荧光组合物、包括荧光组合物的发光器件封装和照明装置的制作方法

实施例涉及一种包括具有不同化学成分的多种荧光体的荧光体组合物、以及包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置。
背景技术：
：使用iii-v族或ii-vi族化合物半导体材料和激光二极管的发光器件，诸如发光二极管，可以通过开发薄膜生长技术和器件材料来实现诸如红、绿、蓝和紫外线的各种颜色，并且还可以通过使用荧光材料或通过组合颜色而实现高效率的白光，从而与诸如荧光灯、白炽灯等的常规光源相比，具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全和环境友好的优点。实现白光的方法被分为以单芯片形式的方法将荧光材料接合在蓝光或紫外(uv)光发光二极管芯片上的方法，以及以多芯片形式制造并且通过其组合获得白光的方法。在多芯片形式中，存在组合制造rgb(红、绿、蓝)三种芯片的典型方法。然而，由于每个芯片的工作电压的不均匀性或由于周围环境导致的每个芯片的输出的差异，这种制造方法存在色坐标不同的问题。此外，当通过单芯片实现白光时，已经使用利用从蓝色led发射的光来激发至少一个荧光体以获得白光的方法。此外，在应用发光器件封装时，已经开发了各种荧光体以改善色彩再现率同时具有高亮度值。近来，据报道，与常规的红色荧光体相比，基于氟(f)的红色荧光体显示出改进的光学特性。然而，与过去使用的红色荧光体相比，基于氟的荧光体耐热或耐光性不佳，因此需要改进可靠性。技术实现要素：技术问题实施例旨在实现包括绿色荧光体和红色荧光体的荧光体组合物和发光器件封装，并且特别地包括两种红色荧光体作为红色荧光体，从而提高亮度，具有高的显色指数高和优异的可靠性。技术方案实施例提供一种荧光体组合物，包括：绿色荧光体，由蓝光激发并且发射绿光；氮化物系列的第一红色荧光体，由所述蓝光激发并且发射第一红光；以及氟系列的第二红色荧光体，由所述蓝光激发并且发射第二红光。所述绿色荧光体的发射中心波长可以为530nm至545nm。所述第一红色荧光体的发射中心波长可以为620nm至665nm。所述第二红色荧光体的发射中心波长可以为620nm至640nm。所述第一红色荧光体可以由化学式asialn:eu2+表示，本文中，a是sr和ca中的至少一种。所述第二红色荧光体可以由化学式k2mf6:mn4+表示，本文中，m是si、ge和ti中的至少一种。所述绿色荧光体可以由化学式β-sialon:eu2+表示。所述蓝光的发射波长可以为350nm至500nm。所包含的所述绿色荧光体的重量比可以为20wt％至90wt％，所包含的所述第一红色荧光体的重量比可以为0.1wt％至15wt％，所包含的所述第二红色荧光体的重量比可以为40wt％至90wt％。另一个实施例提供一种发光器件封装，包括：本体部；空腔，形成在所述本体部上；发光器件，布置在所述空腔中；模塑部件，围绕所述发光器件并且布置在所述空腔中；以及荧光体组合物，被包括在所述模塑部件中，并且所述荧光体组合物包括绿色荧光体、氮化物系列的第一红色荧光体和氟系列的第二红色荧光体，其中所述绿色荧光体由蓝光激发以发射绿光，所述第一红色荧光体由所述蓝光激发并且发射第一红光，所述第二红色荧光体由所述蓝光激发并且发射第二红光。所述第一红色荧光体的发射中心波长与所述第二红色荧光体的发射中心波长可以不同。所述第一红色荧光体和第二红色荧光体的重量比可以为1:12至1:40。又一个实施例提供一种照明装置，包括：衬底；光源模块，布置在所述衬底上并且包括上述发光器件封装；以及散热器，散发所述光源模块的热量。有益效果根据实施例的荧光体组合物和包括该荧光体组合物的发光器件封装可以同时包括基于氟的红色荧光体和基于氮化物的红色荧光体作为红色荧光体，从而具有改善诸如色彩再现率和光通量等的光学特性的效果，以及在诸如高温或高温高湿度等的可靠性评估条件下具有稳定性。