加工热流道系统的方法_4

文档序号:8481311阅读:来源:国知局
其是妥协的设计);和/或(5)熔体流动控制结构(110)的几何形状可以从复杂的球鼻角钻头变化至仅仅拉平歧管熔体沟槽(108),使得其是椭圆熔体沟槽,可以形成或用于替换圆形或环形的歧管熔体沟槽(108)。
[0042]可以使用歧管配件(102)(其是两片设计)在熔体沟槽内部生产的熔体流动控制结构(110)的类型或结构可以从歧管主体(103)的熔体流中简单分裂至复杂的交叉-钻孔型混合器。熔体流动控制结构(110)的令人感兴趣的方面是熔体流动控制结构(110)允许操纵歧管熔体沟槽(108)内的熔融的树脂,使得其可以预测(通过使用有限的元素分析技术)和控制熔融的树脂的流动。熔体流动控制结构(110)允许的能力包括(但不限于)歧管熔体沟槽(108)中流动控制特征或结构,其中熔体流动控制结构(110)可以是最有效的。使用歧管配件(102)(两片设计),熔体流动控制结构(110)可以直接加工为歧管主体
(103),使得熔体流动控制结构(110)的特征不限制歧管主体(103)的设计的尺寸或形状。可以加工为歧管主体(103)的特征可以定制为特定树脂、熔体沟槽布置和加工条件。熔体流动控制结构(110)的特征可以对于歧管配件(102)是唯一的。
[0043]图2A示出熔体流动控制结构(110),其部分加工至第一歧管主体(104)(可以是所谓的顶部),并且还部分加工至第二歧管主体(106)(可以是所谓的底部)。
[0044]图2B示出第一歧管主体(104)和第二歧管主体(106),它们结合在一起以制备或形成歧管配件(102),其中熔体流动控制结构(110)被装配和完成。将意识到,熔体流动控制结构(110)可以仅仅被加工在第一歧管主体(104)上,或者第二歧管主体(106)上,或者第一歧管主体(104)和第二歧管主体(106)上。熔体流动控制结构(110)可以沿着歧管熔体沟槽(108)加工至任何位置。将意识到,图2A中所示的熔体流动控制结构(110)仅仅表示为直线元件,熔体流动控制结构(110)可以沿着歧管熔体沟槽(108)中的曲线加工。还将意识到,恪体流动控制结构(110)通过例子在歧管恪体沟槽(108)中的一个特定位置示出,并且熔体流动控制结构(110)可以使用改变的沟槽长度和直径加工至多个位置。熔体流动控制结构(I1)的加工可以围绕歧管熔体沟槽(108)中的弯曲或分裂来紧接歧管熔体沟槽(108) ο
[0045]图3示出图1的热流道系统(100)的示意图。熔体流动控制结构(110)示出为延长的菱形结构,其位于歧管熔体沟槽(108)中。热流道系统(100)还包括(但不限于):位于歧管主体(103)中的功能插件(112),并且功能插件(112)和歧管熔体沟槽(108)相互作用。功能插件(112)(即,一个或多个功能插件)可以放置在歧管熔体沟槽(108)中,例如混合器元件(未示出)和/或挡板元件(未示出)等。功能插件(112)可以通过使用自由形状生产技术(之前所述)来一体地加工至歧管主体(103),然后歧管主体(103)的两个阀被放置和炖制在一起。或者,功能插件(112)可以生产为和歧管主体(103)单独的组件(即,本身不使用任何自由形状生产技术而是使用其他常规技术),然后功能插件可以在合适位置处容纳在歧管主体(103)中,然后密封在歧管主体(103)内部,通过连续FFF或将歧管主体(103)的两个阀炖制在一起。混合器元件被构造为混合熔融的树脂流动通过歧管熔体沟槽(108)。挡板元件被构造为偏斜熔融的树脂流动通过歧管熔体沟槽(108)。挡板元件可以用于平坦化(改变,调节,操纵)切变性能流动熔体),之后熔体流在歧管熔体沟槽(108)中分裂。改变或操纵流动熔体的切变性能的目的是产生流峰,其具有对称的切变性能,并且从喷口降至喷口降是一致的。
