聚硅氧烷共聚物以及含有其的抗静电剂和树脂组合物的制作方法
【专利摘要】本发明提供对于树脂能够赋予高抗静电性、具有可耐受在树脂中的熔融混炼时的高温的良好的耐热性、能够制造具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机硅树脂的聚硅氧烷共聚物。聚硅氧烷共聚物，其通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到。
【专利说明】
聚括氧烧共聚物从及含有其的抗静电剂和树脂组合物
技术领域
[0001] 本发明设及聚硅氧烷共聚物W及含有其的抗静电剂和配合了该抗静电剂的树脂 组合物。
【背景技术】
[0002] 报道了阳离子为具有=烷氧基甲娃烷基烷基的锭或鱗、阴离子为全氣烷基横酷基 亚胺的鐵盐能够用作氣树脂用的低分子型抗静电剂（参照专利文献1:日本特开2010- 248165号公报）。但是，本发明人将作为上述鐵盐的巧中的1-(3-=甲氧基甲娃烷基丙基)-1， 1，1-=下基鱗=双(=氣甲横酷基)亚胺用作聚碳酸醋树脂、丙締酸系树脂和有机娃树脂的 抗静电剂，结果可知虽然对于有机娃树脂能够赋予抗静电性能，但对于聚碳酸醋树脂和丙 締酸系树脂不能赋予实用的抗静电性能。进而，将抗静电剂在聚碳酸醋树脂中加热烙融进 行混炼的情况下，要求抗静电剂自身的耐热性。但是，对于锭型的鐵盐、包含其的聚硅氧烷 共聚物，不具有可耐受烙融混炼时的高溫那样的充分的耐热性。另外，对于有机娃树脂，可 知有机娃树脂的固化反应没有充分地进行，无法获得作为光学用粘合剂实用的强度特性的 有机娃树脂组合物(参照后述的比较例）。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本特开2010-248165号公报
【发明内容】
[0006] 发明要解决的课题
[0007] 因此，本发明的目的在于提供对于聚碳酸醋树脂、丙締酸系树脂和有机娃树脂能 够赋予高抗静电性、特别是作为抗静电剂在聚碳酸醋树脂中加热烙融进行混炼时的耐热性 优异、并且能够制造具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机娃树脂的聚硅氧烷共聚 物和含有该聚硅氧烷共聚物的抗静电剂。进而，另一目的在于提供配合了该抗静电剂的树 脂组合物。
[0008] 用于解决课题的手段
[0009] 本发明人为了解决上述目的进行了深入研究，结果发现通过将由式（1)表示的鐵 盐、由式(2)表示的=烷氧基硅烷、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而 得到的聚硅氧烷共聚物，同时发现将该聚硅氧烷共聚物作为抗静电剂在聚碳酸醋树脂、丙 締酸系树脂和有机娃树脂中使用，结果对于各种树脂能够赋予高抗静电性能。进而发现该 聚硅氧烷共聚物具有特别可耐受在聚碳酸醋树脂中的烙融混炼时的高溫的良好的耐热性。 还发现有机娃树脂的固化反应顺利地进行，可得到具有作为光学用粘合剂实用的强度特性 的有机娃树脂组合物，完成了本发明。
[0010] 目P，本发明提供下述的聚硅氧烷共聚物、其制造方法、抗静电剂、树脂组合物。
[0011] [1]聚硅氧烷共聚物，其通过将由式（1)表示的鐵盐、由式（2)表示的=烷氧基娃 烧、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到。
[0012]式（1):
[001引[化1]
[0014]
锐：
[001引试中，Q+表示氮阳离子或憐阳离子。R嗦示碳数1~3的烷基，R2~R4表示碳数1~8 的烷基。R2与R3可在末端相互结合而形成化咯烧环、赃晚环、邮晚环、憐杂环戊烧环、憐杂环 己烧环或憐杂苯环。不过，R2与R3在末端相互结合而形成化晚环或憐杂苯环的情况下，R 4不 存在。F表示阴离子。n为0~3的整数。）
[0016] 式(2):
[0017] [化2]
[001 引 R5-Si(0R6)3 (2)
[0019] 试中，R嗦示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、碳数7~10的芳烷基、或碳数2 ~8的締基，R6表示碳数1~3的烷基。）
[0020] 式（3):
[0021] [化3]
[0022]
微
[0023] (式中，护表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、或碳数7~10的芳烷基，R8表示 碳数1~3的烷基。）
[0024] [2][1]所述的聚硅氧烷共聚物，其中，在上述式(1)中，矿为憐阳离子。
[0025] [3][1]或[2]所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述式（1)中，X-为面素阴离子或含氣 阴离子。
[0026] [4] [3]所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述含氣阴离子为=氣甲横酸阴离子、双 (=氣甲横酷基)亚胺阴离子、四氣棚酸根阴离子或六氣憐酸根阴离子。
[0027] [5][1]~[4]的任一项所述的聚硅氧烷共聚物，其通过相对于由上述式（1)表示的 鐵盐1摩尔、使由上述式(2)表示的=烷氧基硅烷0.5~95摩尔和由上述式(3)表示的二烧氧 基硅烷0~49摩尔共聚而得到。
[0028] [6][1]~[4]的任一项所述的聚硅氧烷共聚物，其通过相对于由上述式（1)表示的 鐵盐1摩尔、使由上述式(2)表示的=烷氧基硅烷0.5~95摩尔和由上述式(3)表示的二烧氧 基硅烷4~49摩尔共聚而得到。
[0029] [7]抗静电剂，其含有[1]~[6]的任一项所述的聚硅氧烷共聚物。
[0030] [引树脂组合物，其含有[7]所述的抗静电剂。
[0031] [9][引所述的树脂组合物，其中，上述树脂组合物为聚碳酸醋树脂组合物、丙締酸 系树脂组合物或有机娃树脂组合物。
[0032] [10][1]~[6]的任一项所述的聚硅氧烷共聚物的制造方法，其特征在于，在盐酸 存在下使由上述式（1)表示的鐵盐、由上述式（2)表示的=烷氧基硅烷、和作为任选成分的 由上述式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚。
[0033] 发明的效果
[0034] 本发明的聚硅氧烷共聚物能够用作抗静电剂，通过将该抗静电剂用于聚碳酸醋树 月旨、丙締酸系树脂和有机娃树脂，能够制造具有高抗静电性能的树脂组合物，特别是在聚碳 酸醋树脂中的烙融混炼时所需的耐热性也优异，另外如果使用本发明的聚硅氧烷共聚物， 能够制造具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机娃树脂组合物。
【具体实施方式】
[0035] W下对本发明具体地说明。
