本实用新型涉及半导体塑封技术领域，具体来说涉及半导体塑封模具的排气结构。
背景技术：
DFN(双边扁平无铅封装)是一种小型电子元器件的封装形式的名称。其中，如图1所示，型号Tiny(Q)DFN的引线框架20在塑封时采用的模具10为真空模设计，其包括下模块11及上模块14以及模具对合后形成于下模块11与上模块14之间的型腔，所述型腔与模具10的注塑口15及排气口16连通；如图2及图3所示，所述下模块10顶部凹设形成下模穴12，所述下模穴12成形为阶梯式凹槽，所述下模穴12由下往上扩大槽口并成形有第一阶槽121及第二阶槽122，所述第一阶槽121的深度相当于胶带膜21的厚度并用于容置所述胶带膜21，所述第二阶槽122的深度相当于引线框架20的厚度并用于容置所述引线框架20，且所述下模块10在所述下模穴12下方设有真空孔道13与所述下模穴12的底面贯通。借此，在合模塑封之前，利用下模块11的真空孔道13真空吸平固定料片(包括引线框架20及胶带膜21)，确保合模过程中不会触碰到待塑封料片上的引线(铜线或金线)。
值得注意的是，所述下模块11的真空孔道13在清理模具或生产活动中容易被异物堵塞，导致下模块11失去真空吸附作用，使引线框架20发生如图3所示的凸起现象，无法平贴于下模穴11底面；进而当塑封料30向塑封模具的型腔内注射时，如图4所示，料片的凸起部位将受到塑封料30的推挤朝向排气口16累积形变量，使得料片的凸起现象随着塑封料30的推进而更加严重，最终导致靠近排气口16的几排芯片及其引线有触碰到上模块14造成塌线的风险，有待进一步改善。
技术实现要素：
鉴于上述情况，本实用新型提供一种半导体塑封模具的排气结构，通过移除塑封模具下模块的真空孔道并于下模穴的第一阶槽与第二阶槽之间形成排气槽，以在料片置入模具后，使位在最下方的第一阶槽通过所述排气槽与模具的排气口连通排气，解决了现有塑封模具因真空孔道及下模穴结构导致的料片凸起以及真空模维护不易等技术问题，本实用新型的塑封模具有效实现了现有真空模应有的使料片平贴功能外，同时避免了真空孔受堵塞导致的生产质量问题。
为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是提供一种半导体塑封模具的排气结构，所述塑封模具包括上模块及下模块，所述上模块的底部内凹形成上模穴，所述下模块的顶部内凹形成下模穴，所述上模穴与所述下模穴对合形成型腔以及与其连通并位于所述型腔相对两侧的注塑口及排气口；其中，所述排气结构包括：所述下模块的下模穴是自底部朝向顶部扩张的阶梯式凹槽，所述下模穴成形有第一阶槽及第二阶槽，所述第一阶槽具有所述下模穴的底面以及围设于所述底面周侧的第一阶立面界定形成，所述第二阶槽具有围设于所述第一阶立面周侧的第二阶平面以及第二阶立面界定形成；所述第二阶平面上沿注塑方向间隔设有若干排气槽，所述排气槽与所述型腔的排气口连通。
本实用新型的实施例中，所述塑封模具用于塑封半导体料片，所述料片包括引线框架以及固设于所述引线框架底面的胶带膜；所述第一阶槽用于容置所述胶带膜，所述胶带膜的面积小于所述第一阶槽的面积，且所述胶带膜的厚度小于或等于所述第一阶槽的深度；所述第二阶槽用于容置所述引线框架，所述引线框架的周缘底侧贴合于所述第二阶平面上。
较佳地，本实用新型的实施例中，所述胶带膜的厚度小于所述第一阶槽的深度，令所述胶带膜容置于所述第一阶槽时，所述胶带膜的底面与所述下模穴的底面之间具有2～3μm的间隙。
较佳地，本实用新型的实施例中，所述胶带膜的厚度大于所述排气槽的深度。
本实用新型的实施例中，所述排气槽成形为矩形槽，所述排气槽于所述第一阶立面上成形有侧开口，所述排气槽于所述第二阶平面上成形有顶开口。
本实用新型的实施例中，所述塑封模具用于塑封半导体料片，所述料片包括引线框架以及固设于所述引线框架底面的胶带膜；所述排气槽的顶开口包括与所述第二阶立面连接的外侧端以及朝向所述型腔内部并所述侧开口连通的内侧端；令所述引线框架容置于所述第二阶槽时，所述顶开口朝向所述型腔内部的一端被所述引线框架遮蔽，所述第一阶槽内部通过所述排气槽的侧开口与所述顶开口的外侧端连通至所述型腔的排气口。
较佳地，本实用新型的实施例中，所述第二阶平面沿注塑方向形成的相对两侧平面；所述排气槽设于其中一侧平面上。
本实用新型由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果：
(1)本实用新型半导体塑封模具通过在下模块的下模穴内增设排气槽并在引线框架的胶带膜下方预留间隙，有效实现了现有真空模应有的功能，使料片下方的气体能够通过排气槽连通至排气口排出，避免料片凸起；并通过所述间隙形成料片在合模后的形变缓冲空间，避免料片上的引脚在合模后直接与上模块接触而导致塌线的风险。