附图说明图1a和图1b是示出绿色荧光体的激发波长和发射波长区域的视图；图2a和图2b是示出第一红色荧光体的激发波长和发射波段的视图；图3a和图3b是示出第二红色荧光体的激发波长和发射波段的视图；图4是示出根据一个实施例的发光器件封装的视图；图5是示出根据一个实施例的发光器件的视图；图6和图7是示出在60℃温度条件下的发光器件封装的可靠性评估结果的视图；图8和图9是示出在85℃温度条件下的发光器件封装的可靠性评估结果的视图；以及图10和图11是示出在温度85℃、湿度85％条件下的发光器件封装的可靠性评估结果的视图。具体实施方式下文中，提供实施例以便完全解释本发明，并且将参照附图详细描述实施例以帮助理解本发明。在本发明的实施例的描述中，应当理解，当元件被称为在另一元件上“上或下”时，术语“上或下”指的是两个元件之间的直接连接或者在两个元件之间形成一个或多个元件的间接连接。此外，当使用术语“上或下”时，它可以指相对于元件的向下方向以及向上方向。此外，诸如“第一”和“第二”、“之上/上部/上方”和“之下/下部/下方”的关系术语不一定需要或包括器件或元件之间的任何物理或逻辑关系或序列，并且还可以仅用于将一个器件或元件与另一个器件或元件区分开。附图中的层和区域的厚度可以被夸大、省略或示意性描述，以方便地和精确地描述。另外，各组件的尺寸不与其实际尺寸完全一致。实施例的荧光体组合物可以包括：绿色荧光体，由蓝光激发并且发射绿光；第一红色荧光体，由蓝光激发并且发射第一红光；以及第二红色荧光体，发射第二红光。在实施例中，第一红色荧光体可以是氮化物系列的荧光体，第二红色荧光体可以是氟系列的荧光体。激发实施例的荧光体组合物中所含荧光体的蓝光的发射波长可以为350nm至500nm。图1a和图1b分别是示出绿色荧光体的激发波长和发射波长的光谱的视图。在图1a至图1b的曲线图中，绿色1至绿色3分别表示实施例的荧光体组合物中所包含的绿色荧光体的激发波长和发射波长的光谱数据。参考图1a，绿色荧光体可以具有380nm至500nm的激发波长。具体地，绿色荧光体可以主要由具有380nm至420nm的波长范围的光激发。参考图1b，绿色荧光体的发射中心波长可以为530nm至545nm。实施例的荧光体组合物中所包含的绿色荧光体可以是β-sialon:eu2+荧光体。例如，绿色荧光体可以是si6-zalzozn8-z:eu2+(本文中，0<z<2)。图2a和图2b分别是示出第一红色荧光体的激发波长和发射波长的光谱的视图。在图2a和图2b中，氮化物红色1至氮化物红色6分别表示实施例的荧光体组合物中所包含的第一红色荧光体的激发波长和发射波长的光谱数据。参考图2a，可以在380nm至500nm的宽波段中激发第一红色荧光体。此外，参考图2b，第一红色荧光体的发射中心波长可以为620nm至665nm。基于氮化物的第一红色荧光体可以由化学式asialn:eu2+表示。本文中，a可以是sr(锶)和ca(钙)中的至少一种。图3a和图3b分别是示出第二红色荧光体的激发波长和发射波长的光谱的视图。参考图3a，可以在400nm至500nm的波段中激发第二红色荧光体。具体地，第二红色荧光体的激发波长可以为400nm至480nm，并且在大约450nm的波长范围内，激发效率高。此外，参考图3b，第二红色荧光体的发射中心波长可以是620nm至640nm。具体地，在图3b的发射波长光谱中，第二红色荧光体可以在630nm至635nm附近展现出发射峰。与第一红色荧光体相比，第二红色荧光体可以在大约635nm的窄波段中具有尖发射中心波长。通过在荧光体组合物中包括具有窄的半高全宽的第二红色荧光体，实施例可以展现高的色彩再现率。可用化学式k2mf6:mn4+表示第二红色荧光体，即基于氟的荧光体。本文中，m可以是si(硅)、ge(锗)和ti(钛)中的至少一种。在实施例的荧光体组合物中，相对于整个荧光体的重量，包含的绿色荧光体的重量比可以为20wt％至90wt％，包含的第一红色荧光体的重量比可以为0.1wt％至15wt％，包含的第二红色荧光体的重量比可以为40wt％至90wt％。当所包含的第一红色荧光体的重量比为0.1wt％或更少时，可能不会展现出通过使用基于氮化物的红色荧光体的成分而改善热稳定性的效果。