[0036] 本发明设及的聚硅氧烷共聚物如上述那样，通过将由式（1)表示的鐵盐下称为 鐵盐（1))和由式（2)表示的=烷氧基硅烷下称为=烷氧基硅烷(2))和作为任选成分的 由式(3)表示的二烷氧基硅烷(W下称为二烷氧基硅烷(3))共聚而得到。
[0037] 式（1):
[003引[化 4]
[0039]
賴
[0040] (巧中，QT表不氮阳离于或稱阳离子。Ri表示碳数1~3的烷基，R2~R4表示碳数1~8 的烷基。R2与R3可W在末端相互结合而形成化咯烧环、赃晚环、化晚环、憐杂环戊烧环、憐杂 环己烧环或憐杂苯环。不过，R2与R3在末端相互结合而形成化晚环或憐杂苯环的情况下，R 4不存在。X-表示阴离子。n为0~3的整数。）
[0041] 式(2):
[0042] [化5]
[0043] R 己-Si(0R6)3 (2)
[0044] 试中，R嗦示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、碳数7~10的芳烷基、或碳数2 ~8的締基，R6表示碳数1~3的烷基。）
[0045] 式（3):
[0046] 「化61
[0047]
資)
[004引（式中，护表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、或碳数7~10的芳烷基，R8表示 碳数1~3的烷基。）
[0049] W下对上述成分进一步详述，本发明中使用的鐵盐（1)可W按照日本特开2010- 248165号公报中记载的方法制造。
[0050] 式（1)中，Q+表示氮阳离子或憐阳离子，优选憐阳离子。Ri为碳数1~3的烷基，具体 地，可列举甲基、乙基、丙基和异丙基，优选甲基和乙基，特别优选甲基。R2~R嗦示碳数1~8 的烷基，可W是直链状和分支链状的任一种，优选为直链状的烷基。具体地，例如可列举甲 基、乙基、丙基、下基、己基、辛基等，优选甲基、乙基、丙基和下基，特别优选下基。R2和R3可在 末端相互地结合而形成化咯烧环、赃晚环、化晚环、憐杂环戊烧环、憐杂环己烧环或憐杂苯 环。不过，R2与R3在末端相互结合而形成化晚环或憐杂苯环的情况下，R4不存在。)T表示阴离 子。作为r，可列举面素阴离子或含氣阴离子，作为面素阴离子，更优选氯阴离子、漠阴离 子、舰阴离子，更优选氯阴离子。作为含氣阴离子，优选=氣甲横酸阴离子、双(=氣甲横酷 基)亚胺阴离子、四氣棚酸根阴离子、六氣憐酸根阴离子，更优选双(=氣甲横酷基)亚胺阴 离子。
[0051]作为鐵盐（1)的具体例，可列举甲基-1-[(;甲氧基甲娃烷基）甲基]锭= 双(S氣甲横酷基)亚胺、甲基-1-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]锭二双(S氣甲横 酷基)亚胺、甲基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基)丙基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、 甲基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基）下基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、乙 基-1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、乙基-1-[2-(S甲 氧基甲娃烷基）乙基]锭二双(=氣甲横酷基）亚胺、乙基-1-[3-(=甲氧基甲硅烷 基)丙基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、乙基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]锭 =双(；氣甲横酷基)亚胺、下基-1-[(;甲氧基甲娃烷基）甲基]锭二双(；氣甲横 酷基)亚胺、下基-1-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、 下基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基）丙基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、下 基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、己基-1-[(S甲 氧基甲娃烷基）甲基]锭二双(=氣甲横酷基）亚胺、己基-1-[2-(=甲氧基甲硅烷 基）乙基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、己基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基）丙基]锭 =双(S氣甲横酷基)亚胺、己基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]锭二双(S氣甲 横酷基）亚胺、辛基-1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、 辛基-1-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、辛 基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基)丙基]锭二双(S氣甲横酷基)亚胺、1，1，1-S辛基-1-[4-(S 甲氧基甲娃烷基)下基]锭二双(=氣甲横酷基)亚胺、
[0化2] 甲基-1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]鱗二双(S氣甲横酷基）亚胺、1，1， 1-;甲基-1-[2-(;甲氧基甲娃烷基）乙基]鱗二双(；氣甲横酷基)亚胺、甲基-1- [3-(S甲氧基甲娃烷基）丙基]鱗二双(S氣甲横酷基)亚胺、甲基-1-[4-(S甲氧 基甲娃烷基灯基]鱗二双(S氣甲横酷基)亚胺、乙基-1-[(;甲氧基甲娃烷基）甲 基]鱗二双(S氣甲横酷基）亚胺、乙基-1-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]鱗二双 (S氣甲横酷基)亚胺、乙基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基)丙基]鱗二双(S氣甲横酷 基)亚胺、乙基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基）下基]鱗二双(S氣甲横酷基）亚胺、1， 1，1-^下基-1-[(^甲氧基甲娃烷基）甲基]鱗=双(^氣甲横酷基)亚胺、1，1，1-^下基-1- [2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]鱗二双(S氣甲横酷基)亚胺、下基-1-[3-(S甲氧 