用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法
【专利摘要】本发明提供了一种用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，包括：在预定工艺条件下，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀；利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行进一步刻蚀，以形成硅化物阻挡氧化物层的图案。所述预定工艺条件为：150W-250W的刻蚀功率，50mT-100mT的压力；不小于10sec的刻蚀时间。
【专利说明】用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法。
【背景技术】
[0002]娃化物阻挡层(salicide block layer, SAB)被用于保护娃片表面,在其保护下，硅片不与其它Ti，Co之类的金属形成不期望的金属硅化物。
[0003]在某些工艺中，采用氧化物层作为硅化物阻挡层。
[0004]需要对作为硅化物阻挡层的氧化物层(本文称为“硅化物阻挡氧化物层”)进行刻蚀，从而形成硅化物阻挡氧化物层图案；这样，刻蚀后留下的硅化物阻挡氧化物层下方的硅片表面不会形成金属硅化物；而刻蚀后去除了硅化物阻挡氧化物层的硅片表面将形成金属硅化物。
[0005]最初，一般通过单纯的干法刻蚀工艺来刻蚀硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法。但是，这种方法往往只适合于刻蚀厚度大约为或者高于1500A的硅化物阻挡氧化物层。
[0006]随着工艺的发展，已经发展出首先利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀，随后利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行后续刻蚀的方案。对于这种方案，为防止后续的湿法刻蚀时间过长而导致光阻遭到破坏，留给湿法刻蚀的硅化物阻挡氧化物层厚度要薄且控制好。因此在利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀时，希望能够很好地控制刻蚀速度和剩余的硅化物阻挡氧化物层的厚度和均匀性。
[0007]然而，在现有技术中，在利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀时，对于总厚度为300-400A的硅化物阻挡氧化物层，往往不能很好地控制对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀时干法刻蚀的刻蚀速度和刻蚀均匀性，而部分刻蚀后的硅化物阻挡氧化物层的厚度往往过于薄，无法很好地控制剩余硅化物阻挡氧化物层的厚度和均匀性。
[0008]因此，希望能够提供一种能够很好地控制利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀时的速度和刻蚀均匀性的技术方案。
【发明内容】
[0009]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够很好地控制利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀时的速度和刻蚀均匀性、由此能够很好地控制剩余硅化物阻挡氧化物层的厚度和均匀性的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法。
[0010]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其包括:
[0011]第一刻蚀步骤:在预定工艺条件下，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀；
[0012]第二刻蚀步骤:利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行进一步刻蚀，以形成硅化物阻挡氧化物层的图案。
[0013]优选地，所述用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法用于刻蚀总厚度为300-400A的硅化物阻挡氧化物层。
[0014]优选地，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀后剩余的硅化物阻挡氧化物层厚度为100A-200A。
[0015]优选地，所述预定工艺条件为:150W-250W的刻蚀功率，50mT-100mT的压力；不小于IOsec的刻蚀时间。
[0016]优选地，所述预定工艺条件为:150W-180W的刻蚀功率，50mT_75mT的压力；不小于20sec的刻蚀时间。在该工艺条件下，可以得到最佳的刻蚀效果。
[0017]优选地，所述用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法用于刻蚀总厚度为300A的硅化物阻挡氧化物层。
[0018]优选地，所述预定工艺条件为:160W的刻蚀功率，65mT的压力；不小于20sec的刻蚀时间。
[0019]由此，本发明通过降低刻蚀功率降低了刻蚀速度从而延长了刻蚀时间，并且在降低刻蚀功率的同时降低了刻蚀气压，从而同时确保了刻蚀均匀性，因此，本发明提供了一种用于硅化物阻挡氧化物层刻蚀方法，其能够很好地控制利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀时的速度和刻蚀均匀性，由此能够很好地控制剩余硅化物阻挡氧化物层的厚度和均匀性。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0021]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法的流程图。
[0022]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0023]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0024]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法的流程图。
[0025]所述方法尤其适合于刻蚀总厚度为300-400A的硅化物阻挡氧化物层。因此，在本实施例中，选择硅化物阻挡氧化物层的总厚度为300-400A。
[0026]具体地说，如图1所示，根据本发明优选实施例用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法包括:
[0027]第一刻蚀步骤S1:在预定工艺条件下，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀；
[0028]优选地，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀后剩余的硅化物阻挡氧化物层厚度为100A-200A。
[0029]优选地，所述预定工艺条件为:150W-250W的刻蚀功率，50mT-100mT的压力；不小于IOsec的刻蚀时间。该功率小于现有技术中采用的功率，由此在该功率条件下，刻蚀速度变小以便能够进行更精确的控制；但是，如果仅仅通过减小功率来降低刻蚀速度，则会影响刻蚀均匀性，但是，发明人有利地发现可以在50mT-100mT的压力条件下进行刻蚀以获取更好的刻蚀均匀性。
[0030]进一步优选地，所述预定工艺条件为:150W-180W的刻蚀功率，50mT_75mT的压力；不小于20sec的刻蚀时间。在该工艺条件下，可以得到最佳的刻蚀效果。
[0031]而且，对于300A的硅化物阻挡氧化物层总厚度，最佳的预定工艺条件为:160W的刻蚀功率，65mT的压力；不小于20sec的刻蚀时间。
[0032]第二刻蚀步骤S2:利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行进一步刻蚀，以形成硅化物阻挡氧化物层的图案。
[0033]由此，本发明上述优选实施例通过降低刻蚀功率降低了刻蚀速度从而延长了刻蚀时间，并且在降低刻蚀功率的同时降低了刻蚀气压，从而同时确保了刻蚀均匀性，因此，本发明提供了一种用于硅化物阻挡氧化物层刻蚀方法，其能够很好地控制利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀时的速度和刻蚀均匀性，由此能够很好地控制剩余硅化物阻挡氧化物层的厚度和均匀性。
[0034]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0035]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于包括: 第一刻蚀步骤:在预定工艺条件下，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀； 第二刻蚀步骤:利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行进一步刻蚀，以形成硅化物阻挡氧化物层的图案。
2.根据权利要求1所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法用于刻蚀总厚度为300-400A的硅化物阻挡氧化物层。
3.根据权利要求2所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀后剩余的硅化物阻挡氧化物层厚度为100A-200A。
4.根据权利要求1至3之一所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述预定工艺条件为:150W-250W的刻蚀功率，50mT-100mT的压力；不小于IOsec的刻蚀时间。
5.根据权利要求1至3之一所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述预定工艺条件为:150W-180W的刻蚀功率，50mT-75mT的压力；不小于20sec的刻蚀时间。
6.根据权利要求1至3之一所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法用于刻蚀总厚度为300A的硅化物阻挡氧化物层。
7.根据权利要求6所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述预定工艺条件为:160W的刻蚀功率，65mT的压力；不小于20sec的刻蚀时间。
【文档编号】H01L21/311GK103441072SQ201310385922
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月29日 优先权日:2013年8月29日
【发明者】肖培 申请人:上海宏力半导体制造有限公司