同时，当所包含的第一红色荧光体的重量比为15wt％或更多时，会减弱通过使用第二红色荧光体来改善光通量和色彩再现率的效果。此外，包含的绿色荧光体的重量比可以是20wt％至50wt％被，包含的第一红色荧光体的重量比可以是0.1wt％至10wt％，包含的第二红色荧光体的重量比可以是40wt％至80wt％。例如，在实施例的荧光体组合物中，所包含的第一红色荧光体的重量比可以是1wt％至5wt％。图4是示出根据实施例的发光器件封装200的视图。根据实施例的发光器件封装200可以包括：本体部130；形成在本体部130上的空腔150；以及布置在空腔150中的发光器件110，其中本体部130可以包括用于与发光器件110电连接的引线框架142和144。发光器件110可以布置在空腔150内的底表面上，并且模塑部件可以布置在空腔150中同时围绕发光器件110。模塑部件可以包括如上所述的实施例的荧光体组合物。本体部130可以形成为包括硅树脂材料、合成树脂材料或金属材料，并且可以具有包含侧表面和底表面的空腔150，空腔150的顶部是敞开的。空腔150可以形成为杯形、凹形容器形状等。空腔150的侧表面可以相对于其底表面垂直或倾斜地形成，并且尺寸和形状可以变化。从顶部观察的空腔150的形状可以是圆形、多边形、椭圆形等，并且其边缘可以具有弯曲形状，但不限于此。本体部130可以包括与发光器件110电连接的第一引线框架142和第二引线框架14。当本体部130由诸如金属材料等的导电材料制成时，尽管未示出，绝缘层可以涂覆在本体部130的表面上，以防止第一引线框架142与第二引线框架144之间的电短路。第一引线框架142和第二引线框架144彼此电隔离，并且可以向发光器件110提供电流。此外，第一引线框架142和第二引线框架144可以反射由发光器件110产生的光以增大光学效率，并且在发光器件110中产生的热量可以被排放到外部。发光器件110可以布置在空腔150中并且布置在本体部130上，或者布置在第一引线框架142或第二引线框架144上。待布置的发光器件110可以是水平发光器件等，而不是垂直发光器件。在图4所示的实施例中，发光器件110布置在第一引线框架142上，并且可以经由导线146连接到第二引线框架144。然而，除了引线接合方法，发光器件110也可以通过倒装芯片接合方法或芯片接合方法连接到引线框架。在根据实施例的图4的发光器件封装200中，可以形成模塑部件，围绕发光器件110并填充空腔150的内部。此外，模塑部件可以形成为包括具有多个荧光体160、170和172的实施例的荧光体组合物和树脂。模塑部件可以包括树脂和荧光体160、170和172，并且可以布置成围绕发光器件110以保护发光器件110。树脂可以与模塑部件中的荧光体组合物混合并且一起使用，并且这种树脂可以是硅树脂、环氧树脂和丙烯酸树脂或其混合物中的任一种形式。此外，可以由从发光器件110发射的光来激发荧光体160、170和172，以发射其波长被转换的光。例如，从发光器件110发射的光可以是蓝光，并且发光器件封装200的模塑部件可以包括被蓝光激发以发射绿光的绿色荧光体160、被蓝光激发以发射红光的第一红色荧光体170和第二红色荧光体172。尽管附图中未示出，但是模塑部件可以设置成圆顶形状，其填充空腔150并且高于空腔150的侧部高度，并且其还可以布置成变形的圆顶形状以便调整发光器件封装200的光输出角度。模塑部件围绕并且保护发光器件110，并且可以作用为用于改变从发光器件110发射的光的路径的透镜。图5是示出发光器件110的一个实施例的视图，并且发光器件110可以包括支撑衬底70、发光结构20、欧姆层40和第一电极80。发光结构20包括第一导电型半导体层22、有源层24和第二导电型半导体层26。第一导电型半导体层22可以由诸如iii-v族或ii-vi族等的化合物半导体形成，并且可以掺杂有第一导电掺杂剂。