基甲娃烷基)丙基]鱗二双(S氣甲横酷基)亚胺、下基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基） 下基]鱗二双(=氣甲横酷基）亚胺、己基-1-[(=甲氧基甲娃烷基）甲基]鱗二双 (S氣甲横酷基)亚胺、己基-1-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]鱗二双(S氣甲横酷 基)亚胺、己基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基）丙基]鱗二双(S氣甲横酷基）亚胺、1， 1，1-S己基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)T基]鱗二双(S氣甲横酷基)亚胺、辛基- 1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]鱗二双(S氣甲横酷基)亚胺、辛基-1-[2-(S甲氧 基甲娃烷基）乙基]鱗二双(S氣甲横酷基)亚胺、辛基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基） 丙基]鱗二双(S氣甲横酷基)亚胺、辛基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]鱗二双 (=氣甲横酷基)亚胺、
[0053] 1-甲基-1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]化咯烧鐵二双(S氣甲横酷基）亚胺、1-乙 基-1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]邮咯烧鐵二双(S氣甲横酷基)亚胺、1-丙基-1-[(S甲氧 基甲娃烷基）甲基]邮咯烧鐵二双(S氣甲横酷基)亚胺、1-下基-1-[(;甲氧基甲娃烷基）甲 基]邮咯烧鐵二双(二氣甲横酷基)亚胺、1-己基-1-[(二甲氧基甲娃烷基）甲基]邮咯烧鐵= 双(S氣甲横酷基)亚胺、1-辛基-1-[(s甲氧基甲娃烷基）甲基]邮咯烧鐵二双(S氣甲横酷 基)亚胺、1-甲基-1-[2-(;甲氧基甲娃烷基）乙基]邮咯烧鐵二双(S氣甲横酷基)亚胺、1- 乙基-1-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]化咯烧鐵二双(S氣甲横酷基)亚胺、1-丙基-1-[2- (S甲氧基甲娃烷基）乙基]邮咯烧鐵二双(S氣甲横酷基)亚胺、1-下基-1-[2-(S甲氧基甲 娃烷基）乙基]化咯烧鐵二双(S氣甲横酷基）亚胺、1-己基-1-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙 基]邮咯烧鐵二双(二氣甲横酷基)亚胺、1-辛基-1-[ 2-(二甲氧基甲娃烷基）乙基]邮咯烧鐵 =双(S氣甲横酷基)亚胺、1-甲基-1-[3-(;甲氧基甲娃烷基)丙基]化咯烧鐵二双(S氣甲 横酷基）亚胺、1-乙基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基）丙基]化咯烧鐵二双氣甲横酷基）亚 胺、1-丙基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基）丙基]化咯烧鐵二双(S氣甲横酷基)亚胺、1-下基- 1-[3-(=甲氧基甲娃烷基）丙基]化咯烧鐵二双(=氣甲横酷基）亚胺、1-己基-1-[3-(=甲 氧基甲娃烷基）丙基]化咯烧鐵二双(S氣甲横酷基）亚胺、1-辛基-1-[3-(S甲氧基甲硅烷 基）丙基M咯烧鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、1-甲基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基M 咯烧鐵=双(二氣甲横酷基）亚胺、1-乙基-1- [ 4-(二甲氧基甲娃烷基）下基]化咯烧鐵二双 (S氣甲横酷基)亚胺、1-丙基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]邮咯烧鐵二双(S氣甲横酷 基)亚胺、1-下基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基）下基]化咯烧鐵二双(S氣甲横酷基)亚胺、1- 己基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基）下基]化咯烧鐵二双(S氣甲横酷基)亚胺、1-辛基-1-[4- (=甲氧基甲娃烷基)下基]化咯烧鐵二双(=氣甲横酷基)亚胺、
[0054] 1-甲基-1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、1-乙基- 1-[(=甲氧基甲娃烷基）甲基]赃晚鐵=双(=氣甲横酷基）亚胺、1-丙基-1-[(=甲氧基甲 娃烷基）甲基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、1-下基-1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]赃 晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、1-己基-1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]赃晚鐵=双(S氣甲 横酷基）亚胺、1-辛基-1-[(=甲氧基甲娃烷基）甲基]赃晚鐵=双(=氣甲横酷基)亚胺、1- 甲基-1-[2-(;甲氧基甲娃烷基）乙基]赃晚鐵=双(；氣甲横酷基)亚胺、1-乙基-1-[2-(S 甲氧基甲娃烷基）乙基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、1-丙基-1-[2-(S甲氧基甲硅烷 基）乙基]赃晚鐵=双(=氣甲横酷基)亚胺、1-下基-1-[2-(=甲氧基甲娃烷基）乙基]赃晚 鐵二双(=氣甲横酷基）亚胺、1-己基-1-[2-(=甲氧基甲娃烷基）乙基]赃晚鐵=双(=氣甲 横酷基）亚胺、1-辛基-1-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、 1-甲基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基)丙基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、1-乙基-1-[3- (=甲氧基甲娃烷基)丙基]赃晚鐵=双(=氣甲横酷基)亚胺、1-丙基-1-[3-( =甲氧基甲娃 