1.一种粘接片，通过在与铜引线框接触的状态下维持175℃5小时使其固化、接着在85℃、85％RH下维持24小时后的260℃的粘接力为1MPa以上，
通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的260℃的储能模量为10MPa～100MPa，
通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的玻璃化转变温度为100℃以下，
通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的热导率为1W/m·K以上。
2.根据权利要求1所述的粘接片，其包含树脂成分，
所述树脂成分包含丙烯酸类聚合物，
所述树脂成分100重量％中的所述丙烯酸类聚合物的含量为5重量％～14重量％。
3.根据权利要求1所述的粘接片，其包含树脂成分，
所述树脂成分包含环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂。
4.根据权利要求3所述的粘接片，其中，所述树脂成分100重量％中的所述环氧树脂的含量为10重量％～60重量％。
5.根据权利要求1所述的粘接片，其包含填料，
所述填料的含量为75重量％以上。
6.根据权利要求5所述的粘接片，其中，所述填料的平均粒径为1μm～5μm。
7.根据权利要求1所述的粘接片，其厚度为30μm以下。
8.根据权利要求1所述的粘接片，其包含具有选自由二硫基、四硫基以及硫醇基组成的组中的至少1种基团的硅烷偶联剂。
9.一种切割带一体型粘接片，其包含：
包括基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割带，和
配置在所述粘合剂层上的、权利要求1～8中任一项所述的粘接片。
10.一种薄膜，其包含：
隔膜，和
配置在所述隔膜上的、权利要求9所述的切割带一体型粘接片。
11.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
在权利要求1～8中任一项所述的粘接片上压接半导体晶圆的工序；
在所述粘接片上压接所述半导体晶圆的工序之后，通过进行芯片分割而形成包含半导体芯片和配置在所述半导体芯片上的粘接薄膜的芯片接合用芯片的工序；和
将所述芯片接合用芯片压接于引线框的工序。
12.一种半导体装置，其是通过权利要求11所述的制造方法而得到的。
13.一种粘接片，其包含环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂和填料，
所述填料的含量为75重量％以上。
14.一种切割带一体型粘接片，其包含：
包括基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割带，和
配置在所述粘合剂层上的、权利要求13所述的粘接片。
15.一种薄膜，其包含：
隔膜，和
配置在所述隔膜上的、权利要求14所述的切割带一体型粘接片。
16.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
在权利要求13所述的粘接片上压接半导体晶圆的工序；
在所述粘接片上压接所述半导体晶圆的工序之后，通过进行芯片分割而形成包含半导体芯片和配置在所述半导体芯片上的粘接薄膜的芯片接合用芯片的工序；和
将所述芯片接合用芯片压接于引线框的工序。
17.一种半导体装置，其是通过权利要求16所述的制造方法而得到的。