第一导电型半导体层22可以由algan、gan、inalgan、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的一种或多种形成，它们是具有组成式alxinyga(1-x-y)n(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料。当第一导电型半导体层22是n型半导体层时，第一导电掺杂剂可以包括诸如si、ge、sn、se和te等的n型掺杂剂。第一导电型半导体层22可以形成为单层或多层，但不限于此。有源层24布置在第一导电型半导体层22与第二导电型半导体层26之间，并且可以包括双异质结构、单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(mqw)结构、量子点结构和量子线结构中的任意一种。有源层24可以由阱层和势垒层形成，例如使用iii-v族元素的化合物半导体，algan/algan、ingan/gan、ingan/ingan、algan/gan、inalgan/gan和gaas(ingaas)/algaas和gap(ingap)/algap中的至少一种对结构，但不限于此。阱层可以由具有能带隙比势垒层的能带隙小的材料形成。第二导电型半导体层26可以由半导体化合物形成。第二导电型半导体层26可以由诸如iii-v族或ii-vi族等的化合物半导体形成，并且可以掺杂有第二导电掺杂剂。第二导电型半导体层26可以由algan、ganalinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的一种或多种形成，它们是组成式为inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1))的半导体材料。例如，第二导电型半导体层26可以由alxga(1-x)n形成。当第二导电型半导体层26是p型半导体层时，第二导电掺杂剂可以是诸如mg、zn、ca、sr、ba等的p型掺杂剂。第二导电型半导体层26可以形成为单层或多层，但不限于此。第一导电型半导体层22的表面可以形成图案，从而提高光提取效率。此外，第一电极80可以布置在第一导电型半导体层22的表面上。尽管未示出，其上布置有第一电极80的第一导电型半导体层22的表面可以不被图案化。第一电极80可以形成为包括铝(al)、钛(ti)、铬(cr)、镍(ni)和金(au)中至少一种的单层或多层结构。钝化层90可以在发光结构20的周围形成。钝化层90可以由绝缘材料制成，并且绝缘材料可以由非导电氧化物或氮化物制成。例如，钝化层90可以由氧化硅(sio2)层、氮氧化物层或氧化铝层制成。第二电极可以布置在发光结构20的下方，并且欧姆层40和反射层50可以充当第二电极。gan布置在第二导电型半导体层26的下方，使得可以将电流或空穴顺利地供应到第二导电型半导体层26。欧姆层40可以具有约200埃的厚度。欧姆层40可以形成为包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟铝锌(iazo)、铟镓锌氧化物(igzo)、氧化铟镓锡(igto)、氧化铝锌(azo)、氧化锑锡(ato)、氧化镓锌(gzo)、氮化铟(izon)、al-gazno(agzo)、in-gazno(igzo)zno、irox、ruox、nio、ruox/ito、ni/irox/au和ni/irox/au/ito、ag、ni、cr、ti、al、rh、pd、ir、sn、in、ru、au和hf中的至少一种，但不限于上述材料。反射层50可以由包含钼(mo)、铝(al)、银(ag)、镍(ni)、铂(pt)、铑(rh))或包括al、ag、pt或rh的合金的金属层形成。反射层50有效地反射在有源层24中产生的光，从而极大地提高了半导体器件的光提取效率。支撑衬底70可以由包括金属、半导体材料等的导电材料形成。导电性或导热性优异的金属可以用于支撑衬底70，并且由于必须充分地释放在操作半导体器件期间产生的热量，所以支撑衬底70可以由具有高导热性的材料(例如金属等)形成。