烷基)丙基]赃晚鐵=双(二氣甲横酷基)亚胺、1 -下基-1 - [3-(二甲氧基甲娃烷基)丙基]赃 晚鐵=双(=氣甲横酷基)亚胺、1-己基-1-[3-(=甲氧基甲娃烷基)丙基]赃晚鐵=双(=氣 甲横酷基）亚胺、1-辛基-1-[3-(S甲氧基甲娃烷基）丙基]赃晚鐵=双氣甲横酷基）亚 胺、1-甲基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、1-乙基-1- [4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、1-丙基-1-[4-(S甲氧基 甲娃烷基）下基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、1-下基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基）下 基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、1-己基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]赃晚鐵=双 (S氣甲横酷基）亚胺、1-辛基-1-[4-(S甲氧基甲娃烷基）下基]赃晚鐵=双(S氣甲横酷 基)亚胺、
[00对 1-[(;甲氧基甲娃烷基）甲基]化晚鐵=双(；氣甲横酷基)亚胺、甲氧基 甲娃烷基）乙基]邮晚鐵=双(二氣甲横酷基)亚胺、1-[3-(二甲氧基甲娃烷基)丙基]邮晚鐵 =双(S氣甲横酷基)亚胺、1-[4-(;甲氧基甲娃烷基灯基]邮晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚 胺、1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]-2-甲基化晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、l-[2-(S甲氧 基甲娃烷基）乙基]-2-甲基化晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、l-[3-(S甲氧基甲娃烷基)丙 基]-2-甲基化晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、l-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]-2-甲基化 晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲基]-3-甲基化晚鐵=双(S氣甲 横酷基）亚胺、l-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]-3-甲基化晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、 l-[3-(S甲氧基甲娃烷基）丙基]-3-甲基化晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、l-[4-(S甲氧 基甲娃烷基）下基]-3-甲基化晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、1-[(S甲氧基甲娃烷基）甲 基]-4-甲基化晚鐵=双(S氣甲横酷基）亚胺、l-[2-(S甲氧基甲娃烷基）乙基]-4-甲基化 晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺、l-[3-(S甲氧基甲娃烷基)丙基]-4-甲基化晚鐵=双(S氣 甲横酷基)亚胺、l-[4-(S甲氧基甲娃烷基)下基]-4-甲基化晚鐵=双(S氣甲横酷基)亚胺 等。
[0056] 本发明中使用的鐵盐（1)能够按照日本特开2010-248165号公报中记载的方法制 造。在下述的反应式1中对其代表性的方法进行说明。应予说明，该反应式中，ri、r2、r3、r 4、 Q、X和n与上述相同，Z表示面素原子，M表示碱金属。
[0057] [化7]
[i
[0059]使由式(4)表示的胺类下称为胺类(4a)。）或麟类下称为麟类(4b)。）与由式 (5)表示的烷基面类下称为烷基面类巧）。）进行季化反应，制造由式(6)表示的鐵=面化 物下称为鐵=面化物类(6)。）。^为面素阴离子的情况下，能够将鐵=面化物类(6)作为 鐵盐（1)使用。
[0060] 接下来，通过鐵二面化物类(6)与由式(7)表示的烷基金属盐的离子交换反应，能 够制造鐵盐（1)。
[0061] 作为胺类(4a)，可列举=甲胺、=乙胺、=丙胺、=下胺、=戊胺、=己胺、=庚胺、 S辛胺、
[0062] 1-甲基化咯烧、1-甲基赃晚、1-乙基化咯烧、1-乙基赃晚、1-丙基化咯烧、1-丙基赃 晚、1-异丙基化咯烧、1-异丙基赃晚、1-下基化咯烧、1-下基赃晚、1-戊基化咯烧、1-戊基赃 晚、1-己基化咯烧、1-己基赃晚、1-甲基-2-甲基化咯烧、1-甲基-2-甲基赃晚、1-甲基-3-甲 基化咯烧、1-甲基-3-甲基赃晚、1-甲基-4-甲基赃晚、1-甲基-2-乙基化咯烧、1-甲基-2-丙 基化咯烧、1-甲基-2-异丙基化咯烧、1-甲基-2-下基化咯烧、1-甲基-2-异下基化咯烧、1-甲 基-2-仲-下基化咯烧、1-甲基-2-叔-下基化咯烧、
[0063] 化晚、2-甲基化晚、3-甲基化晚、4-甲基化晚、2-乙基化晚、3-乙基化晚、4-乙基化 晚、2-丙基化晚、3-丙基化晚、4-丙基化晚、2-丙基化晚、3-丙基化晚、4-丙基化晚、2-异丙基 化晚、3-异丙基R比晚、4-异丙基R比晚、2-下基R比晚、3-下基R比晚、4-下基R比晚、2-异下基[I比晚、 3-异下基化晚、4-异下基化晚、2-仲-下基化晚、3-仲-下基化晚、4-仲-下基化晚、2-叔-下基 化晚、3-叔-下基化晚、4-叔-下基化晚等。
[0064] 作为麟类(4b)，可列举=甲基麟、立乙基麟、=丙基麟、立下基麟、=戊基麟、立己 基麟、=庚基麟、立辛基麟、
[00化]1-甲基憐杂环戊烧、1-甲基憐杂环己烧、1-乙基憐杂环戊烧、1-乙基憐杂环己烧、 1- 丙基憐杂环戊烧、1-丙基憐杂环己烧、1-异丙基憐杂环戊烧、1-异丙基憐杂环己烧、1-下 基憐杂环戊烧、1-下基憐杂环己烧、1-戊基憐杂环戊烧、1-戊基憐杂环己烧、1-己基憐杂环 戊烧、1-己基憐杂环己烧、1-甲基-2-甲基憐杂环戊烧、1-甲基-2-甲基憐杂环己烧、1-甲基- 3-甲基憐杂环戊烧、1-甲基-3-甲基憐杂环己烧、1-甲基-4-甲基憐杂环己烧、1-甲基-2-乙 基憐杂环戊烧、1-甲基-2-丙基憐杂环戊烧、1-甲基-2-异丙基憐杂环戊烧、1-甲基-2-下基 憐杂环戊烧、1-甲基-2-异下基憐杂环戊烧、1-甲基-2-仲-下基憐杂环戊烧、1-甲基-2-叔- 下基憐杂环戊烧、
