专利名称：：用于蚀刻氧化硅层的组合物、使用其蚀刻半导体器件的方法及用于蚀刻半导体器件的组合物的制作方法
技术领域：
：本发明的实施方式涉及一种用于蚀刻氧化硅层的组合物、使用该组合物蚀刻半导体器件(装置)的方法以及用于蚀刻半导体器件(装置)的组合物。
背景技术：
：最近，基于微处理(micro-process)技术已开发了用于制造半导体器件(装置)的^支术，并且用于隔离器件(装置)的器件(装置)隔离层的间隔(间隙)减小作为小型化的主要方面已引起注意。在制造电子器件(装置)，例如半导体集成电路和/或半导体电容器中，氧化硅层可以用于4是供图案和绝缘层。去除氧化硅层特定部分的典型方法可以包括例如可以使用一种蚀刻组合物的湿法蚀刻工艺，该:々虫刻纟且合4勿包括「々虫刻；舌'l"生主要纟且分(etchingactivemaincomponent)，例如，稀氪氟酸溶液(DHF)或緩冲氢氟酸溶液(BHF)。然而，随着半导体集成电路的集成性和各种功能增加，具有完全不同的蚀刻特性的各种层可以在半导体基板(半导体衬底)上共存。例如，基板上的氮化物层可以包括例如氮化硅(SiN)层或氮化钛(TiN)层。氮化石圭层可以用于具有不同特性的各种层，例如，HT(高温)氮化硅层、LP(低压)氮化石圭层、ALD(原子层沉积)氮化硅层等。此外，基板上的氧化物层可以包括热氧化性氧化硅层(thermo-oxidativesiliconoxidelayer)，基于CVD(化学气相沉积)的氧化硅层，例如TEOS(原硅酸四乙酯)层，基于掺杂的氧化硅层(doping-basedsiliconoxidelayer)，侈'B口BPSG(石朋石粦石圭酉臾盐3皮璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)等。
发明内容因此，实施方式涉及一种用于蚀刻氧化硅层的组合物、使用该组合物蚀刻半导体器件(装置)的方法、以及用于蚀刻半导体器件(装置)的组合物，其基本上克服了现有技术的一个或多个缺陷、局限性、和/或缺点。实施方式的特4正在于l是供一种用于蚀刻氧化石圭层的组合物，其中，氧化石圭层相对于氮4匕物层的蚀刻选择比(蚀刻选4奪率，蚀刻选择性，etchselectivity)通过在维持各种氧化硅层的高蚀刻速率的同时减小各种氮化物层的蚀刻速率来改善。上述和其他特征以及优点中的至少一个可以通过才是供一种用于蚀刻氧化硅层的组合物而实现，该组合物包括氟化氢、阴离子型聚合物、以及去离子水，其中，基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001%至约2wt%，并且该组合物具有约80或更高的4十对氧化石圭层相对于氮化物层的蚀刻选择比(或相对于氮化物层，该组合物具有约80或更高的4十对氧化石圭层的蚀刻选4奪比)。基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，氟化氢的含量可以为约5至约90wt%。基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量可以为约0.01至约1wt%。阴离子型聚合物可以包括聚丙烯酸、聚磺酸、聚丙烯酰胺、聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物、聚丙烯酸/石黄酸共聚物、聚石黄g吏/丙烯酰胺共聚物、以及聚丙烯酸/丙二酸共聚物中的至少一种。阴离子型聚合物可以具有约1,000至约1,000,000g/mo1的重均分子量(Mw)。阴离子型聚合物可以具有约5,000至约100,000g/mo1的重均分子量(Mw)。该组合物可以进一步包括氟化4妄。基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，氟化按的含量可以为约0.1至约50wt%。该组合物可以进一步包括有4几酸和无才几酸中的至少一种，其中，有^L酸包括乙酸、柠檬酸、曱酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸(或丁基乙酸)、庚S殳、姿酸、以及它们的^L合中的至少一种，而无才几酸包括硝酸、碌b酸、盐酸、磷酸、高氯酸、以及它们的组合中的至少一种。