1.一种量子点掺杂PMMA本体聚合工艺，其特征在于：包括如下工艺步骤：
步骤1：QD-MMA溶液调配；
按比例分别称取红色量子点和绿色量子点，然后将两种量子点溶于有机溶剂中，然后将混有量子点的有机溶剂加入甲基丙烯酸甲酯(MMA)形成QD-MMA溶液；
步骤2：制备预聚合原浆；
将过氧化二苯甲酰(BPO)加入QD-MMA溶液中并震荡使其充分溶解，水浴回流温控80℃直至形成粘性薄浆，将其冷却至室温即得到预聚合原浆，将预聚合原浆封口保存待用；
步骤3：注模；
将预聚合原浆注入模具中，赶出气泡并将模具模口密封；
步骤4：烘烤聚合形成PMMA；
将灌浆后的模具在50℃的烤箱内进行低温聚合，当模具内的聚合物基本成为固体时升温到100℃，保持2小时，形成掺杂有量子点的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；
步骤5：成型后的PMMA与模具分离；
将步骤4中成型后的聚合物和模具缓慢冷却至50-60℃，拆卸模具，得到完全固化的掺杂量子点的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)样板。
2.如权利要求1所述的一种量子点掺杂PMMA本体聚合工艺，其特征在于：步骤1中所述绿色量子点和红色量子点的质量比在50:1～50:3之间。
3.如权利要求1所述的一种量子点掺杂PMMA本体聚合工艺，其特征在于：步骤1中所述的有机溶剂为环己烷、正己烷、乙醇、甲醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、苯甲醚以及四氢呋喃中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的一种量子点掺杂PMMA本体聚合工艺，其特征在于：将混有量子点的有机溶剂逐滴加入甲基丙烯酸甲酯(MMA)，其中量子点占甲基丙烯酸甲酯(MMA)的比例为0.25％～1.25％。
5.如权利要求4所述的一种量子点掺杂PMMA本体聚合工艺，其特征在于：有机溶剂与甲基丙烯酸甲酯(MMA)的比例为0.1％～2％。
6.如权利要求1所述的一种量子点掺杂PMMA本体聚合工艺，其特征在于：步骤2中过氧化二苯甲酰(BPO)占甲基丙烯酸甲酯(MMA)的比例为0.4％～0.5％。
7.如权利要求1所述的一种量子点掺杂PMMA本体导光板工艺，其特征在于：步骤3中模具包括上玻璃板、下玻璃板以及密封胶带，上玻璃板、下玻璃板以及密封胶带组合形成模腔，模腔顶部留有灌注口，模腔内装有亚克力板。
8.一种制导光板工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1、导光板板体制作；
将由权利要求1-7任一项制得的掺杂量子点的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)样板裁切并根据光学需求加工网点，形成导光板板体；
步骤2：制备水氧阻隔层；
在步骤1中的导光板板体的外表面均匀涂覆水氧阻隔材料，并使其固化，即得到导光板成品。
9.如权利要求8所述的一种制导光板工艺，其特征在于：步骤2中所述水氧阻隔膜的厚度为0.1～100μm之间。
10.如权利要求9所述的一种制导光板工艺，其特征在于：所述水氧阻隔材料为PE、PVA、EVOH、PVDC、PEN、PA、PP、树脂、Al2O3、ZrO2、SiC、Si3N4、SiO2、TiO2、硅酸盐、碳化物以及氮化物中的一种或几种。
11.如权利要求10所述的一种制导光板工艺，其特征在于：所述水氧阻隔膜的固化方法为聚合物多层工艺、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、双磁控反应溅射工艺以及层层自组装(LBL)方法中的一种或几种。
12.一种导光板，其由权利要求8、9、10或11中任意工艺制得，其特征在于：包括板体和涂覆在板体外表面的水氧阻隔层，量子点均匀分散在板体内。
13.如权利要求12所述的一种导光板，其特征在于：板体包括出光面和与出光面相对的底面，底面上均匀分布有网点从而形成网点面。
14.如权利要求12所述的一种导光板，其特征在于：所述水氧阻隔层厚度为0.1～100μm之间。
15.如权利要求14所述的一种导光板，其特征在于：所述水氧阻隔层材料为PE、PVA、EVOH、PVDC、PEN、PA、PP、Al2O3、ZrO2、SiC、Si3N4、SiO2、树脂、TiO2、硅酸盐、碳化物以及氮化物中的一种或几种。