1.一种微通道与纳米棒阵列的复合结构，包括：
微通道结构，设置在基板上，用于提供高渗透率；以及
纳米棒阵列结构，设置在所述微通道结构的表面，用于提高所述微通道结构的毛细压力；
其中，所述微通道结构中的微通道包括N条，N条所述微通道并列设置，N≥1。
2.根据权利要求1所述的微通道与纳米棒阵列的复合结构，所述纳米棒阵列结构中：纳米棒的直径介于5nm至900nm之间，所述纳米棒的长度介于100nm至50μm之间。
3.根据权利要求1所述的微通道与纳米棒阵列的复合结构，所述微通道的横截面为矩形、梯形、三角形或圆弧形。
4.根据权利要求1所述的微通道与纳米棒阵列的复合结构，其中：
所述微通道的宽度介于10μm至950μm之间；
所述微通道的深度介于10μm至2000μm之间；
两相邻所述微通道的间距介于20μm至2000μm之间。
5.根据权利要求1所述的微通道与纳米棒阵列的复合结构，所述基板为铝、铝合金、铜、铜合金、半导体、陶瓷或氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的微通道与纳米棒阵列的复合结构，所述纳米棒阵列结构为铝纳米棒阵列结构、铝化合物纳米棒阵列结构、铜纳米棒阵列结构、铜化合物纳米棒阵列结构、半导体纳米棒阵列结构、陶瓷纳米棒阵列结构或氧化物纳米棒阵列结构中的至少一种。