(2)本实用新型塑封模具与现有塑封模具的真空下模块相比，由于移除了真空孔，从避免了真空孔容易堵塞的问题，并省去维护真空孔的工作，有效提高塑封工序的整体工作效率且方便生产。
本实用新型的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明和权利要求得以充分体现，并可通过所附权利要求中特地指出的手段、装置和它们的组合得以实现。
附图说明
图1是现有半导体塑封模具与料片的立体分解结构示意图。
图2是图1的圆框内结构局部放大示意图。
图3是料片在现有半导体塑封模具内凸起的状态示意图。
图4是料片在现有半导体塑封模具内被塑封料挤压而凸起严重的状态示意图。
图5是本实用新型半导体塑封模具与料片的立体分解结构示意图。
图6是图5的圆框内结构局部放大示意图。
图7是料片通过下模块的排气槽平整贴合在本实用新型半导体塑封模具内的状态示意图。
图8是图7的圆框内结构局部放大示意图。
附图标记与部件的对应关系如下：
模具10；下模块11；下模穴12；第一阶槽121；第二阶槽122；真空孔道13；上模块14；注塑口15；排气口16；引线框架20；胶带膜21；塑封料30；上模块40；上模穴41；下模块50；下模穴51；底面511；第一阶槽52；第一阶立面521；第二阶槽53；第二阶平面531；第二阶立面532；排气槽54；侧开口541；顶开口542；型腔60；注塑口61；排气口62；间隙S。
具体实施方式
为利于对本实用新型的了解，以下结合附图及实施例进行说明。
请参阅图5至图8，本实用新型提供一种半导体塑封模具的排气结构，所述塑封模具包括上模块及下模块，用以将包括引线框架20及胶带膜21的料片置于模内后，注入塑封料30至型腔60中完成料片的塑封工序。
其中，所述上模块40及所述下模块50皆为型腔镶块；所述上模块的底部内凹形成上模穴，所述下模块的顶部内凹形成下模穴，所述上模穴与所述下模穴对合形成型腔以及与其连通并位于所述型腔相对两侧的注塑口及排气口。
如图5、图6所示，本实用新型半导体塑封模具的排气结构包括形成在下模穴51内并所述排气口62连通的排气槽54，以令下模穴51置入料片后，能够顺利将料片底下的气体经由所述排气槽54连通至所述排气口62排出，避免料片在下模穴51凸起影响产品制造的良率，同时由于本实用新型塑封模具不具有真空孔道，免除了对真空孔道的维护工作，有效提升工作效率。
如图6、图7及图8所示，所述下模块的下模穴是自底部朝向顶部扩张的阶梯式矩形凹槽，所述下模穴成形有第一阶槽及第二阶槽，所述第一阶槽具有所述下模穴的底面以及围设于所述底面周侧的第一阶立面界定形成，所述第二阶槽具有围设于所述第一阶立面周侧的第二阶平面以及第二阶立面界定形成；所述第二阶平面上沿注塑方向在靠近所述排气口62的一侧，间隔设有若干所述排气槽，所述排气槽与所述型腔的排气口连通。
具体地，如图5、图7所示，所述胶带膜21固设于所述引线框架底面；所述第一阶槽用于容置所述胶带膜，所述第二阶槽用于容置所述引线框架。其中，如图6、图8所示，所述胶带膜的面积较佳小于所述第一阶槽的面积，以令胶带膜21置入第一阶槽52后，在胶带膜21周缘与第一阶立面521之间形成利于排气的间隙；所述引线框架置入所述第二阶槽53后，以周缘底侧贴合于所述第二阶平面上。
于本实用新型实施例中，如图8所示，所述胶带膜的厚度小于或等于所述第一阶槽的深度。较佳地，所述胶带膜的厚度小于所述第一阶槽的深度，且所述胶带膜容置于所述第一阶槽时，所述胶带膜的底面与所述下模穴的底面之间具有2～3μm的间隙；借此，当引线框架20及胶带膜21在合模前未平整贴合于下模穴51内部时，在合模冲胶过程中，料片可以向所述间隙S延伸，预防引线框架20上表面的引线触碰到上模块40，造成塌线的风险。
如图5、图6所示，所述排气槽具体成形为矩形槽，所述排气槽于所述第一阶立面上成形有侧开口，所述排气槽于所述第二阶平面上成形有顶开口。其中，所述排气槽的顶开口包括与所述第二阶立面连接的外侧端以及朝向所述型腔内部并所述侧开口连通的内侧端；令所述引线框架容置于所述第二阶槽时，所述顶开口朝向所述型腔内部的一端被所述引线框架遮蔽，所述第一阶槽内部通过所述排气槽的侧开口与所述顶开口的外侧端连通至所述型腔的排气口。
于本实用新型实施例中，如图8所示，所述排气槽的深度较佳小于所述胶带膜的厚度。
以上结合附图及实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本实用新型做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本实用新型的限定，本实用新型将以所附权利要求书界定的范围作为本实用新型的保护范围。