技术总结
本实用新型提供一种可常温控温的晶体炉装置，包括晶体炉盖板(1)、晶体炉炉体(2)、制冷元件(3)、散热底座(4)、第一铟箔片(5)、第二铟箔片(6)、第三铟箔片(7)、第四铟箔片(8)和保温罩(9)；待控温的晶体放置在晶体炉炉体(2)上的凹槽(10)处，热敏电阻由导热胶带固定在晶体炉炉体(2)的前端面(11)处。该晶体炉结构紧凑、稳定性好、保温性能优良，配合山大宇光公司生产的YG‑4S精密温度控制仪，可将晶体温度精确控制在工作温度点，控温精度达到0.001℃。该装置可应用在激光器件中和量子光学实验中。
技术研发人员：刘建丽;翟泽辉
受保护的技术使用者：山西大学
文档号码：201720025040
技术研发日：2017.01.10
技术公布日：2017.08.08