[0046]注意到,前面列出一些更加相关的非限制性实施方案。因此,尽管描述特定的布置和方法,但是所述方面的意图和概念适用于和可用于其他布置和应用。本领域技术人员将明白,在不偏离独立权利要求的范围的条件下可以对公开的实施方案进行修改。应该理解,所述的实施方案仅仅示意性示出独立权利要求。
【主权项】
1.一种加工热流道系统(100)的方法,包括: 加工第一歧管主体(104); 加工第二歧管主体(106); 加工熔体流动控制结构(110);并且 将所述第一歧管主体与所述第二歧管主体连接到一起从而使两者限定出歧管熔体沟槽(108)且所述熔体流动控制结构位于所述歧管熔体沟槽中,并且其中所述熔体流动控制结构被构造为控制熔融的树脂通过歧管熔体沟槽的流动。
2.权利要求1所述的方法,其中:加工所述熔体流动控制结构包括将所述熔体流动控制结构一体化加工至所述第二歧管主体。
3.权利要求1所述的方法,其中:加工所述第一歧管主体包括制造所述第一歧管主体和铸造所述第一歧管主体的另外制造之一。
4.权利要求1所述的方法,其中:加工所述第二歧管主体包括制造所述第二歧管主体和铸造所述第二歧管主体的另外制造之一。
5.权利要求4所述的方法,其中:加工所述熔体流动控制结构包括与所述第二歧管主体一体化加工所述熔体流动控制结构和与所述第二歧管主体一体化铸造所述熔体流动控制结构的另外制造之一。
6.权利要求1所述的方法,其中:加工所述第二歧管主体包括在所述第二歧管主体上加工非线性熔体流动控制结构。
7.权利要求6所述的方法,其中:将所述第一歧管主体与所述第二歧管主体烧结到一起从而限定出歧管熔体沟槽且所述熔体流动控制结构位于所述歧管熔体沟槽的弯曲处。
8.权利要求1所述的方法,进一步包括功能插件(112)其中将所述第一歧管主体和所述第二歧管主体连接到一起包括将所述功能插件密封在所述第一歧管主体与所述第二歧管主体之间限定的熔体沟槽中。
9.根据权利要求8所述的方法,其中:所述功能插件为混合元件或熔体鳍状物或熔体分裂器之一 O
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述熔体流动控制结构为混合元件或熔体分裂器之一O
11.根据权利要求1所述的方法,其中:所述熔体流动控制结构被部分加工至所述第一歧管主体同时部分加工至所述第二歧管主体。
12.—种加工热流道系统(100)的方法,其特征在于,包括 另外制造一体化的歧管主体(103),所述一体化的歧管主体限定: 歧管熔体沟槽(108);和 与所述歧管熔体沟槽相互作用的熔体流动控制结构(110)。
13.根据权利要求12所述的方法,其中:所述熔体流动控制结构与所述一体化歧管一体化地另外制造。
14.根据权利要求12所述的方法,其中:所述歧管熔体沟槽为非线性。
15.根据权利要求14所述的方法,其中:所述熔体流动控制结构位于所述歧管熔体沟槽的弯曲处。
16.根据权利要求12所述的方法,其中:所述熔体流动控制结构为混合元件、熔体鳍状物、熔体分裂器中的一个。
【专利摘要】热流道系统(100),包括:(i)限定歧管熔体沟槽(108)的歧管主体(103);以及(ii)与歧管熔体沟槽(108)接口的熔体流动控制结构(110),其中熔体流动控制结构(110)一体化加工至歧管主体(103)。
【IPC分类】B29C33-38, B29C45-27
【公开号】CN104802365
【申请号】CN201510202283
【发明人】达尔林·阿尔伯特·麦克莱奥德
【申请人】赫斯基注塑系统有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2010年10月8日
【公告号】CA2780872A1, CN102639308A, EP2509761A1, EP2509761A4, US8535049, US20120156323, WO2011071592A1
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