1.一种组合物，其包含
(i)一或多种选自h5io6或hio4的七价氧化剂；
(ii)氢氧化烷基铵化合物或氢氧化烷基鏻化合物；
(iii)水；
其中所述组合物的ph为约9至约12.5。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中烷基铵化合物选自氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化三丁基甲基铵、氢氧化苯甲基三甲基铵、氢氧化胆碱、氢氧化乙基三甲基铵、氢氧化三(2-羟乙基)甲基铵、氢氧化二乙基二甲基铵和其组合。
3.根据权利要求2所述的组合物，其中所述烷基铵化合物为氢氧化四甲基铵。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氢氧化烷基鏻化合物选自氢氧化四丁基鏻、氢氧化四甲基鏻、氢氧化四乙基鏻、氢氧化四丙基鏻、氢氧化苯甲基三苯基鏻、氢氧化甲基三苯基鏻、氢氧化乙基三苯基鏻和氢氧化正丙基三苯基鏻和其组合。
5.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包含
(iv)碳酸盐/碳酸氢盐缓冲化合物。
6.根据权利要求5所述的组合物，其中所述缓冲化合物通过用二氧化碳鼓泡所述组合物而原位形成。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中组分(i)以约0.01至20重量％的量存在；组分(ii)以约0.02至40重量％的量存在；其中(i)、(ii)组分(iii)的总和为100％。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中组分(i)以约0.5至10重量％的量存在；组分(ii)以约1至20重量％的量存在；其中(i)、(ii)组分(iii)的总和为100％。
9.根据权利要求1所述的组合物，其中组分(i)以约1至5重量％的量存在；组分(ii)以约2至10重量％的量存在；其中(i)、(ii)组分(iii)的总和为100％。
10.根据权利要求7所述的组合物，其进一步包含
(iv)约0.01至5重量％的量的碳酸盐/碳酸氢盐缓冲化合物，其中(i)、(ii)、(iii)和(iv)的总和为100％。
11.根据权利要求8所述的组合物，其进一步包含
(iv)约0.1至2重量％的量的碳酸盐/碳酸氢盐缓冲化合物，其中(i)、(ii)、(iii)和(iv)的总和为100％。
12.根据权利要求9所述的组合物，其进一步包含
(iv)约0.2至1重量％的量的碳酸盐/碳酸氢盐缓冲化合物，其中(i)、(ii)、(iii)和(iv)的总和为100％。
13.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包含至少一种腐蚀抑制剂。
14.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氧化剂为h5io6。
15.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氧化剂为hio4。
16.一种用于从微电子装置去除钌和/或铜的方法，所述方法包含使电子装置与根据权利要求1所述的组合物在充足条件下接触持续充足时间以从所述微电子装置至少部分地去除所述钌和/或铜。