技术特征：
技术总结
本发明公开了一种环保型压接式硅芯片腐蚀屏蔽保护材料及其生产工艺，保护材料为甲组分和乙组分按照10:1的重量比混合制成的耐高温耐酸碱屏蔽保护胶带膜卷；甲组分包括：三乙胺、马来酸酐、聚氯乙烯、纳米氧化铝、纳米氧化铝、丁基锡酸、聚丙烯、硅微粉、过氧化二乙酰、硅胶、聚酰亚胺、环氧树脂、乙醇、丙烯酸丁酯、丙烯酸、环戊烯、偶氮二异丁腈、丙烯酸树脂、石蜡、聚四氟乙烯。本发明替代了传统的平板压接式硅芯片真空封蜡屏蔽保护工艺，能够快速对芯片进行表面屏蔽保护，耐温150℃，耐酸耐碱腐蚀，可直接粘贴屏蔽保护部位，去除时直接撕除，使用便捷且无残留，杜绝了二甲苯、丙酮等有机溶剂的使用，减少了VOCs挥发性有机物的排放，节能高效环保。
技术研发人员：戴薇;方明;潘跃飞;戴立新;冯立康;郑成林
受保护的技术使用者：黄山市七七七电子有限公司
技术研发日：2019.01.22
技术公布日：2019.05.10