[0066] 憐杂苯、2-甲基憐杂苯、3-甲基憐杂苯、4-甲基憐杂苯、2-乙基憐杂苯、3-乙基憐杂 苯、4-乙基憐杂苯、2-丙基憐杂苯、3-丙基憐杂苯、4-丙基憐杂苯、2-丙基憐杂苯、3-丙基憐 杂苯、4-丙基憐杂苯、2-异丙基憐杂苯、3-异丙基憐杂苯、4-异丙基憐杂苯、2-下基憐杂苯、 3-下基憐杂苯、4-下基憐杂苯、2-异下基憐杂苯、3-异下基憐杂苯、4-异下基憐杂苯、2-仲- 下基憐杂苯、3-仲-下基憐杂苯、4-仲-下基憐杂苯、2-叔-下基憐杂苯、3-叔-下基憐杂苯、4- 叔-下基憐杂苯等。
[0067] 作为烷基面类(5)，例如可列举氯甲基S甲氧基硅烷、2-氯乙基S甲氧基硅烷、3- 氯丙基=甲氧基硅烷、4-氯下基=甲氧基硅烷、氯甲基=乙氧基硅烷、2-氯乙基=乙氧基娃 烧、3-氯丙基二乙氧基硅烷、4-氯了基二乙氧基硅烷、氯甲基二丙氧基硅烷、2-氯乙基二丙 氧基硅烷、3-氯丙基二丙氧基硅烷、4-氯了基二丙氧基硅烷、氯甲基二了氧基硅烷、2-氯乙 基二下氧基硅烷、3-氯丙基二下氧基硅烷、4-氯下基二下氧基硅烷、漠甲基二甲氧基硅烷、 2- 漠乙基二甲氧基硅烷、3-漠丙基二甲氧基硅烷、4-漠下基二甲氧基硅烷、漠甲基二乙氧基 硅烷、2-漠乙基=乙氧基硅烷、3-漠丙基=乙氧基硅烷、4-漠下基=乙氧基硅烷、漠甲基= 丙氧基硅烷、2-漠乙基二丙氧基硅烷、3-漠丙基二丙氧基硅烷、4-漠下基二丙氧基硅烷、漠 甲基=下氧基硅烷、2-漠乙基=下氧基硅烷、3-漠丙基=下氧基硅烷、4-漠下基=下氧基娃 烧、舰甲基二甲氧基硅烷、2-舰乙基二甲氧基硅烷、3-舰丙基二甲氧基硅烷、4-舰了基二甲 氧基硅烷、舰甲基=乙氧基硅烷、2-舰乙基=乙氧基硅烷、3-舰丙基=乙氧基硅烷、4-舰下 基二乙氧基硅烷、舰甲基二丙氧基硅烷、2-舰乙基二丙氧基硅烷、3-舰丙基二丙氧基硅烷、 4-舰下基二丙氧基硅烷、舰甲基二下氧基硅烷、2-舰乙基二下氧基硅烷、3-舰丙基二下氧基 硅烷、4-舰了基二了氧基硅烷等。
[0068] 由式(4)表示的胺类或麟类与烷基面类(5)的季化反应可使用溶剂也可不使用溶 剂。作为使用溶剂时的溶剂，可列举甲醇、乙醇、2-丙醇等醇类、乙腊、醋酸乙醋、四氨巧喃、 二甲基甲酯胺等。
[0069] 烷基面类(5)的使用量，相对于由式(4)表示的胺类或麟类1摩尔，可为0.7摩尔W 上，优选为0.9~1.5摩尔。
[0070] 作为碱金属盐(7)，可列举双(=氣甲横酷基）亚胺裡、双(=氣甲横酷基）亚胺钢、 双氣甲横酷基）亚胺钟、四氣棚酸裡、四氣棚酸钢、四氣棚酸钟、六氣憐酸裡、六氣憐酸 钢、六氣憐酸钟等含氣阴离子的碱金属盐。
[0071] 作为形成阴离子的抗衡阳离子的碱金属，可列举裡、钢、钟。
[0072] 离子交换反应中的碱金属盐(5)的使用量，相对于鐵=面化物类(6)1摩尔，通常为 0.8摩尔W上，优选为0.9~1.2摩尔，更优选为1~1.05摩尔。
[0073] 离子交换反应通常在溶剂中进行。作为溶剂，可列举丙酬、甲基乙基酬等酬类、甲 醇、乙醇、2-丙醇等醇类、乙腊、醋酸乙醋、四氨巧喃、二甲基甲酯胺等。对使用量并无特别限 审IJ，相对于鐵二面化物类(6)1质量份，通常为10质量份W下，优选为1~10质量份，特别优选 为2~6质量份。
[0074] 对鐵=面化物类(6)、碱金属盐(5)和溶剂的混合顺序并无特别限定，可在将鐵= 面化物类(6)和溶剂混合后添加碱金属盐(5)，也可在将碱金属盐(5)和溶剂混合后添加鐵 =面化物类(6)。
[0075] 离子交换反应中的反应溫度通常为10°CW上，优选为10~60°C，特别优选为10~ 30 °C。
[0076] 从反应结束后的反应液将鐵盐（1)分离时，将溶剂及生成的无机盐从反应液中除 去。如果在得到的反应液中无机盐析出，则将反应液过滤，将析出的无机盐除去，接下来，将 浓缩、过滤、抽出等的单元操作适当地组合，将鐵盐（1)分离。另外，在得到的反应液中无机 盐没有析出的情况下，将反应液浓缩而使无机盐析出，通过过滤将无机盐除去后，将浓缩、 过滤、抽出等的单元操作适当组合，将鐵盐(1)分离。
[0077] 式(2)中，R5表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、碳数7~10的芳烷基、或碳 数2~8的締基。作为R5,具体地，可列举甲基、乙基、丙基、下基、戊基、己基、庚基、辛基、壬 基、癸基、苯基、糞基、苄基、乙締基、締丙基、下締基、己締基、辛締基等，优选甲基、苯基和乙 締基，特别优选甲基和乙締基。R6表示碳数1~3的烷基，具体地，可列举甲基、乙基、丙基等， 优选甲基和乙基，特别优选甲基。
[0078] 作为=烷氧基硅烷（2)的具体例，可列举甲基=甲氧基硅烷、乙基=甲氧基硅烷、 丙基二甲氧基硅烷、下基二甲氧基硅烷、戊基二甲氧基硅烷、己基二甲氧基硅烷、庚基二甲 氧基硅烷、辛基=甲氧基硅烷、壬基=甲氧基硅烷、癸基=甲氧基硅烷、苯基=甲氧基硅烷、 糞基=甲氧基硅烷、苄基=甲氧基硅烷、乙締基=甲氧基硅烷、締丙基=甲氧基硅烷、下締 基二甲氧基硅烷、己締基二甲氧基硅烷、辛締基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、乙基二 乙氧基硅烷、丙基二乙氧基硅烷、了基二乙氧基硅烷、戊基二乙氧基硅烷、己基二乙氧基娃 烧、庚基=乙氧基硅烷、辛基=乙氧基硅烷、壬基=乙氧基硅烷、癸基=乙氧基硅烷、苯基= 乙氧基硅烷、糞基=乙氧基硅烷、苄基=乙氧基硅烷、乙締基=乙氧基硅烷、締丙基=乙氧 基硅烷、下締基=乙氧基硅烷、己締基=乙氧基硅烷、辛締基=乙氧基硅烷、甲基=丙氧基 硅烷、乙基二丙氧基硅烷、丙基二丙氧基硅烷、了基二丙氧基硅烷、戊基二丙氧基硅烷、己基 =丙氧基硅烷、庚基=丙氧基硅烷、辛基=丙氧基硅烷、壬基=丙氧基硅烷、癸基=丙氧基 硅烷、苯基=丙氧基硅烷、糞基=丙氧基硅烷、苄基=丙氧基硅烷、乙締基=丙氧基硅烷、締 丙基=丙氧基硅烷、下締基=丙氧基硅烷、己締基=丙氧基硅烷、辛締基=丙氧基硅烷等， 优选甲基二甲氧基硅烷、乙締基二甲氧基硅烷。
[0079] S烷氧基硅烷(2)可使用市售品，也可使用采用公知的制造方法制造的产物。
[0080] 式(3)中，R7表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、或碳数7~10的芳烷基。R7可 W相同或不同，作为R7,具体地，可列举甲基、乙基、丙基、下基、戊基、己基、庚基、辛基、壬 基、癸基、苯基、糞基、苄基等，优选甲基和苯基，特别优选甲基。R8表示碳数1~3的烷基，具 体地，可列举甲基、乙基、丙基等，优选甲基和乙基，特别优选甲基。