基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，有机酸和无机酸中的至少一种的含量可以为约0.1至约30wt%。上述和其他特征以及优点中的至少一个还可以通过提供一种蚀刻半导体器件(装置)的方法而实现，该方法包4舌通过分4比型工艺(分水匕式工艺，batch-typeprocess)或单晶片型工艺(单晶片式工艺，single-wafer-typeprocess)中的一种蚀刻层，其中々虫刻层包4舌利用用于蚀刻氧化硅层的组合物进行蚀刻，该组合物包括氟化氢、阴离子型聚合物、以及去离子水，其中，基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001%至约2wt%，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。蚀刻层可以包括蚀刻包括热氧化性氧化硅层、CVD(化学气相沉积)基氧化石圭层、以及4参杂基氧化石圭层中的至少一种的氧化义圭层，以及蚀刻包括氮化硅(SiN)层和氮化钬(TiN)层中的至少一种的氮化物层。氧化硅层可以包括它们中的两种或更多种。上述和其他特征以及优点中的至少一个还可以通过才是供一种用于蚀刻包4舌氧化石圭层和氮化物层的半导体器件(装置)的组合物而实现，该组合物包括基于组合物的总重量为约5至约90wt。/。的氪氟酸，基于组合物的总重量为约0.001至约2wt。/。的阴离子型聚合物，以及去离子水，其中，阴离子型聚合物包括聚丙烯酸、聚磺酸、聚丙烯酰胺、聚丙燁酰胺/丙歸酸共聚物、聚丙埽酸A黄酸共聚物、聚石黄酸/丙烯酰胺共聚物、以及聚丙烯酸/丙二酸共聚物中的至少一种。附图i兌明通过参照附图对示例性实施方式进4亍详细地描述，上述和其他特征以及优点对于本领域的普通技术人员来说将变得更显而易见，其中图1示出了根据一种实施方式的使用用于蚀刻氧化硅层的组合物蚀刻i殳置在基纟反上的氮^4勿层的结构(4几制，mechanism)的示意图。具体实施例方式现在，在下文中将参照附图对示例性实施方式进行更充分地描述；然而，它们可以以不同形式来具体体现，并且不应一见为限于本文描述的实施方式。相反，4是供这些实施方式，以使使该7>开内容将是全面和完整的，并且将本发明的范围完全传达给本领域的技术人员。在附图中，为了说明清楚，层和区域的尺寸可能被放大。相同的参考标号始终指代相同的元件。此处，术语"蚀刻选4奪比"表示氧化-圭层的蚀刻速率除以氮化物层的蚀刻速率的值。根据一种实施方式，用于蚀刻氧化珪层的组合物可以包括氟化氬和阴离子型聚合物。氟化氢可以用于蚀刻各种氧化物，并且基于用于蚀刻氧化石圭层的组合物的总重量，可以以约5至约90wt。/。的量包括在组合物中。将氢氟酸的量保持在约5至约90wt。/。可以帮助确保氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比得到增加。在一种实施方式中，氟化氢的含量可以为约10至约80wt%。在另一种实施方式中，氟4匕氢的含量可以为约20至70wt%。一种实施方式包括将一种能够产生负(-)电势现象物质加入到;容、液中，以i"更利用氮4匕物层表面的；电势(动电势，zetapotential)的正(+)电势现象与氮化物层的表面形成弱离子4建。由于其对于各种单体化合物，例如表面活性剂在末端难以具有负(-)电势(这是由于在蚀刻化合物中包括氟化氢)，因此可以使用聚合物结构。可以使用阴离子型聚合物，因为其对于4是供负(-)电势现象可能是最有效的。通过用作终止层，阴离子型聚合物可以保护各种氮化物层的表面，同时并不显著影响氟化氢在氧化硅层上的蚀刻速率。换句话说，阴离子型聚合物可以延迟氟化氢流入到氮化物层上，使得其可以适合于减小氮化物层的蚀刻速率。图1示出了根据一种实施方式的使用用于蚀刻氧化硅层的组合物蚀刻i殳置在基4反上的氮化物层的结构(或4几制)的示意图。参照图1，由于例如与设置在基板1上的氮化物层3的表面的高相容性，阴离子型聚合物可以包围并保护氮化物层3的表面。因此，阴离子型聚合物可以延迟氟化氢流入到氮化物层3上，以最小4b氮化物层3的蚀刻。