5CTC，然 后通入氧气，氧气的流量为lOsccm，氧压为0. 5Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉 冲激光的频率为甜Z，脉冲激光的能量为80mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[01巧](3)将所述发光材料前体在0. 1化的氧气氛围中，50(TC下退火处理化得到筑铁酸 盐发光材料，结构式为Tl2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 01訊3+，0. 01化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度为 lOOnm。
[0126] 实施例12
[0127] 一种筑铁酸盐发光材料，结构式为Tl2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 05訊3+，0. 03化3+，所述筑铁酸盐 发光材料的制备方法包括W下步骤：
[0128] (1)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 05 ;0. 0075的摩尔比分别称取TI2O3, Sc2〇3, Ti〇2， 訊〇2和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在13〇(TC下烧结比，得 到规格为〇50X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0129] (2)WIT0玻璃为衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗5分钟，再对其 进行等离子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置所述衬底和所述陶瓷祀材 的距离为95mm，用机械粟和分子粟把腔体的真空度抽到1. 0 X 1(T中a,衬底温度为75(TC，然 后通入氧气，氧气的流量为40sccm，氧压为5Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉冲 激光的频率为15化，脉冲激光的能量为300mJ，在衬底上沉积得到发光材料前体；
[0130] (3)将所述发光材料前体在0. 001化的氧气氛围中，80(TC下退火处理比得到筑铁 酸盐发光材料，结构式为Tl2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 05訊3+，0. 03化3+，所述发光材料为发光薄膜，厚度 为 300nm。
[0131] 实施例13
[0132] 图3是本实施例提供的一种薄膜电致发光器件的结构示意图。如图3所示，该薄 膜电致发光器件，包括依次层叠设置的衬底1、阳极2、发光层3和阴极4,所述发光层的材质 为实施例1制备的筑铁酸盐发光材料。
[0133] 该薄膜电致发光器件的制备方法，包括W下步骤：
[0134] (1)取带有IT0导电薄膜的玻璃衬底，先后用丙丽、无水己醇和去离子水超声清洗 5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净的带有IT0导电薄膜的玻璃衬底进行等离 子处理后置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；IT0导电薄膜的厚度为lOOnm ;
[01巧](2)在IT0导电薄膜表面制备发光层：
[013引 （a)制备陶瓷祀材：按1 ;1 ;3 ;0. 03 ;0. 005的摩尔比分别称取AI2O3, Sc203, Ti02， 訊02和化407粉体，将所述粉体均匀混合后压片得到生逐，所述生逐在125(TC下烧结化，得 到规格为050X2mm的陶瓷祀材，并将该祀材置于脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中；
[0137] (b)将所述陶瓷祀材安装在脉冲激光沉积设备的真空锻膜室中，设置基祀间距为 60mm，用机械粟和分子粟把真空锻膜室腔体的真空度抽到5. 0Xl(r4Pa，衬底温度为50(TC， 然后通入氧气，氧气的流量为20sccm，氧压为3Pa，采用KrF气体准分子激光器为加热源，脉 冲激光的频率为10化，脉冲激光的能量为150mJ，在IT0导电薄膜表面沉积得到发光薄膜前 体，所述发光薄膜前体的厚度为180nm ;
[0138] (C)调整真空锻膜室内的氧压到0.0 lPa，然后在60(TC下对所述发光薄膜前体退 火处理化，得到筑铁酸盐发光薄膜，结构式为Al2Sc2Ti3〇i2 ;〇. 03訊3+，0. 02化;
[0139] (3)在所述发光层表面蒸锻阴极，所述阴极的材质为银(Ag)，采用的真空度为 0.0 OlPa，蒸锻速率为15A/s，厚度为80皿。
[0140] 本实施例提供的薄膜电致发光器件的具体结构，包括依次层叠设置的玻璃衬底1 ; 阳极2,为lOOnm厚的IT0导电薄膜；发光层3,为180nm厚的AlsScsTisO。；〇. 03訊3+，0. 〇2化3+ 发光薄膜；阴极4,为80皿厚的Ag。
[0141] 图4为实施例13制备的薄膜电致发光器件的电压与电流和亮度关系图，在图4中 曲线1是电压与电流密度关系曲线，可看出器件从5. 5V开始发光，曲线2是电压与亮度关 系曲线，最大亮度为110cd/m2,表明器件具有良好的发光特性。