例如，支撑衬底70可以由选自包含下述的组的材料形成：钼(mo)、硅(si)、钨(w)、铜(cu)和铝(al))或其合金。此外，可以选择性地包括金(au)、铜合金(cu合金)、镍(ni)、铜-钨(cu-w)、载体晶片(例如，可以使用gan、si、ge、gaas、zno、sige、sic、sige和ga2o3中的至少一个)等。支撑衬底70可以具有50μm至200μm的厚度以具有足够的机械强度，以通过划线工艺和断裂工艺将其分离成单独的芯片，而不会导致整个氮化物半导体翘曲。接合层60将反射层50和支撑衬底70结合，并且可以由选自包含金(au)、锡(sn)、铟(in)、铝(al)、硅(si)、银(ag)、镍(ni)和铜(cu)或其合金的群的材料形成。图5所示的发光器件110的实施例是垂直发光器件的实施例。然而，在图4所示的发光器件封装200的实施例中，除了图5所示的垂直发光器件之外，还可以布置水平发光器件和倒装芯片发光器件。此时，发光器件110可以发射蓝光波长范围的光。包括图5所示实施例的发光器件的图4的发光器件封装的实施例可以发射白光。下文中，将参照表格和附图对实施例的发光器件封装中的高温可靠性测试结果进行说明。表1示出在高温以及高温高湿度稳定性测试所使用的发光器件封装的实施例中，所包括的比较例和示例的荧光体组合物的构造。在表1中，比较例1仅仅包括绿色荧光体和基于氮化物的红色荧光体(也就是第一红色荧光体)，比较例2仅仅包括绿色荧光体和基于氟的红色荧光体(也就是第二红色荧光体)，示例1和示例2示出包含第一和第二红色荧光体和绿色荧光体的荧光体组合物的组成比。所包含的第一红色荧光体和第二红色荧光体的比例可以按照上述红色荧光体的重量比，并且第一红色荧光体和第二红色荧光体的重量比可以为1:12至1:30，如下表1所示。在表1中，以示例示出每个荧光体的重量比。但是在本发明中，荧光体组合物的重量比的范围不限于以下实施例。表1[表1]分类比较例1比较例2示例1示例2绿色荧光体80wt％30wt％38wt％48wt％第一红色荧光体20wt％2wt％4wt％第二红色荧光体70wt％60wt％48wt％表2至表4示出对于包括表1的荧光体组合物的实施例的发光器件封装，在温度为60℃下的高温可靠性测试的结果。表2示出随着时间的推移，在60℃的温度下测量光通量的变化的结果。此外，表3和表4示出在60℃的温度下，根据时间的发光器件封装的色坐标变化值。此外，表3对应于cx的变化值，表4对应于cy的变化值。图6a至图6c是示出对于表2至表4的示例1，光通量变化(dflux)、cx变化(dcx)和cy变化(dcy)的曲线图。另外，图7a至图7c是示出对于在表2至表4的结果中的示例2，光通量变化(dflux)、cx变化(dcx)和cy变化(dcy)的曲线图。表2[表2]表3[表3]分类02505007501000比较例10.0000-0.0011-0.0014-0.0015-0.0017比较例20.0000-0.0020-0.0050-0.0069-0.0076示例10.0000-0.0019-0.0041-0.0054-0.0062示例20.0000-0.0014-0.0029-0.0039-0.0042表4[表4]分类02505007501000比较例10.0000-0.0038-0.0042-0.0037-0.0044比较例20.0000-0.0036-0.0048-0.0048-0.0057示例10.0000-0.0037-0.0048-0.0046-0.0058示例20.0000-0.0038-0.0047-0.0044-0.0051当参考表2至表4和图6进行描述时，在发光器件封装包括示例1的荧光体组合物的情形下，在60℃下经过1000小时的光通量值和色坐标cy的变化值与比较例2中的那些值的类似，但是可以看出，与比较例2相比，色坐标cx的变化值得到改善。也就是说，当与仅仅包括第二红色荧光体的比较例2比较时，可以看出，在示例1的情形下，通过包括第一红色荧光体，维持或提高了60℃下的高温可靠性。