阴离子型聚合物可以包括具有阴离子末端基团的聚合物材斗+。阴离子型聚合物可以包括例如聚丙烯酸、聚磺酸、聚丙烯酰胺、聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物、聚丙烯酸/石黄酸共聚物、聚石黄S臾/丙烯酰胺共聚物、和/或聚丙烯S复/丙二酸共聚物。在一种实施方式中，包4舌聚丙烯酸的共聚物可以是优选的，并且在另一种实施方式中，聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物可以是优选的。一种实施方式的阴离子型聚合物在用于蚀刻氧化石圭层的组合物中可以具有良好的溶解性(溶解度)，并且可以增加各种氧化硅层相对于各种氮化物层的蚀刻选才奪比。阴离子型聚合物的重均分子量没有特别限制，^f旦是其可以为约l，OOO至约1,000,000g/mol。将阴离子型聚合物的重均分子量^f呆持在约1,000至约1,000,000g/mol可以帮助确4呆阴离子型聚合物在用于蚀刻氧化石圭层的组合物中的卩容解性得到改善，并且4吏蚀刻工艺后的残留物,皮有效减少。在一种实施方式中，重均分子量可以为约3,000至约500,000g/mo1。在另一种实施方式中，重均分子量可以为约5,000至约100,000g/mo1。而且，当阴离子型聚合物包括聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物时，如果丙歸酰胺部分的量相对高于丙燁酸部分的量，则可以改善在用于蚀刻氧〗匕石圭层的组合物中的;容解性。基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物可以以约0.001至约2wt。/。的量包括在组合物中。将阴离子型聚合物的量保持在约0.001至约2wt。/。可以帮助确保阴离子型聚合物在用于蚀刻氧化石圭层的组合物中的;容解性得到改善。在一种实施方式中，阴离子型聚合物的含量可以为约0.001至约1wt%。在另一种实施方式中，阴离子型聚合物的含量可以为约0.01至1wt%。在又一种实施方式中，阴离子型聚合物的含量可以为约0.05至约0.5wt%。才艮据一种实施方式的用于蚀刻氧化石圭层的组合物可以进一步包括氟化4妄。氟化铵可以增加在CVD(化学气相沉积)基氧化硅层(或基于CVD(化学气相沉积)的氧化硅层)，例如TEOS(原硅酸四乙酯)层上的蚀刻速率。然而，氟化铵可以减小在摻杂基氧化硅层，例如BPSG(硼磷石圭酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)层等上的蚀刻速率。因此，将氟化铵与氟化氢一起使用可能是更好的。包括在组合物中的氟化铵的量可以根据氟化氢的量、靶层(目标层，targetlayer)的种类、以及期望的蚀刻量来调整。在一种实施方式中，基于用于蚀刻氧化石圭层的组合物的总重量，氟化4妄可以以约0.1至约50wt。/。的量包括在组合物中。将氟化铵的量保持在约0.1至约50wt。/。可以帮助确^呆氧化石圭层相对于氮化物层的蚀刻选拷，比4寻以才是高。在一种实施方式中，氟4匕4妄的含量可以为约10至约30wt%。才艮据一种实施方式的用于蚀刻氧化石圭层的组合物可以进一步包括例如有4几酸和/或无4几酸。有机酸可以包4舌例如碳凄t为约1至约20的羧酸。在一种实施方式中，有机酸可以包括，例如乙酸、柠檬酸、曱酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、和/或脊l臾。无4几酸可以包括，例如硝酸、硫酸、盐酸、磷酸、和/或高氯酸。有机酸或无机酸可以作为其中的两种或更多种而单独使用，或者有机酸和无机酸可以混合在一起。有才几酸和/或无才几酉吏可以改善在4参杂基fU匕石圭层，例如BPSG层、BSG层等上的蚀刻速率。然而，有才几酸或无4几l交可能会稍孩吏劣化在CVD基氧化石圭层，例如TEOS层上的蚀刻速率。基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，有机酸和/或无机酸可以以约0.1至约30wt。/。的量包4舌在组合物中。