[0081] 作为二烷氧基硅烷(3)的具体例，可列举二甲基二甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基娃 烧、二丙基二甲氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、甲基丙基二甲氧基硅烷、甲基下基二甲 氧基硅烷、甲基戊基二甲氧基硅烷、甲基己基二甲氧基硅烷、甲基庚基二甲氧基硅烷、甲基 辛基二甲氧基硅烷、甲基壬基二甲氧基硅烷、甲基癸基二甲氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基娃 烧、甲基糞基二甲氧基硅烷、甲基苄基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二乙氧 基硅烷、二丙基二乙氧基硅烷、甲基乙基二乙氧基硅烷、甲基丙基二乙氧基硅烷、甲基下基 二乙氧基硅烷、甲基戊基二乙氧基硅烷、甲基己基二乙氧基硅烷、甲基庚基二乙氧基硅烷、 甲基辛基二乙氧基硅烷、甲基壬基二乙氧基硅烷、甲基癸基二乙氧基硅烷、甲基苯基二乙氧 基硅烷、甲基糞基二乙氧基硅烷、甲基苄基二乙氧基硅烷、二甲基二丙氧基硅烷、二乙基二 丙氧基硅烷、二丙基二丙氧基硅烷、甲基乙基二丙氧基硅烷、甲基丙基二丙氧基硅烷、甲基 下基二丙氧基硅烷、甲基戊基二丙氧基硅烷、甲基己基二丙氧基硅烷、甲基庚基二丙氧基娃 烧、甲基辛基二丙氧基硅烷、甲基壬基二丙氧基硅烷、甲基癸基二丙氧基硅烷、甲基苯基二 丙氧基硅烷、甲基糞基二丙氧基硅烷、甲基苄基二丙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯 基二乙氧基硅烷、二苯基二丙氧基硅烷等，优选二甲基二甲氧基硅烷。
[0082] 二烷氧基硅烷(3)可使用市售品，也可使用采用公知的制造方法制造的产物。
[0083] 鐵盐(1)和=烷氧基硅烷(2)和作为任选成分的二烷氧基硅烷(3)的共聚，通常，在 鐵盐（1)和=烷氧基硅烷(2)和作为任选成分的二烷氧基硅烷(3)的混合物中，在使用了鐵 盐（1)、=烷氧基硅烷(2)和作为任选成分的二烷氧基硅烷(3)的情况下加入将二烷氧基娃 烧(3)的全部溶解的有机溶剂(例如甲醇、乙醇、异丙醇、丙酬等)而制成溶液后，在该溶液中 滴入成为水解反应的催化剂的酸（W下称为酸(8)。）或碱（W下称为碱(9)。）和水而进行。酸 (8)或碱(9)可W用水溶液滴入。鐵盐（1)和=烷氧基硅烷(2)和作为任选成分的二烷氧基娃 烧(3)的化学计量比，优选地，相对于鐵盐（1) 1摩尔，为=烷氧基硅烷(2)0.5~95摩尔、二烧 氧基硅烷(3)0~49摩尔，更优选地，相对于鐵盐（1)1摩尔，为二烷氧基硅烷(2)0.5~10摩 尔、^烷氧基硅烷(3)4~16摩尔，最优选地，相对于鐵盐（1)1摩尔，为二烷氧基硅烷(2)0.5 ~4摩尔、二烷氧基硅烷(3)4~8摩尔。如果S烷氧基硅烷(2)的化学计量比不到上述范围， 有时得到的聚硅氧烷共聚物的耐热性受损，另一方面，=烷氧基硅烷(2)的化学计量比比上 述范围大的情况下，该聚硅氧烷共聚物的表面迁移性降低，使用该聚硅氧烷共聚物作为抗 静电剂的情况下有可能良好的抗静电性没有显现。二烷氧基硅烷(3)的化学计量比比上述 范围大的情况下，有可能得到的聚硅氧烷共聚物的耐热性降低。另外，作为其他的任选成 分，可在不损害抗静电性和耐热性显现的效果的范围内将单烷氧基硅烷、四烷氧基硅烷混 合而共聚。作为单烷氧基硅烷的具体例，可列举=甲基甲氧基硅烷、乙締基二甲基甲氧基娃 烧、二甲基乙氧基硅烷、乙締基^甲基乙氧基硅烷、二甲基丙氧基硅烷、乙締基^甲基丙氧 基硅烷等，作为四烷氧基硅烷的具体例，可列举四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基娃 烧等。
[0084] 将鐵盐（1)和=烷氧基硅烷(2)和作为任选成分的二烷氧基硅烷(3)溶解的有机溶 剂的使用量并无特别限制，通常，相对于鐵盐(1)1质量份，通常为20质量份W下，优选为0.5 ~10质量份，特别优选为1~5质量份。
[0085] 作为酸(8)，例如可列举盐酸、硫酸、硝酸、醋酸、对甲苯横酸一水合物等，特别优选 盐酸。酸(8)的使用量通常相对于鐵盐(1)1摩尔，为0.001~1摩尔，优选为0.01~0.2摩尔。
[0086] 作为碱(9)，例如可列举氨氧化钢、氨氧化钟、氨氧化裡等。碱(9)的使用量通常相 对于鐵盐(1) 1摩尔，为0.001~1摩尔，优选为0.01~0.2摩尔。
[0087] 用于共聚的水的使用量通常相对于鐵盐(1)1摩尔，为4~49摩尔。
[0088] 对鐵盐（1)和=烷氧基硅烷(2)和作为任选成分的二烷氧基硅烷(3)的共聚的反应 溫度并无特别限制，通常为10~80°C，优选为20~40°C。作为反应时间，通常为3小时W上， 优选为3~72小时。
[0089] 聚硅氧烷共聚物通过将采用上述反应得到的反应混合物浓缩而得到，得到的聚娃 氧烧共聚物根据需要可用不混合的有机溶剂(己烧、庚烧、苯、甲苯等)洗涂。
[0090] 对反应混合物的浓缩溫度并无特别限制，通常为10~120°C，优选为60~80°C。
[0091] 运样得到的聚硅氧烷共聚物通过在树脂中混炼，能够对树脂赋予抗静电性能。作 为上述树脂，例如可列举聚碳酸醋树脂、丙締酸系树脂和有机娃树脂。因此，本发明也提供 对于树脂赋予抗静电性能的方法，其包含将上述聚硅氧烷共聚物添加(例如，混炼)到树脂 中的工序。进而，本发明也提供上述聚硅氧烷共聚物的作为抗静电剂的、特别是用于对于树 脂赋予抗静电性能的使用。
[0092] 另外，将聚硅氧烷共聚物在树脂中混炼时，可加热烙融而混炼，也可采用与适当的 溶剂(例如，二氯甲烧、醋酸乙醋、甲苯等)混合而制备溶液后，涂布该溶液，将溶剂除去等方 法，将树脂成型。光固化性的树脂的情况下，将包含聚硅氧烷共聚物的树脂或其溶液涂布 后，可通过紫外线照射使该涂布面固化。
[0093] 关于聚硅氧烷共聚物相对于树脂的添加量，并无特别限制，优选地，相对于树脂1 质量份，为0.01~1质量％，特别优选地，为0.05~0.5质量％。
[0094] 实施例
[00M]接下来，基于实施例对本发明具体地说明，但本发明并不受运些实施例任何限定。
[0096] 实施例中，表面电阻率使用S菱化学株式会社制レス夕一UP(MCP-HT450)、在 23 ± 3 °C、湿度45 ±5%的条件下测定。
[0097] 另外，关于耐热性评价，使用电^ 3 - Xrシスy瓜株式会社制TG/DTA220，在氮气 氛下、10°C/分的升溫条件下测定的TG-DTA的测定结果中，将5%质量减少时的溫度设为分 解溫度。分解溫度为300°CW上的情况下，设为具有可在聚碳酸醋树脂中烙融混炼的耐热 性，评价为"A"，分解溫度不到30(TC的情况下，设为耐热性不充分，评价为。
[009引[制造例1]