另外，参考表2和图7a，由于在60℃下经过1000小时的发光器件封装的光通量的相对值比仅仅包括第二红色荧光体的比较例2的相对值高，所以在示例2的情形下，可以看出光通量减少。参考表3和表4以及图7b和图7c，对于色坐标的变化量，在仅仅包括具有绿色荧光体和第一红色荧光体(也就是基于氮化物的荧光体)的比较例1的情形下，由于随着时间色坐标的变化量是最小的，所以可以看出，热稳定性最好。在比较例2的情形下，由于仅仅包括具有热稳定性相对较低的基于氟的红色荧光体，所以色坐标的变化幅度增大。然而，在发光器件封装包括具有示例2的组成比的荧光体组合物的情形下，可以看出，与使用仅包括第二红色荧光体的荧光体组合物的比较例2相比，高温下的颜色变化程度降低。因此，参考表2至表4和图6和图7，在根据实施例的荧光体组合物中，同时包括第一红色荧光体和第二红色荧光体。因此，与仅包括第二红色荧光体的比较例2相比，可以在保持改善的光通量的同时提高热稳定性，从而具有减少光通量和色坐标的变化量的效果。表5至表7示出在85℃的高温条件下测量的光学特性的变化。表5示出在85℃的高温条件下随时间变化的光通量的相对值，表6和表7示出在85℃的温度下随着时间推移的发光器件封装的色坐标变化值，并且分别对应于cx和cy的变化值。另外，图8和图9分别示出表5至表7的变化值，a表示光通量变化值(dflux)，b表示cx变化值(dcx)，c表示cy变化值(dcy)，图8和图9分别是示出示例1和示例2的情形的曲线图。表5[表5]分类02505007501000比较例1100.0％97.2％96.9％96.9％95.4％比较例2100.0％97.3％95.2％93.8％91.1％示例1100.0％97.3％95.9％95.1％93.1％示例2100.0％97.7％96.7％96.3％94.6％表6[表6]分类02505007501000比较例10.0000-0.0014-0.0015-0.0020-0.0022比较例20.0000-0.0039-0.0076-0.0106-0.0116示例10.0000-0.0031-0.0059-0.0080-0.0089示例20.0000-0.0026-0.0046-0.0060-0.0065表7[表7]分类02505007501000比较例10.0000-0.0039-0.0042-0.0041-0.0053比较例20.0000-0.0045-0.0059-0.0068-0.0083示例10.0000-0.0040-0.0049-0.0053-0.0064示例20.0000-0.0037-0.0046-0.0046-0.0055参考表5和图8，在比较例2的情形下，在85℃下经过1000小时之后，与可靠性测试开始之前的时间(0小时)相比，光通量减少大约10％。然而，在示例1中，仅观察到光通量降低大约7％。因此，可以看出，示例1在高温下的热稳定性得到了改善。根据表6和表7以及图8b和图8c中所示的色坐标的变化，还可以看出与比较例2相比，在示例1的情形下，色坐标的变化降低了。此外，参考表5和图99a，在示例2中，仅仅观察到光通量降低大约5％至6％，因此在示例2的情形下，可以看出，由于光通量值的变化与比较例1中的光通量值的变化类似，所以改善了高温下的热稳定性。此外，参考示出色坐标变化量的表6和表7以及图9b和图9c，在示例2的情形下，其除了包括基于氟的红色荧光体之外还包括基于氮化物的红色荧光体，可以看出，与比较例2相比，色坐标的变化幅度降低了。表8至表10和图10和图11示出在85℃和85％湿度条件(其是高温高湿度的可靠性条件)下的光学特性的变化。表8示出在85℃和85％湿度条件下随时间推移的光通量的变化，表9示出cx色坐标的变化值，表10示出cy色坐标的变化值。