1.一种用于PI薄膜亚胺化的加热装置，其特征在于：
包括上下相对放置的上层加热组件(1)和下层加热组件(2)，上层加热组件(1)和下层加热组件(2)之间为加热区域；
上层加热组件(1)和下层加热组件(2)均包括至少一块发热元件(3)，发热元件(3)背面设有电极(4)，所述发热元件(3)通过电极(4)并排固定在绝缘支架(5)上。
2.根据权利要求1所述的用于PI薄膜亚胺化的加热装置，其特征在于，所述发热元件(3)为陶瓷红外线辐射器。
3.根据权利要求2所述的用于PI薄膜亚胺化的加热装置，其特征在于，所述陶瓷红外线辐射器为弧形。
4.根据权利要求1所述的用于PI薄膜亚胺化的加热装置，其特征在于，所述电极(4)与绝缘支架(5)之间通过螺栓固定连接。