[0099] 在具备揽拌装置的500mL的玻璃反应器中，在氮气氛下装入二甲基二甲氧基硅烷 130.3邑（1.1摩尔）、甲基^甲氧基硅烷42.20邑(0.31摩尔）、异丙醇136.3邑和采用日本特开 2010-248165号公报中记载的方法制造的1-(3-二甲氧基甲娃烷基丙基)-1，1，1-二了基鱗 =双(=氣甲横酷基)亚胺100.〇g(〇. 15摩尔）。对于得到的混合物，在室溫下滴入0.1当量盐 酸30.OOg后，进一步在室溫下揽拌16小时，将得到的反应混合物用旋转蒸发器在80°C下浓 缩4小时。将得到的浓缩残渣用正己烧272.5g进行分液清洗2次，进而使用旋转蒸发器在80 °C下浓缩5小时，从而得到了白色悬浊液体的聚硅氧烷共聚物A120.2g。
[0100] [制造例2]
[0101] 除了代替甲基S甲氧基硅烷而使用了 45.90g(0.31摩尔）的乙締基S甲氧基硅烷 W外，与制造例1同样地得到了白色悬浊液体的聚硅氧烷共聚物B123.10g。
[010。[制造例引
[0103] 在具备揽拌装置的500mL的玻璃反应器中，在氮气氛下装入甲基S甲氧基硅烷 190.0g(l. 40摩尔）、异丙醇145. Og和采用日本特开2010-248165号公报中记载的方法制造 的l-(3-S甲氧基甲娃烷基丙基下基鱗=双(S氣甲横酷基）亚胺100.0g(0.15 摩尔）。对于得到的混合物，在室溫下滴入0.1当量盐酸39.20g后，进而在室溫下揽拌16小 时，将得到的反应混合物用旋转蒸发器在80°C下浓缩4小时。用正己烧290.Og对得到的浓缩 残渣进行分液清洗2次，进而使用旋转蒸发器，在80°C下浓缩5小时，从而得到了白色悬浊液 体的聚硅氧烷共聚物C139.2g。
[0104] [比较制造例U
[0105] 在具备揽拌装置的500mL的玻璃反应器中，在氮气氛下装入二甲基二甲氧基硅烷 171.3g( 1.4摩尔）、异丙醇135.7g和N-{ (3-二乙氧基甲娃烷基丙基)氨基甲酯氧基乙基}-N， N，N-^甲基锭=双(立氣甲横酷基）亚胺100.0g(0.16摩尔）。对于得到的混合物，在室溫下 滴入0.1当量盐酸28. OOg后，进而在室溫下揽拌16小时，将得到的反应混合物用旋转蒸发器 在80°C下浓缩4小时。用正己烧271.3g对得到的浓缩残渣进行分液清洗2次，进而使用旋转 蒸发器，在80°C下浓缩5小时，从而得到了淡黄色透明液体的聚硅氧烷共聚物D127.1g。
[0106] [实施例1]
[0107] 在50mL的样品瓶中放入聚碳酸醋树脂（住友歹。株式会社制造、力1；八一（注册商 标)200-13NAT)3.2g和二氯甲烧20mL，使聚碳酸醋树脂溶解，制备聚碳酸醋树脂的二氯甲烧 溶液。在该溶液中作为抗静电剂添加制造例1中得到的聚硅氧烷共聚物A3.2mg，溶解完成后 诱铸到模具(纵12cmX横20cmX深2cm)中，在室溫下干燥1小时，在40°C下干燥1小时，制作 聚碳酸醋树脂组合物的试验片(膜厚〇.1±〇.02mm)。将得到的试验片的表面电阻率的测定 结果示于表1中。
[010引[实施例2]
[0109] 除了使用了 16mg聚硅氧烷共聚物AW外，与实施例1同样地制作聚碳酸醋树脂组合 物的试验片，测定其表面电阻率。将其结果示于表1。
[0110] [实施例3]
[0111] 除了使用了 32mg聚硅氧烷共聚物AW外，与实施例1同样地制作聚碳酸醋树脂组合 物的试验片，测定其表面电阻率。将其结果示于表1中。
[0112] [实施例4]
[0113] 除了使用了3.2mg制造例2中得到的聚硅氧烷共聚物BW外，与实施例1同样地制作 聚碳酸醋树脂组合物的试验片，测定其表面电阻率。将其结果示于表1。
[0114] [实施例5]
[0115] 除了使用了 16mg聚硅氧烷共聚物BW外，与实施例1同样地制作聚碳酸醋树脂组合 物的试验片，测定其表面电阻率。将其结果示于表1。
[0116] [实施例6]
[0117] 除了使用了 32mg聚硅氧烷共聚物BW外，与实施例1同样地制作聚碳酸醋树脂组合 物的试验片，测定其表面电阻率。将其结果示于表1。
[011引[实施例7]
[0119] 除了使用了32mg制造例3中得到的聚硅氧烷共聚物CW外，与实施例1同样地制作 聚碳酸醋树脂组合物的试验片，测定其表面电阻率。将其结果示于表1中。
[0120] [比较例1]
[0121] 除了没有添加聚硅氧烷共聚物A、B或CW外，与实施例1同样地制作聚碳酸醋树脂 组合物的试验片，测定其的表面电阻率。将其结果示于表1。
[0122] [比较例2]
[0123] 除了代替聚硅氧烷共聚物A、B或C而使用了 l-(3-S甲氧基甲娃烷基丙基)-1,1,1- =下基鱗=双(=氣甲横酷基）亚胺W外，与实施例1同样地制作聚碳酸醋树脂组合物的试 验片，测定其的表面电阻率。将其结果示于表1中。
[0124] [比较例3]
[0125] 除了代替聚硅氧烷共聚物A、B或C而使用了比较制造例1中得到的聚硅氧烷共聚物 DW外，与实施例1同样地制作聚碳酸醋树脂组合物的试验片，测定其表面电阻率。将其结果 示于表1中。
[0126] [表 1]
[0127]
[012引[实施例引
[0129] 将二季戊四醇六丙締酸醋(A-DPH:新中村化学工业株式会社制造)0.50g、季戊四 醇S丙締酸醋(A-TMN-3LM-N:新中村化学工业株式会社制造）1.50g、S径甲基丙烷S丙締 酸醋(A-TMPT:新中村化学工业株式会社制造)0.50g、作为抗静电剂的制造例1中得到的聚 硅氧烷共聚物A0.54g、异丙醇1.75g、胶体二氧化娃的IPA分散液（IPA-ST:二氧化娃固形分 30质量％、日产化学工业株式会社制造)3.60g和作为光聚合引发剂的2-径基-2-甲基苯丙 酬〇.15g混合。使用刮条涂布机将得到的混合物涂布到厚100M1的聚对苯二甲酸乙二醇醋膜 的单面W使干燥膜厚成为约扣m后，在累积光量约400mJ/cm2的条件下对涂膜侧照射高压水 银UV灯（120W/cm2)的紫外线，使涂膜固化，从而制作用丙締酸系树脂形成了硬涂层的试验 片。将得到的试验片的硬涂层面的表面电阻率的测定结果示于表2。
[0130] [实施例9]
[0131] 除了使用了0.5?制造例2中得到的聚硅氧烷共聚物BW外，与实施例8同样地制作 用丙締酸系树脂形成了硬涂层的试验片。将得到的试验片的硬涂层面的表面电阻率的测定 结果示于表2中。
[01创读施例10]
[0133] 除了使用了0.5?制造例3中得到的聚硅氧烷共聚物CW外，与实施例8同样地制作 用丙締酸系树脂形成了硬涂层的试验片。将得到的试验片的硬涂层面的表面电阻率的测定 结果示于表2中。
[0134] [比较例4]
[0135] 除了没有添加聚硅氧烷共聚物A、B或CW外，与实施例8同样地制作用丙締酸系树 脂形成了硬涂层的试验片。将得到的试验片的硬涂层面的表面电阻率的测定结果示于表2。
[0136] [比较例5]
[0137] 除了代替聚硅氧烷共聚物A或B而使用了 l-(3-S甲氧基甲娃烷基丙基 下基鱗=双(=氣甲横酷基)亚胺〇.54gW外，与实施例8同样地制作用丙締酸系树脂形成了 硬涂层的试验片。将得到的试验片的硬涂层面的表面电阻率的测定结果示于表2。
