一种甲基三丁酮肟基硅烷的制备方法

文档序号:9446655阅读:1715来源:国知局
一种甲基三丁酮肟基硅烷的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及硅烷交联剂合成领域,特别设及一种甲基=下酬目亏基硅烷的制备方 法。
【背景技术】
[0002] 室溫固化娃橡胶的制备传统的交联剂采用甲基=下酬朽基硅烷、乙締基=下酬朽 基硅烷。使用乙締基=下酬朽基硅烷价格高,造成成本上升,而且乙締基=下酬目亏基硅烷在 存储过程中非常容易变黄色,在制备透明RTV娃橡胶时会有影响。
[0003] 甲基=下酬朽基硅烷常规的制备方法为:原料采用甲基=氯硅烷与下酬朽按照 1 :6~1 :6.3摩尔比在溶剂中反应,然后静置分层。下层为下酬朽盐酸盐,W氨水中和,回收 下酬朽和得到副产物氯化锭。上层为甲基=下酬目亏基硅烷粗品(含溶剂及过量下酬目亏),经 氨气中和、过滤后蒸馈,蒸馈出溶剂及过量下酬朽,得到产品。CN101348498AXN102079753A 的中甲基二下酬朽基硅烷均义用甲基二氯硅烷为原料制备,存在的缺陷为:甲基二氯硅烷 价格较高,导致生产成本较高;采用甲基=氯硅烷为原料制备甲基=下酬朽基硅烷会产生 大量的氯化氨,需要氨水中和,同时产生大量氯化锭,氯化锭价格低廉,回收成本高。

【发明内容】

[0004] 本发明的目的在于提供一种甲基S下酬朽基硅烷的制备方法,W甲基二氯硅烷为 原料制备甲基=下酬朽基硅烷,甲基二氯硅烷价格大大低于甲基=氯硅烷,显著降低了生 产成本,同时,可W大量减少副产物氯化氨的产生,降低副产物处理成本,方法简单易行,适 合工业化生产,产品收率高,产品具有良好的活性,可W用于制备快表干要求的RTV娃橡 胶,而且该产品储存过程中不容易变色。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006] 一种甲基=下酬目亏基硅烷的制备方法,所述的制备方法步骤如下:
[0007] (1)将下酬目亏、溶剂和催化剂加入到反应蓋中,加热到50-60。揽拌条件下,向反 应蓋中滴加甲基二氯硅烷,调节甲基二氯硅烷的滴加速度,控制反应溫度在50-60°C,反应 过程中持续通氮气保护,甲基二氯硅烷与下酬朽的摩尔比1 :5-5. 25 ;反应蓋内通氮气,W 保证反应安全;调节甲基二氯硅烷的滴加速度,不但控制反应溫度,同时控制反应产生氨气 速度,W保证反应平稳进行。
[0008](2)滴加完毕后,保持反应溫度50-60°C,继续反应2-4小时,静置分层,上层产物 为甲基=下酬目亏基硅烷粗品,进入第一中和蓋,通入氨气进行中和,然后过滤,分离出氯化 锭后,得到甲基=下酬目亏基硅烷的半成品,将该半成品进入第一薄膜蒸发器,蒸馈出溶剂及 过量的下酬朽,得到甲基=下酬朽基硅烷产品;下层产物为下酬目亏盐酸盐,进入第二中和 蓋,加入溶剂揽拌混匀,通入氨气进行中和,然后过滤,分离出氯化锭后,滤液进入第二薄膜 蒸发器,蒸馈出溶剂,得到下酬朽,下酬朽和溶剂循环利用。
[0009] 目前有机娃单体副产物甲基二氯硅烷大大过剩,厂家出厂价为0,是一种难W消 化的有机娃副产物,除用于制备含氨硅油外,目前无其它用途,厂家时常需要花大量的金钱 处理甲基二氯硅烷。而甲基=氯硅烷已被广泛用于甲基=甲氧基硅烷、甲基=乙氧基娃 烧、甲基=乙酷氧基硅烷、甲基=下酬朽基硅烷、甲基娃树脂等的制备,需求量大,价格在 3000-6000元/吨波动。现有认知中,甲基二氯硅烷不能像甲基S氯硅烷那样用于制备甲基 =下酬朽基硅烷等,因此,甲基二氯硅烷除用于制备含氨硅油外,是一种无人问津的有机娃 单体副产物。本发明对甲基=下酬朽基硅烷的制备方法进行了革新,采用常规废弃的甲基 二氯硅烷为原料,寻找到了特定的催化剂无水氯化儀,克服了常规甲基二氯硅烷无法直接 与下酬目亏反应获得甲基=下酬目亏基硅烷的技术难点。同时本发明在改变原料和加入催化剂 下,同时调整了原料配比,开发了特定的反应条件。本发明的核屯、创造点在于甲基二氯硅烷 为原料,并配合特定的催化剂和反应条件。
[0010] 作为优选,步骤(1)中所述催化剂为无水氯化儀,按照甲基二氯硅烷的重量计,无 水氯化儀的用量为200-2000ppm。
[0011] 作为优选,所述溶剂为120号溶剂油、90号溶剂油或环己烧。
[0012] 作为优选,步骤(1)中溶剂的用量为甲基二氯硅烷的1-2倍重量。
[0013] 作为优选,步骤(2)第二中和蓋中加入的溶剂的用量为步骤(1)甲基二氯硅烷的 2-3倍重量。
[0014] 作为优选,步骤(2)中第一中和蓋溫度控制在30-50°C。
[0015] 作为优选,步骤(2)中第二中和蓋溫度控制在30-50°C。
[0016] 作为优选,第一薄膜蒸发器溫度控制在100-120°C,真空度控制在-0. 098MpaW 上。
[0017] 作为优选,第二薄膜蒸发器溫度控制在60-70°C,真空度控制在-0. 09MpaW上。
[0018] 作为优选,步骤(1)中所述反应蓋上连接有冷却塔,冷却塔顶部设有具有冷凝回 流功能的冷凝器。设置冷却塔,塔顶的冷凝器可W使反应过程中挥发的原料成分冷凝回流 下来,提高了利用率。
[0019] 与常规的采用甲基=氯硅烷为原料制备甲基=下酬朽基硅烷的方案相比,本发明 的优点是:
[0020] 1、用甲基二氯硅烷代替甲基S氯硅烷,同时使用催化剂,目前有机娃单体副产物 甲基二氯硅烷大大过剩,厂家出厂价为0,可W消耗市场难W消化的有机娃副产物;而甲基 =氯硅烷需求量大,价格在3000-6000元/吨波动。同时,生产每吨甲基=下酬朽基硅烷,消 耗甲基二氯硅烷383公斤,而同样生产每吨甲基=下酬朽基硅烷,消耗甲基=氯硅烷497公 斤,运样使用甲基二氯硅烷代替甲基=氯硅烷,价格低、消耗量少,可W大大降低原料成本。
[0021] 2、用甲基二氯硅烷代替甲基S氯硅烷,制备甲基S下酬朽基硅烷,副产物氯化氨 量少1/3;因为氯化氨被下酬目亏吸收成盐酸盐后,需要用氨气中和,因此,消耗氨的数量少 1/3 ;需要回收的下酬目亏数量少1/3,回收下酬目亏成本大大降低。因此,可W大大降低成本。
[0022] 3、因为生产中副产物氯化氨减少1/3,因此,中和后产生的氯化锭数量也减少 1/3,因为氯化锭价格低廉,回收成本高,因此,产生氯化锭数量减少,有利于降低成本,同时 减少污染物排放。
[0023] 常规的采用甲基=氯硅烷为原料制备甲基=下酬朽基硅烷的工艺原理为:
[0024]