[0142] W上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用W限制本发明，凡在本发明的精 神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种钪钛酸盐发光材料，其特征在于，所述钪钛酸盐发光材料的结构式为 R2Sc 2Ti3012 :xSb3+，yTb3+，其中，R 为 Al，Ga，In 或 Tl，x 的取值范围为 0? 01 ~0? 05, y 的取值 范围为0? 005~0? 03。
2. 根据权利要求1所述的钪钛酸盐发光材料，其特征在于，所述钪钛酸盐发光材料的 结构式中x的取值为0. 03, y的取值为0. 01。
3. -种钪钛酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 制备组成为 R2〇3 ? Sc203 ? 3Ti02 ? xSb02 ? y/4Tb407 的陶瓷靶材，其中，R 为 Al，Ga，In 或Tl，x的取值范围为0. 01~0. 05, y的取值范围为0. 005~0. 03 ; (2) 将衬底和所述陶瓷靶材置于脉冲激光沉积设备的真空镀膜室中，在衬底上沉积得 到发光材料前体； (3) 将所述发光材料前体进行退火处理，得到钪钛酸盐发光材料，所述钪钛酸盐发光材 料的结构式为R2Sc 2Ti3012 :xSb3+，yTb3+，其中，R为Al，Ga，In或Tl，x的取值范围为0.01~ 〇? 05, y的取值范围为0? 005~0? 03。
4. 根据权利要求3所述的钪钛酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，步骤（1)中制备 所述陶瓷靶材的步骤包括：称取R2〇 3, Sc203, Ti02, 513〇2和1\07粉体均匀混合得到混合物， 所述混合物在900°C~1300°C下烧结形成陶瓷靶材；所述混合物中R 2O3，Sc2O3，TiO2，SbO0P Tb 407的摩尔比为1 :1 :3 :x :y/4,其中，R为Al，Ga，In或Tl，x的取值范围为0.01~0.05， y的取值范围为0.005~0.03。
5. 根据权利要求4所述的钪钛酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，所述混合物中 R203，Sc 203，Ti02，Sb0jP Tb407 的摩尔比为 1 :1 :3 :0? 03 :0? 0025,其中，R 为 Al，Ga, In 或 T1 ; 所述烧结工艺采用的烧结温度为1250°C。
6. 根据权利要求3所述的钪钛酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，步骤（2)中 所述激光脉冲沉积过程的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，真空度为1. OX 1(T3~ 1. 0X10_5Pa，衬底温度为250°C~750°C，脉冲激光的频率为5Hz~15Hz，脉冲激光的能量 为80mJ~300mJ，以氧气为辅助气体，氧气流量为lOsccm~40sccm，氧压为0. 5Pa~5Pa。
7. 根据权利要求3所述的钪钛酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，步骤（3)中 所述退火处理的方式为：在衬底上沉积发光材料前体后，调整真空镀膜室内的真空度为 0.0 OlPa~0.1 Pa，在500~800°C下退火处理1~3小时，其中，退火气氛为氧气。
8. -种薄膜电致发光器件，包括依次层叠设置的衬底、阳极、发光层和阴极，其特 征在于，所述发光层的材质为钪钛酸盐发光材料，所述钪钛酸盐发光材料的结构式为 R 2Sc2Ti3012 :xSb3+，yTb3.，其中，R 为 Al，Ga，In 或 Tl，x 的取值范围为 0? 01 ~0? 05, y 的取值 范围为0? 005~0? 03。
9. 根据权利要求8所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述钪钛酸盐发光材料的 结构式中x的取值为0. 03, y的取值为0. 01。
10. -种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 提供具有阳极的衬底； (2) 在所述阳极表面通过脉冲激光沉积的方式制备发光层，所述发光层的材质为钪 钛酸盐发光材料，所述钪钛酸盐发光材料的结构式为R 2Sc2Ti3012 :XSb3+，yTb3+，其中，R为 Al，Ga，In或Tl，x的取值范围为0. 01~0. 05, y的取值范围为0. 005~0. 03 ; (3)在所述发光层的表面蒸镀阴极，得到所述薄膜电致发光器件。
【专利摘要】本发明提供了一种钪钛酸盐发光材料及其制备方法，所述钪钛酸盐发光材料的结构式为R2Sc2Ti3O12：xSb3+,yTb3+，其中，R为Al,Ga,In或Tl，x的取值范围为0.01～0.05，y的取值范围为0.005～0.03。所述发光材料的电致发光谱中，在490nm和580nm位置有很强的发光峰，在发光与显示技术、激光与光电子技术以及探测技术等领域具有潜在的应用前景。本发明还提供了一种薄膜电致发光器件及其制备方法。
【IPC分类】C09K11-78, C09K11-80, H01L33-50
【公开号】CN104673310
【申请号】CN201310616840
【发明人】周明杰, 王平, 陈吉星, 黄辉
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年11月27日