本发明属于化工技术领域，具体涉及一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液。
背景技术：
有源矩阵有机发光二极体显示器是一种用于显示通过特定的传输设备传输的一定的电子文件的画面并反射至人眼，以方便使用者获取想要的信息的附属装置，其在画面显示的领域中得到了广泛的使用。蚀刻液是通过利用侵蚀材料的特性来进行雕刻的一种液体，在目前工业生产，尤其微电子加工领域具有广泛的用途。但目前用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液较少，且蚀刻液的渗透性弱、蚀刻效率不高、蚀刻角度不精准，都严重影响了蚀刻效果。
技术实现要素：
为此，本发明实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，以解决现有技术中蚀刻液的渗透性弱、蚀刻效率不高、蚀刻角度不精准，都严重影响了蚀刻效果的问题。
为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
根据本发明实施例的第一方面，提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，包括按质量百分比计算的以下组分：15-45％的磷酸、1-10％的硝酸、5-25％的苹果酸、0.2-0.6％的渗透剂、10-14％的亚硝酰氯和1-8％的磷酸二氢盐组成，余量为去离子水。
进一步的，所述的蚀刻液，包括按质量百分比计算的以下组分：25％的磷酸、3％的硝酸、6％的苹果酸、0.25％的渗透剂、7％的亚硝酰氯、10％的磷酸二氢钾组成，余量为去离子水。
进一步的，所述的蚀刻液包括按质量百分比计算的以下组分：30％的磷酸、2.5％的硝酸、8％的苹果酸、0.25％的渗透剂、13％的亚硝酰氯、12％的磷酸二氢钾组成，余量为去离子水。
进一步的，所述的蚀刻液包括按质量百分比计算的以下组分：30％的磷酸、3.5％的硝酸、5％的苹果酸、0.3％的渗透剂、13％的亚硝酰氯、15％的磷酸二氢钾组成，余量为去离子水。
进一步的，所述蚀刻液的使用温度为40-70℃。
进一步的，所述蚀刻液的使用温度为65℃。
根据本发明实施例的第二方面，提供一种蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、称取制备蚀刻液的各种原料，备用；
步骤二、将硝酸加入到去离子水中，之后向去离子水中依次加入磷酸、磷酸二氢钾、亚硝酰氯，搅拌均匀后制得混合物，备用；
步骤三、向步骤二制备的混合物中加入渗透剂和苹果酸，搅拌均匀后制得所述的蚀刻液。
进一步的，步骤二中在向去离子水中依次加入磷酸、磷酸二氢钾、亚硝酰氯时，边搅拌边加入各组分。
进一步的，所述的步骤三包括将步骤二制备的混合物静置10s以上，之后放入转速为1000r/min的搅拌机中搅拌，搅拌期间依次加入渗透剂和苹果酸，且渗透剂和苹果酸的加入时间间隔3s以上。
根据本发明实施例的第三方面，提供一种蚀刻液于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜中的应用。
本发明实施例具有如下优点：本发明实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，合理调配各组分及用量，由于将硝酸、苹果酸和亚硝酰氯配合使用，使蚀刻液渗透性强，蚀刻效率高，蚀刻角度准，蚀刻线条平整，均匀且不会有残留。此外，由于本申请的蚀刻液对步骤二制备的混合物静置10s以上，之后放入转速为1000r/min的搅拌机中搅拌，搅拌期间依次加入渗透剂和苹果酸，能够将渗透剂和苹果酸充分混合到混合物中，从而提升蚀刻液的均匀性，此外，限定渗透剂与苹果酸的加入时间间隔能够降低苹果酸对渗透剂的影响，从而提升蚀刻液的渗透性。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义，下述实施例中的实验材料，若无特别说明，均是来源于商业途径，所述的实验方法，若无特别说明，均为通用实验方法。
针对现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案，如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
实施例1
本实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，包括按质量百分比计算的以下组分：45％的磷酸、1％的硝酸、5％的苹果酸、0.2％的渗透剂、10％的亚硝酰氯和1％的磷酸二氢盐组成，余量为去离子水。
实施例2
本实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，包括按质量百分比计算的以下组分：15％的磷酸、10％的硝酸、25％的苹果酸、0.6％的渗透剂、14％的亚硝酰氯和8％的磷酸二氢盐组成，余量为去离子水。
实施例3
本实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，包括按质量百分比计算的以下组分：30％的磷酸、5.5％的硝酸、15％的苹果酸、0.4％的渗透剂、12％的亚硝酰氯和4.5％的磷酸二氢盐组成，余量为去离子水。
实施例4
本实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，包括按质量百分比计算的以下组分：25％的磷酸、3％的硝酸、6％的苹果酸、0.25％的渗透剂、7％的亚硝酰氯、10％的磷酸二氢钾组成，余量为去离子水。
实施例5
本实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，包括按质量百分比计算的以下组分：30％的磷酸、2.5％的硝酸、8％的苹果酸、0.25％的渗透剂、13％的亚硝酰氯、12％的磷酸二氢钾组成，余量为去离子水。
实施例6
本实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液，包括按质量百分比计算的以下组分：30％的磷酸、3.5％的硝酸、5％的苹果酸、0.3％的渗透剂、13％的亚硝酰氯、15％的磷酸二氢钾组成，余量为去离子水。
上述实施例1-6在使用时的温度为40-70℃；尤其当温度为65℃时，效果最佳。
实施例7
本实施例提供一种蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、称取制备蚀刻液的各种原料，备用；
步骤二、将硝酸加入到去离子水中，之后向去离子水中依次加入磷酸、磷酸二氢钾、亚硝酰氯，搅拌均匀后制得混合物，备用；
步骤三、向步骤二制备的混合物中加入渗透剂和苹果酸，搅拌均匀后制得所述的蚀刻液。
进一步的，步骤二中在向去离子水中依次加入磷酸、磷酸二氢钾、亚硝酰氯时，边搅拌边加入各组分。
进一步的，所述的步骤三包括将步骤二制备的混合物静置10s以上，之后放入转速为1000r/min的搅拌机中搅拌，搅拌期间依次加入渗透剂和苹果酸，且渗透剂和苹果酸的加入时间间隔3s以上。
实施例8
本实施例提供一种蚀刻液于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜中的应用。
试验一
用实施例4-6制备的蚀刻液对有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜进行蚀刻，检测结果如下表所示：
实验结果表明：上述实施例结果表明本发明制备的蚀刻液对有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜进行蚀刻线条侧向损失cdloss<1.5um、tape角度30～60度均符合标准，达到了蚀刻角度准，蚀刻线条平整的效果；此外，还大大提升了蚀刻速率，本申请的蚀刻速率均在38um/min以上。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。