【具体实施方式】
[0027] 下面通过具体实施例,对本发明的技术方案作进一步的具体说明。
[0028] 本发明中,若非特指,所采用的原料和设备等均可从市场购得或是本领域常用的。 下述实施例中的方法,如无特别说明,均为本领域的常规方法。
[002引 实施例:
[0030] 一种甲基=下酬目亏基硅烷的制备方法,所述的制备方法步骤如下:
[0031] (1)将下酬目亏、120号溶剂油(用量为甲基二氯硅烷的1-2倍重量)和催化剂加入 到反应蓋中,所述催化剂为无水氯化儀,按照甲基二氯硅烷的重量计,无水氯化儀的用量为 200-2000ppm,加热到50-60°C,揽拌条件下,向反应蓋中滴加甲基二氯硅烷,调节甲基二氯 硅烷的滴加速度,控制反应溫度在50-60°C,反应过程中持续通氮气保护,甲基二氯硅烷与 下酬朽的摩尔比1 :5-5. 25 ;
[0032] (2)滴加完毕后,保持反应溫度50-60°C,继续反应2-4小时,静置分层,上层产物 为甲基=下酬目亏基硅烷粗品,进入第一中和蓋(溫度控制在30-50°C),通入氨气进行中和, 然后过滤,分离出氯化锭后,得到甲基=下酬目亏基硅烷的半成品,将该半成品进入第一薄膜 蒸发器,蒸馈出120号溶剂油及过量的下酬目亏,得到甲基=下酬朽基硅烷产品;下层产物为 下酬朽盐酸盐,进入第二中和蓋(溫度控制在30-50°C),加入120号溶剂油(用量为步骤 (1)甲基二氯硅烷的2-3倍重量)揽拌混匀,通入氨气进行中和,然后过滤,分离出氯化锭 后,滤液进入第二薄膜蒸发器,蒸馈出120号溶剂油,得到下酬朽,下酬朽和120号溶剂油循 环利用。第一薄膜蒸发器溫度控制在100-120°C,真空度控制在-0. 098MpaW上。第二薄膜 蒸发器溫度控制在60-70°C,真空度控制在-0. 09MpaW上。
[003引具体实例1
[0034]在3000L的带揽拌、带循环水冷却的反应蓋中,投入1522kg下酬目亏、400kgl20#溶 剂油,0. 4kg的无水氯化儀,在揽拌的情况下,滴加甲基二氯硅烷400kg,调节滴加速度,控 制反应溫度55-60°C,滴加完成
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