将有才几酸和/或无积』酸的量保持在约0.1至约30wt。/。可以帮助确^呆氧化石圭层相对于氮化物层的蚀刻选才奪比得到才是高。在一种实施方式中，有才几酸或无^/L酸的含量可以为约0.5至约20wt%。在另一种实施方式中，有机酸或无枳J菱的含量可以为约1至约10wt%。例如，通过将阴离子型聚合物溶解在去离子水中以稳定组合4勿，'然后力口入IU匕氪-口虐贞夕卜成分(Pf于力口成分，additionalcomponents)来制备包括才艮据一种实施方式的用于蚀刻氧化石圭层的组合物的蚀刻溶液。额外成分可以包i舌例如氟化4妄、有才几酸或无枳J交。可替换地，氟化氢和额外成分可以:容解在溶剂中，然后向所4寻到的溶液中加入阴离子型聚合物。利用根据一种实施方式的用于蚀刻氧化硅层的组合物，按照例如分批型方法或单晶片型方法蚀刻包括例如氧化石圭层和氮化物层的半导体器件(装置)是可以的。氧化石圭层可以包4舌例如热氧化性氧4匕石圭层，CVD基氧化石圭层如TEOS层，4参杂基氧化石圭层如BPSG层、BSG层，以及它们的混合物等。根据一种实施方式，氧化硅层可以包括具有不同蚀刻特性的两种氧化硅层。换句话说，当使用才艮据一种实施方式的用于蚀刻氧化硅层的组合物对氧化硅层进行蚀刻时，例如，同时蚀刻具有不同蚀刻特性的热氧化性氧4b-圭层和CVD基氧化石圭层；同时蚀刻具有不同蚀刻特性的热氧化性氧化硅层和掺杂基氧化硅层；以及同时蚀刻CVD基氧化硅层和掺杂基氧化硅层(或基于掺杂的氧化硅层)是可以的。根据一种实施方式，用于蚀刻氧化珪层的组合物可以同时蚀刻BPSG层和TEOS层，或同时蚀刻BSG层和TEOS层。氮化物层可以包括例如氮化石圭(SiN)层和/或氮化4太(TiN)层。当利用根据一种实施方式的用于蚀刻氧化硅层的组合物进行蚀刻时，可以提高氧化硅层相对于设置在半导体基板上的氮化物层的蚀刻选纟奪比。才艮据一种实施方式，氧化石圭层相对于氮化物层的蚀刻选纟奪比可以为约80或更高。可以期望具有甚至更高的氧化石圭层相对于氮化物层的蚀刻选4奪比。而且，当将根据一种实施方式的用于蚀刻氧化硅层的组合物同时施加至具有不同蚀刻特性的两种或更多种氧化硅层，例如，BPSG层和TEOS层时，氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比可以保持在约80或更高。可以在合理的范围内调整BSG层相对于氮化物层的相对蚀刻选4,比，以及TEOS层相对于氮〗匕物层的蚀刻选择比。才艮据一种实施方式的蚀刻氧化石圭层的方法可以用于制造半导体器件的方法中，其包括以高速率同时蚀刻两种或更多种氧化石圭层，同时可尽可能多地防止氮化物层一皮蚀刻的蚀刻工艺。以下实施例-洋细地^兌明了实施方式。然而，这些实施例不应以任何含义解释为限制范围。制备例制备例1基于用于蚀刻氧化石圭层的组合物的总重量，混合39wt。/。的氟化氪、24wt。/o的氟化4妄、5wt。/。的硝酸、以及剩余量的去离子水，以才是供一种水:容液。然后，向该水溶液中加入基于用于蚀刻氧化石圭层的纟且合物的总重量为0.25wt。/。的聚丙埽S臾(GeomyungCorporation,F/K#32，重均分子量为20,000g/mol)，以提供一种用于蚀刻氧化石圭层的组合物。制备例24要照与制备例1中相同的步-银，制备用于蚀刻氧化石圭层的组合物，不同之处在于，以相同的量加入聚丙烯酸/石黄酸共聚物(GeomyungCorporation,重均分子量为800,000g/mol)4戈替聚丙制备例3按照与制备例1中相同的步骤，制备用于蚀刻氧化硅层的组合物，不同之处在于，基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，以0.2wt。/o的量力口入聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物(SusanPolymerCo.,Ltd,EX5344，重均分子量为20,000g/mol)^K^辜聚丙少希酉臾。制备例4基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，混合20wt。/。的氟化氪、19.8wt。/。