表8[表8]分类02505007501000比较例1100.0％96.5％93.7％87.7％76.2％比较例2100.0％96.6％93.7％88.9％79.3％示例1100.0％96.1％94.1％90.3％84.6％示例2100.0％96.4％94.8％90.1％84.4％表9[表9]分类02505007501000比较例10.0000-0.0016-0.0034-0.0061-0.0113比较例20.0000-0.0045-0.0086-0.0112-0.0159示例10.0000-0.0034-0.0066-0.0088-0.0114示例20.0000-0.0028-0.0049-0.0069-0.0093表10[表10]分类02505007501000比较例10.0000-0.0046-0.0071-0.0108-0.0217比较例20.0000-0.0051-0.0067-0.0092-0.0160示例10.0000-0.0051-0.0062-0.0085-0.0118示例20.0000-0.0051-0.0060-0.0085-0.0121参照表8至表10和图10和图11，当与高温(85℃)条件相比较时，在比较例1和2以及示例1和2的所有情形下，光学特性的变化是大的。然而，能够确认与比较例2相比较，在示例1和2的情形下具有改进的可靠性测试结果。表3至表10中的每个值表示发光器件封装随时间推移的色坐标变化值，如表2所示。具体地，当与高温条件(85℃)下的实验相比较时，可以看出，在过去1000小时的条件下，在示例1和2的情形下的光通量和色坐标的变化比小于比较例1情形下的光通量和色坐标的变化，从而展现出改进的可靠性测试结果。也就是说，在如上所述示例的荧光体组合物(其中混合了绿色荧光体和不同化合物系列的红色荧光体)和发光器件封装包含上述荧光体组合物的情形下，通过作为第一红色荧光体的基于氮化物的红色荧光体的影响，能够获得改善在高温或高温高湿下的稳定性的效果，同时通过作为第二红色荧光体的基于氟的荧光体来改善光通量和再现率的光特性。下文中，将描述图像显示装置和照明装置作为其中布置有上述发光器件封装200的照明系统的一个实施例。根据实施例的多个发光器件封装200可以排列在衬底上，并且作为光学构件的导光板、棱镜片、扩散片等可以布置在发光器件封装200的路径上。发光器件封装200、衬底和光学构件可以用作背光单元。此外，可以实现包括根据实施例的发光器件封装200的显示装置、指示装置和照明装置。本文中，显示装置可以包括底盖、布置在底盖上的反射板、发射光的发光模块、布置在反射板前方并且配置为在向前方向上引导从发光模块发射的光的导光板、包括布置在导光板前方的棱镜片的光学片、布置在光学片前方的显示面板、与显示面板连接并且配置为将图像信号供应至显示面板的图像信号输出电路、以及布置在显示面板前方的滤色器。本文中，底盖、反射板、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。此外，照明装置可以包括衬底、包括根据实施例的发光器件封装200的光源模块、散热光源模块的热量的散热器、以及电源，其中电源处理或转换从外部提供的电信号并且将经处理或转换的电信号提供给光源模块。例如，照明装置可以包括电灯、头灯、路灯等。头灯可以包括发光模块，该发光模块包括：布置在衬底上的发光器件封装200；反射器，其以预定方向(例如向前方向)反射从发光模块发射的光；透镜，其折射反射器在向前方向上反射的光；以及遮光物，其阻挡或反射从反射器反射并指向透镜的光的一部分，以形成设计者期望的光分布图案。在上述视频显示装置和照明装置的情形下，通过使用如上所述的实施例的荧光体组合物或本实施例的发光器件封装，可以提高光通量和色彩再现率。此外，能够减少高温条件下的诸如光通量变化量和色坐标等光学特性的降低，从而提高可靠性。上述实施例的描述仅仅是示例。对于本领域普通技术人员显而易见的是，该实施例可以容易地被实施为许多不同的形式，而不改变其技术思想或基本特征。例如，可以修改和实现本文描述的实施例的元件。而且，应当理解，与修改和应用相关的差异包含在由所附权利要求书限定的本发明的范围内。工业实用性根据实施例的荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置能够改善诸如光通量和色彩再现率等的光学特性，并且提高高温或高温高湿度下的稳定性。当前第1页12