1.一种用于制作LED照明设备的过程，包含将复合涂层设置于LED芯片的表面上；其中，所述复合涂层包含：
第一复合层，包含式I的锰掺杂的磷光体和第一粘合剂，
Ax[MFy]：Mn4+……（I）
其中，
A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合；
M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合；
x是[MFy]离子的电荷的绝对值；
y是5、6或7；以及
第二复合层，包含第二磷光体成分和第二粘合剂，
其中，所述第一粘合剂、所述第二粘合剂或两者都包含聚（甲基）丙烯酸酯。
2.如权利要求1所述的过程，其中，通过将所述第一复合层设置于所述第二复合层上而形成所述复合涂层。
3.如权利要求2所述的过程，其中，设置包含将所述第一复合层粘结至所述第二复合层。
4.如权利要求3所述的过程，其中，通过胶粘剂而将所述第一复合层和所述第二复合层粘结。
5.如权利要求1所述的过程，其中，在将所述复合涂层设置于所述LED芯片上之前，使所述复合涂层固化。
6.如权利要求1所述的过程，其中，式I的所述锰掺杂的磷光体包含具有以在从大约20微米至大约50微米的范围中的D50值的颗粒大小分布的颗粒种群。
7.如权利要求1所述的过程，其中，式I的所述锰掺杂的磷光体包含具有以在从大约10微米至大约30微米的范围中的D50值的颗粒大小分布的颗粒种群。
8.如权利要求1所述的过程，其中，所述第一粘合剂、所述第二粘合剂或两者都包含以小于大约300微米的D50值的颗粒大小分布的微粒。
9.如权利要求8所述的过程，其中，所述第一粘合剂、所述第二粘合剂或两者都包含以从大约150微米至大约300微米的D50值的颗粒大小分布的微粒。
10.如权利要求1所述的过程，其中，所述第一粘合剂、所述第二粘合剂或两者都包含以从大约20微米至大约50微米的D50值的颗粒大小分布的微粒。
11.如权利要求1所述的过程，其中，所述聚（甲基）丙烯酸酯是聚（甲基丙烯酸甲酯）。
12.如权利要求1所述的过程，其中，所述锰掺杂的磷光体是K2SiF6:Mn4+。
13.一种LED照明设备，包含设置于LED芯片的表面上的复合涂层，所述复合涂层包含：
第一复合层，包含式I的锰掺杂的磷光体和第一粘合剂，
Ax [MFy]：Mn4+……（I）
其中，A是Li、Na、K、Rb、Cs，NR4或其组合；M 是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合；R是H、低级烷基或其组合；x是[MFy]离子的电荷的绝对值；并且y是5、6或7；以及
第二复合层，包含第二磷光体成分和第二粘合剂，
其中，所述第一粘合剂、所述第二粘合剂或两者都包含聚（甲基）丙烯酸酯。
14. 如权利要求13所述的LED照明设备，其中，所述锰掺杂的磷光体是K2 SiF6:Mn4+。
15.如权利要求13所述的LED照明设备，其中，所述聚（甲基）丙烯酸酯是聚（甲基丙烯酸甲酯）。
16.如权利要求13所述的LED照明设备，其中，所述锰掺杂的磷光体包含具有以在从大约20微米至大约50微米的范围中的D50值的颗粒大小分布的颗粒种群。
17.如权利要求13所述的LED照明设备，其中，式I的所述锰掺杂的复合氟化物包含具有以在从大约10微米至大约30微米的范围中的D50值的颗粒大小分布的颗粒种群。
18.如权利要求13所述的LED照明设备，其中，所述第一复合层设置于所述LED芯片的所述表面上，并且，所述第二复合层设置于所述第一复合层的与所述LED芯片相对的表面上。
19.如权利要求13所述的LED照明设备，其中，所述第二复合层设置于所述LED芯片的所述表面上，并且，所述第一复合层设置于所述第二复合层的与所述LED芯片相对的表面上。
20.如权利要求13所述的LED照明设备，其中，所述第一复合层具有在跨其厚度的锰浓度中变化的分级成分。