的氟化铵、以及剩余量的去离子水，以4是供一种水溶液。然后，向该水溶液中加入基于用于蚀刻氧化石圭层的组合物的总重量为0.1wt。/。的聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物(SusanPolymerCo.,Ltd,EX5344,重均分子量为20,000g/mol),以冲是供一种用于蚀刻氧化《圭层的组合物。制备例5基于用于蚀刻氧化石圭层的组合物的总重量，混合60wt。/。的氟化氪和剩余量的去离子水，以才是供一种水卩容液。然后，向该水;容液中加入基于用于蚀刻氧4b石圭层的组合物的总重量为0.3wt。/。的聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物(SusanPolymerCo.,Ltd,EX5344，重均分子量为20,000g/mol),以提供一种用于蚀刻氧化珪层的组合物。比專交制备例1按照与制备例1中相同的步骤，制备用于蚀刻氧化硅层的组合物，不同之处在于，以相同的量加入聚乙二醇辟唐浆的冲唐基物质(SamyangCorporation)代替聚丙蜂酸。比较制备例2按照与制备例1中相同的步骤，制备用于蚀刻氧化硅层的组合物，不同之处在于，不加入聚丙烯酸。比较制备例3按照与制备例4中相同的步骤，制备用于蚀刻氧化硅层的组合物，不同之处在于，不加入聚丙烯酰胺/丙歸酸共聚物。比较制备例4按照与制备例1中相同的步骤，制备用于蚀刻氧化硅层的组合物，不同之处在于，加入基于用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量为0.1wt。/。的阴离子型表面活性剂(由3M制造，商品名4434)代替聚丙烯酸。实施例实施例1至5以及比较例1至4使用由制备例1至5以及比较制备例1至4获得的各蚀刻组合物，对包括氮化硅层、TEOSCVD基氧化硅层、以及BPSG4参杂基氧化石圭层的半导体器件进行蚀刻。确定氧化石圭层的去除速度以及氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比。结果示于下面的表l中。使用才艮据制备例1至5的组合物制备的产品对应于实施例1至5,而使用根据比较制备例1至4的组合物制备的产品对应于比较例1至4。蚀刻选择比表示氧化硅层的蚀刻速率除以氮化物层的蚀刻速率的值。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>如表l中所示，与其中不包4舌才艮据一种实施方式的该种类的阴离子型聚合物的比较例1和4以及其中不包括该类型的阴离子型聚合4勿的比举交例2详口3才目比，实施例1至5只寸于BPSG层考口TEOS层具有更高的相对蚀刻速率。与比4交例1和4以及比寿交例2和3相比，实施例1至5还呈现出对于氮化硅层更低的蚀刻速率。因此，实施例1至5呈现出氧化》圭层相对于氮化物层的增加的蚀刻选4奪比。特别地，实施例1至5具有80或更高的氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比。此外，甚至在使用具有不同蚀刻特性的两种或更多种氧化石圭层的情况下，氧化硅层相对于氮化物层的每种蚀刻选4奪比也能保持在80以上。此处已经4皮露了示例性实施方式，并且虽然釆用了具体术i吾，但是它们可以以一般和描述性的含义使用和解释并且不用于限制。因此，本领域的普通技术人员将理解到，在不背离如在所附权利要求书中所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节方面进4于各种改变。权利要求1.一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，包括氟化氢；阴离子型聚合物；以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且相对于氮化物层，所述组合物具有约80或更高的针对所述氧化硅层的蚀刻选择比。2.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述氟化氢的含量为约5至约90wt%。