本实用新型涉及晶体炉装置，具体是一种可常温控温的晶体炉装置。
背景技术：
晶体炉装置是量子光学实验和激光器件类实验中的一个重要实验器件，用于安装放置非线性晶体或者激光晶体。
目前，有一些光学器件类的公司生产相关的产品，国内如福建福晶科技股份有限公司、上海羽宸光电科技有限公司、上海昊量光电设备有限公司等，配合这些公司生产的温度控制器，可将晶体的温度控制在工作温度点，控温精度在±0.1℃；国外如Thorlabs和Stratophase公司也推出了相应的产品，配合这些公司生产的温度控制器，可将晶体的温度较稳定控制在工作温度点，控温精度在0.002℃。各个公司设计的晶体炉装置和温度控制器各不相同，针对晶体炉装置，晶体炉装置的主体部分材质以及保温措施各有差别，控温精度也不尽相同。并且在量子光学实验中，受晶体尺寸和设计的光学腔大小的影响，不是现有的这些产品都能满足实验要求。
技术实现要素：
为了克服现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种结构紧凑、稳定性好、保温性能优良的可常温控温的晶体炉装置。
本实用新型提供的一种可常温控温的晶体炉装置，包括晶体炉盖板、晶体炉炉体、制冷元件、散热底座、第一铟箔片、第二铟箔片、第三铟箔片、第四铟箔片和保温罩；第一铟箔片和第二铟箔片依次放置在晶体炉盖板和晶体炉炉体之间，第三铟箔片放置在晶体炉炉体和制冷元件之间，第四铟箔片放置在制冷元件和散热底座之间；晶体炉盖板由尼龙螺丝固定在晶体炉炉体上，晶体炉炉体由尼龙螺丝固定在散热底座上，保温罩由尼龙螺丝固定在散热底座上；待控温的晶体放置在晶体炉炉体上的凹槽处，热敏电阻由导热胶带固定在晶体炉炉体的前端面处。
所述的晶体炉盖板、晶体炉炉体和散热底座由紫铜材料加工而成，加工成型后材料表面镀银。
所述的保温罩由聚芳砜材料加工而成。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果：
(1)可常温控温的晶体炉装置中，可根据晶体尺寸来设计晶体炉盖板和晶体炉炉体的大小，以实现结构紧凑，体积小巧。
(2)可常温控温的晶体炉装置中使用了铟箔片，铟箔片具有良好的延展性和导热性，第一铟箔片、第二铟箔片、第三铟箔片和第四铟箔片使晶体炉盖板、晶体炉炉体、制冷元件和散热底座之间紧密接触，达到良好的热传导作用；第一铟箔片和第二铟箔片紧密包裹待控温的晶体，同样实现了晶体与晶体炉之间良好的热传导，以实现稳定控温。
(3)可常温控温的晶体炉装置中，晶体炉盖板由尼龙螺丝固定在晶体炉炉体上，晶体炉炉体由尼龙螺丝固定在散热底座上，保温罩由尼龙螺丝固定在散热底座上，以达到晶体炉装置机械结构稳定。尼龙螺丝的紧固力度适中，能很好地保护夹在晶体炉盖板和晶体炉炉体之间的待控温晶体不被外力损坏，同时实现固定晶体位置的作用；另外尼龙螺丝导热性差，能很好地隔离晶体炉炉体和散热底座之间的热传导，以利于稳定控温。
(4)可常温控温的晶体炉装置中，保温罩由聚芳砜材料加工而成，聚芳砜材料比通常使用的聚四氟乙烯材料等，保温性能更好。
总之，本实用新型提供了一种结构紧凑、稳定性好、保温性能优良的可常温控温的晶体炉装置。本实用新型针对量子光学实验中的PPKTP和KTP晶体，配合山大宇光公司生产的常温控温仪，可将晶体的温度稳定控制在工作温度点，控温精度达到0.001℃。
附图说明
图1为本实用新型的一种可常温控温的晶体炉装置的结构示意图；
图2为本实用新型的一种可常温控温的晶体炉装置的立体结构示意图；
图中：1、晶体炉盖板，2、晶体炉炉体，3、制冷元件，4、散热底座，5、第一铟箔片，6、第二铟箔片，7、第三铟箔片，8、第四铟箔片，9、保温罩，10、待控温的晶体放置位置，11、热敏电阻放置位置
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
如图1-2所示的一种可常温控温的晶体炉装置，包括晶体炉盖板1、晶体炉炉体2、制冷元件3、散热底座4、第一铟箔片5、第二铟箔片6、第三铟箔片7、第四铟箔片8和保温罩9；第一铟箔片5和第二铟箔片6依次放置在晶体炉盖板1和晶体炉炉体2之间，第三铟箔片7放置在晶体炉炉体2和制冷元件3之间，第四铟箔片8放置在制冷元件3和散热底座4之间；晶体炉盖板1由尼龙螺丝固定在晶体炉炉体2上，晶体炉炉体2由尼龙螺丝固定在散热底座4上，保温罩9由尼龙螺丝固定在散热底座4上；待控温的晶体放置在晶体炉炉体2上的凹槽10处，热敏电阻由导热胶带固定在晶体炉炉体2的前端面11处。
所述的晶体炉盖板1、晶体炉炉体2和散热底座4由紫铜材料加工而成，加工成型后材料表面镀银。
所述的保温罩9由聚芳砜材料加工而成。
图2为本实用新型的一种可常温控温的晶体炉装置的立体结构示意图。图中，待控温的晶体放置在晶体炉炉体2上的凹槽10处，保温罩9在其前后端面留有通光孔，保温罩9由尼龙螺丝固定在散热底座4上。可常温控温的晶体炉装置是一个机械结构稳定的整体。
针对实验中的PPKTP晶体，晶体尺寸为1*5*20mm3(高度*宽度*长度)，可常温控温的晶体炉装置中，晶体炉盖板1的尺寸为5*20*22mm3，晶体炉炉体2的尺寸为8*30*22mm3，晶体炉炉体2上的凹槽10的尺寸为1.05*5.45*22mm3，制冷元件3的尺寸为4*20*20mm3，散热底座4的尺寸为10*42*34mm3；铟箔片的厚度为0.2mm；尼龙螺丝为M2的尼龙螺丝；热敏电阻为EPCOS公司的热敏电阻，型号B57541G1103+000。该可常温控温的晶体炉装置配合山大宇光公司生产的YG-4S精密温度控制仪，可以精密控制PPKTP晶体的温度，实验中控制晶体温度在34.490℃，4小时控温精度为0.001℃。