚胺2-4份、氢氧化钠6-8份、白炭黑2-4份、木质素硫酸钠5-7份、柠檬酸钠5-7份、亚硫酸钠5-7份、丙烯酸月桂醇酯5-7份、木质素6-8份、玉米肽3-5份、去离子水800-850份。
各原料的优选分量为：
二甲苯70份、醋酸丁酯4份、阻聚剂7份、蔗糖酯6份、腐殖酸7份、丁二酰亚胺3份、氢氧化钠7份、白炭黑3份、木质素硫酸钠6份、柠檬酸钠6份、亚硫酸钠6份、丙烯酸月桂醇酯6份、木质素7份、玉米肽4份、去离子水825份。
所述的阻聚剂为对苯二酚、叔丁基邻苯二酚或环烷酸铜中的一种或者任意几种复配而成。
上述清洗剂的制备方法为：
1)取用一搅拌罐，将原料中的二甲苯、丁二酰亚胺和氢氧化钠加入其中，然后再将原料中的去离子水加入其中，开启搅拌直至物料全部混合均匀，得到主料液，备用；
2)将原料中其余原料再依次放入另一搅拌罐中，并且将罐内温度升至35-38℃，然后控制转速为3500-3600r/min，高速搅拌25-35min后，得到料液B冷却，出料，备用；
3)将步骤1和步骤2中得到的物料混合同一搅拌罐中，然后加热至21-25℃，持续搅拌15-35min后，冷却出料即可得到。
本品在使用时，将其直接放入喷雾器中，将切割后的硅片取出，直接喷施在硅片表面，然后静置5-7min后，采用超声波常规清洗即可。
本发明的有益效果是：本发明制备方法简单，配方合理，制备的分解剂直接作用于硅片表面，可以将硅片表面附着的油脂污渍进行预先分解，便于后续超声波清洗，方便了后续轻易除污，避免顽固污渍，同时性能温和，不会造成硅片腐蚀，安全便捷。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。
实施例1
称取：二甲苯60kg、醋酸丁酯3kg、阻聚剂6kg、蔗糖酯5kg、腐殖酸6kg、丁二酰亚胺2kg、氢氧化钠6kg、白炭黑2kg、木质素硫酸钠5kg、柠檬酸钠5kg、亚硫酸钠5kg、丙烯酸月桂醇酯5kg、木质素6kg、玉米肽3kg、去离子水800kg。
实施例2
称取：二甲苯70kg、醋酸丁酯4kg、阻聚剂7kg、蔗糖酯6kg、腐殖酸7kg、丁二酰亚胺3kg、氢氧化钠7kg、白炭黑3kg、木质素硫酸钠6kg、柠檬酸钠6kg、亚硫酸钠6kg、丙烯酸月桂醇酯6kg、木质素7kg、玉米肽4kg、去离子水825kg。
制备上述实施例1或2的方法为：
1)取用一搅拌罐，将原料中的二甲苯、丁二酰亚胺和氢氧化钠加入其中，然后再将原料中的去离子水加入其中，开启搅拌直至物料全部混合均匀，得到主料液，备用；
2)将原料中其余原料再依次放入另一搅拌罐中，并且将罐内温度升至35-38℃，然后控制转速为3500-3600r/min，高速搅拌25-35min后，得到料液B冷却，出料，备用；
3)将步骤1和步骤2中得到的物料混合同一搅拌罐中，然后加热至21-25℃，持续搅拌15-35min后，冷却出料即可得到。
本品在使用时，将其直接放入喷雾器中，将切割后的硅片取出，直接喷施在硅片表面，然后静置5-7min后，采用超声波常规清洗即可。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。