3.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，基于所述用于蚀刻氧化石圭层的组合物的总重量，所述阴离子型聚合物的含量为约0.01至约1wt%。4.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，所述阴离子型聚合物包括聚丙烯酸、聚磺酸、聚丙烯酰胺、聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物、聚丙烯酸/石黄酸共聚物、聚;黄酸/丙烯酰胺共聚物、以及聚丙烯酸/丙二酸共聚物中的至少一种。5.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，所述阴离子型聚合物具有约1,000至约1，000,000g/mol的重均分子量(Mw)。6.根据权利要求5所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，所述阴离子型聚合物具有约5,000至约100,000g/mol的重均分子量(Mw)。7.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，进一步包括氟化铵。8.根据权利要求7所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述氟化铵的含量为约0.1至约50wt%。9.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，进一步包括有机酸和无才几酸中的至少一种，其中，所述有4几酸包括乙酸、柠4蒙酸、曱酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、癸酸、以及它们的组合中的至少一种，而所述无4几酸包4舌硝酸、>琉酸、盐酸、^畴酸、高氯酸、以及它们的组合中的至少一种。10.根据权利要求9所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述有机酸和所述无才几酸中的至少一种的含量为约0.1至约30wt%。11.一种蚀刻半导体器件的方法，包括通过分批型工艺或单晶片型工艺中的一种来蚀刻层，其中，蚀刻所述层包括利用用于蚀刻氧化硅层的组合物进行蚀刻，所述纟且合4勿包4舌氟化氢；阴离子型聚合物；以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt%,并且氧化石圭层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。12.根据权利要求11所述的蚀刻半导体器件的方法，其中，蚀刻所述层包4舌蚀刻包括热氧化性氧化硅层、基于CVD(化学气相沉积)的氧化硅层、以及基于掺杂的氧化硅层中的至少一种的氧化硅层，以及蚀刻包括氮化硅(SiN)层和氮化钬(TiN)层中的至少一个的氮4b物层。13.根据权利要求12所述的蚀刻半导体器件的方法，其中，所述氧化硅层包括它们中的两个或更多个。14.一种用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，包4舌基于所述组合物的总重量为约5至约90wt7。的氢氟酸；基于所述组合物的总重量为约0.001至约2wt。/。的阴离子型聚合物；以及去离子水，其中，所述阴离子型聚合物包括聚丙烯酸、聚石黄酸、聚丙烯酰胺、聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物、聚丙烯酸/磺酸共聚物、聚磺酸/丙烯酰胺共聚物、以及聚丙烯酸/丙二酸共聚物中的至少一种。全文摘要本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。文档编号C09K13/06GK101643648SQ200910164078公开日2010年2月10日申请日期2009年8月10日优先权日2008年8月8日发明者朴明国,李晓山,梁浩锡,洪昌基,金古恩,韩政男申请人:第一毛织株式会社;三星电子株式会社