(TC，然 后通入氧气，氧气的流量为20sccm，氧压为3Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉冲 激光的频率为10化，脉冲激光的能量为150mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[0090] (3)将所述发光材料前体在0. 01化的氧气氛围中，60(TC下退火处理化得到筑铁 酸盐发光材料，结构式为Ga2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 03訊3+，0. 02化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度 为 160nm。
[0091] 实施例5
[009引一种筑铁酸盐发光材料，结构式为Ga2Sc2Ti30i2 ;0. 01訊3+，0. 01化3+，所述筑铁酸盐 发光材料的制备方法包括W下步骤：
[0093] (1)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 01 ;0. 0025的摩尔比分别称取Ga2〇3, Sc2〇3, Ti〇2， 訊化和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在9〇(TC下烧结化，得到 规格为〇50X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0094] (2)WIT0玻璃为衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗5分钟，再对其 进行等离子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置所述衬底和所述陶瓷祀材 的距离为45mm，用机械粟和分子粟把腔体的真空度抽到1. 0 X l(T3Pa，衬底温度为25CTC，然 后通入氧气，氧气的流量为lOsccm，氧压为0. 5Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉 冲激光的频率为甜Z，脉冲激光的能量为80mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[0095] (3 )将所述发光材料前体在0. 1化的氧气氛围中，50(TC下退火处理比得到筑铁酸 盐发光材料，结构式为Ga2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 01訊3+，0. 01化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度为 95nm。
[0096] 实施例6
[0097] -种筑铁酸盐发光材料，结构式为Ga2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 05訊3+，0. 03化3+，所述筑铁酸盐 发光材料的制备方法包括W下步骤：
[009引 （1)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 05 ;0. 0075的摩尔比分别称取Ga203, Sc203, Ti02， 訊02和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在130(TC下烧结比，得 到规格为050X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0099] (2)WIT0玻璃为衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗5分钟，再对其 进行等离子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置所述衬底和所述陶瓷祀材 的距离为95mm，用机械粟和分子粟把腔体的真空度抽到1. 0 X 1(T中a,衬底温度为75(TC，然 后通入氧气，氧气的流量为40sccm，氧压为5Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉冲 激光的频率为15化，脉冲激光的能量为300mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[0100] (3)将所述发光材料前体在0. 001化的氧气氛围中，80(TC下退火处理化得到筑铁 酸盐发光材料，结构式为Ga2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 05訊3+，0. 03化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度 为 280nm。
[0101] 实施例7
[010引一种筑铁酸盐发光材料，结构式为Iri2Sc2Ti30i2 ;0. 03訊3+，0. 02化3+，所述筑铁酸盐 发光材料的制备方法包括W下步骤：
[010引 （1)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 03 ;0. 005的摩尔比分别称取1化03, Sc203, Ti02， 訊02和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在125(TC下烧结化，得 到规格为050X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0104] (2)WIT0玻璃为衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗5分钟，再对其 进行等离子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置所述衬底和所述陶瓷祀材 的距离为60mm，用机械粟和分子粟把腔体的真空度抽到5. 0X l(T4Pa，衬底温度为50(TC，然 后通入氧气，氧气的流量为20sccm，氧压为3Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉冲 激光的频率为10化，脉冲激光的能量为150mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[0105] (3)将所述发光材料前体在0. 01化的氧气氛围中，60(TC下退火处理化得到筑铁 酸盐发光材料，结构式为In2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 03訊3+，0. 02化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度 为 170nm。
[0106] 实施例8
[0107] 一种筑铁酸盐发光材料，结构式为Iri2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 01訊3+，0. 01化3+，所述筑铁酸盐 发光材料的制备方法包括W下步骤：
[010引 （1)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 01 ;0. 0025的摩尔比分别称取1叫03, Sc203, Ti02， 訊化和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在90(TC下烧结比，得到 规格为050X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0109] (2)WIT0玻璃为衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗5分钟，再对其 进行等离子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置所述衬底和所述陶瓷祀材 的距离为45mm，用机械粟和分子粟把腔体的真空度抽到1. 0X l(T3Pa，衬底温度为250°C，然 后通入氧气，氧气的流量为lOsccm，氧压为0. 5Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉 冲激光的频率为甜Z，脉冲激光的能量为80mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[0110] (3)将所述发光材料前体在0. 1化的氧气氛围中，50(TC下退火处理化得到筑铁酸 盐发光材料，结构式为In^ScJisOis :〇. 〇lSb3+，0. 01化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度为 85nm。
[0111] 实施例9
[011引一种筑铁酸盐发光材料，结构式为Iri2Sc2Ti30i2 ;0. 05訊3+，0. 03化3+，所述筑铁酸盐 发光材料的制备方法包括W下步骤：
[011引 （1)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 05 ;0. 0075的摩尔比分别称取In203，Sc203，Ti02， 訊化和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在1300°C下烧结化，得 到规格为050X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0114] (2)WIT0玻璃为衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗5分钟，再对其 进行等离子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置所述衬底和所述陶瓷祀材 的距离为95mm，用机械粟和分子粟把腔体的真空度抽到1. 0 X 1(T中a,衬底温度为75CTC，然 后通入氧气，氧气的流量为40sccm，氧压为5Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉冲 激光的频率为甜Z，脉冲激光的能量为300mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[0115] (3 )将所述发光材料前体在0. 001化的氧气氛围中，50(TC下退火处理比得到筑铁 酸盐发光材料，结构式为In2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 05訊3+，0. 03化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度 为 290nm。
[0116] 实施例10
[0117] 一种筑铁酸盐发光材料，结构式为Tl2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 03訊3+，0. 02化3+，所述筑铁酸盐 发光材料的制备方法包括W下步骤：
[om] (1)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 03 ;0. 005的摩尔比分别称取化〇3, Sc2〇3, Ti〇2， 訊化和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在125(TC下烧结化，得 到规格为〇50X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0119] (2)WIT0玻璃为衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗5分钟，再对其 进行等离子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置所述衬底和所述陶瓷祀材 的距离为60mm，用机械粟和分子粟把腔体的真空度抽到5. 0 X l(T4Pa，衬底温度为50(TC，然 后通入氧气，氧气的流量为20sccm，氧压为3Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉冲 激光的频率为10化，脉冲激光的能量为150mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[0120] (3)将所述发光材料前体在0. 01化的氧气氛围中，60(TC下退火处理化得到筑铁 酸盐发光材料，结构式为Tl2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 03訊3+，0. 02化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度 为 190nm。
[0121] 实施例11
[012引一种筑铁酸盐发光材料，结构式为Tl2SC2Ti30i2 ;0. 01訊3+，0. 01化3+，所述筑铁酸盐 发光材料的制备方法包括W下步骤：
[0123] (1)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 01 ;0. 0025的摩尔比分别称取TI2O3, Sc2〇3, Ti〇2， 訊化和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在9〇(TC下烧结化，得到 规格为〇50X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0124] (2)WIT0玻璃为衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗5分钟，再对其 进行等离子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置所述衬底和所述陶瓷祀材 的距离为45mm，用机械粟和分子粟把腔体的真空度抽到1. 0 X l(T3Pa，衬底温度为2