[013 引[表 2] 「rnon 1
[0140] [实施例山
[0141] 将甲基丙締酸甲醋5.OOg、偶氮二异下腊0.20g和作为抗静电剂的制造例1中得到 的聚硅氧烷共聚物A5mg混合，将得到的混合物诱铸到塑料容器（内径5cmX深1.5cm的圆筒 形）中，在50°C下使其固化10小时，制作厚约2mm的聚甲基丙締酸甲醋树脂的试验片。将得到 的试验片的表面电阻率的测定结果示于表3中。
[0142] [比较例6]
[0143] 除了没有添加聚硅氧烷共聚物A、B或CW外，与实施例11同样地制作聚甲基丙締酸 甲醋树脂的试验片，测定其表面电阻率。将其结果示于表3。
[0144] [比较例7]
[0145] 除了代替聚硅氧烷共聚物A、B或C而使用了 l-(3-S甲氧基甲娃烷基丙基)-1,1,1- S下基鱗=双(S氣甲横酷基)亚胺5mgW外，与实施例11同样地制作聚甲基丙締酸甲醋树 脂的试验片，测定其的表面电阻率。将其结果示于表3。
[0146] 「夫31
[0147]
[0148] [实施例12]
[0149] 将过氧化物固化型有机娃粘合剂KR-101-10(固体成分60%、信越化学工业株式会 社制造)4.0g、固化剂BP00.08g(过氧化苯甲酯）、醋酸乙醋6.2g和作为抗静电剂的实施例1 中得到的聚硅氧烷共聚物A48mg混合，得到了有机娃树脂粘合剂。使用刮条涂布机将上述有 机娃树脂粘合剂涂布到聚对苯二甲酸乙二醇醋膜(脱模纸）的单面W使干燥膜厚成为约祉 m，在90°C下加热干燥3分钟，在160°C下加热干燥2分钟，制作有机娃树脂粘合剂层，测定其 表面电阻率。将其结果示于表4中。
[0150] 在具有上述粘合剂层的面将立乙酷纤维素膜(TAC膜)贴合，在25°C、50%畑下老化 1小时，制作试验用膜。通过目视来评价从试验用膜将脱模纸剥离时的粘合剂在脱模纸的附 着状态。将其结果示于表4。
[0151] A:没有发现粘合剂在脱模纸的附着。
[0152] B:发现部分的粘合剂在脱模纸的附着。
[0153] C:发现大部分的粘合剂在脱模纸的附着。
[0154] [比较例8]
[0155] 除了没有添加聚硅氧烷共聚物A、B或CW外，与实施例12同样地制作有机娃树脂粘 合剂层和试验用膜，测定其的表面电阻率，同时目视评价粘合剂在脱模纸的附着状态。将其 结果不于表4。
[0156] [比较例9]
[0157] 除了代替聚硅氧烷共聚物A、B或C而使用了 l-(3-S甲氧基甲娃烷基丙基)-1,1,1- =下基鱗=双(=氣甲横酷基)亚胺W外，与实施例12同样地制作有机娃树脂粘合剂层和试 验用膜，测定其的表面电阻率，同时目视评价粘合剂在脱模纸的附着状态。将其结果示于表 4。
[015引[表4]
[0159]
【主权项】
1. 聚硅氧烷共聚物，其通过将由式（1)表示的鑰盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作 为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到： 式⑴：式中，Q+表示氮阳离子或磷阳离子，R1表示碳数1~3的烷基，R2~R4表示碳数1~8的烷 基，R2与R3可以在末端相互结合而形成吡咯烷环、哌啶环、吡啶环、磷杂环戊烷环、磷杂环己 烷环或磷杂苯环，其中，R 2与R3在末端相互结合而形成吡啶环或磷杂苯环的情况下，R4不存 在，表示阴离子，η为0~3的整数， 式⑵： [化2] R5-Si(OR6)3 (2) 式中，R5表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、碳数7~10的芳烷基、或碳数2~8的 烯基，R6表不碳数1~3的烷基， 式⑶： [化3]式中，R7表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、或碳数7~10的芳烷基，R8表示碳数1 ~3的烷基。2. 权利要求1所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述式(1)中，Q+为磷阳离子。3. 权利要求1或2所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述式（1)中，X-为卤素阴离子或含氟阴 离子。4. 权利要求3所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述含氟阴离子为三氟甲磺酸阴离子、双 (三氟甲磺酰基)亚胺阴离子、四氟硼酸根阴离子或六氟磷酸根阴离子。5. 权利要求1~4的任一项所述的聚硅氧烷共聚物，其通过相对于由上述式（1)表示的 鐵盐1摩尔，使由上述式(2)表不的二烷氧基硅烷0.5~95摩尔和由上述式(3)表不的二烧氧 基硅烷0~49摩尔共聚而得到。6. 权利要求1~4的任一项所述的聚硅氧烷共聚物，其通过相对于由上述式（1)表示的 鐵盐1摩尔，使由上述式(2)表不的二烷氧基硅烷0.5~95摩尔和由上述式(3)表不的二烧氧 基硅烷4~49摩尔共聚而得到。7. 抗静电剂，其含有权利要求1~6的任一项所述的聚硅氧烷共聚物。8. 树脂组合物，其含有权利要求7所述的抗静电剂。9. 权利要求8所述的树脂组合物，其中，上述树脂组合物为聚碳酸酯树脂组合物、丙烯 酸系树脂组合物或有机硅树脂组合物。10. 权利要求1~6的任一项所述的聚硅氧烷共聚物的制造方法，其特征在于，在盐酸存 在下使由上述式（1)表示的鑰盐、由上述式（2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由 上述式(3)表;^的 >烷氧基娃焼共聚D
【文档编号】C08G77/26GK106062044SQ201580011487
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2015年3月17日 公开号201580011487.6, CN 106062044 A, CN 106062044A, CN 201580011487, CN-A-106062044, CN106062044 A, CN106062044A, CN201580011487, CN201580011487.6, PCT/2015/57807, PCT/JP/15/057807, PCT/JP/15/57807, PCT/JP/2015/057807, PCT/JP/2015/57807, PCT/JP15/057807, PCT/JP15/57807, PCT/JP15057807, PCT/JP1557807, PCT/JP2015/057807, PCT/JP2015/57807, PCT/JP2015057807, PCT/JP201557807
【发明人】山田哲郎, 吉川裕司, 石井祐典, 今泉晓
【申请人】信越化学工业株式会社, 广荣化学工业株式会社