一种晶片烘干装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶片烘干装置。
【背景技术】
[0002]在晶片的制造过程中，表面会有油污、化学药剂、蜡、金属的残留，清洗站用于将这些残留物清洗掉，清洗后的晶片需要进行烘干。现有的烘干装置为普通烤箱，对晶片的单一位置烘干，使晶片受热不均，导致晶片的一面烘干不到位，而另一面容易烤坏。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型提供了一种晶片烘干装置，它结构设计合理，使用方便，能够使晶片表面均匀受热，晶片的两面均能烘干到位且不会被烤坏，解决了现有技术中存在的问题。
[0004]本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是:它包括工作台、一个主动齿轮和若干个从动齿轮，所述主动齿轮和从动齿轮均可转动的安装在工作台上，主动齿轮与从动齿轮啮合，若干个从动齿轮均布在主动齿轮周围；所述主动齿轮通过驱动电机驱动，主动齿轮上安装有红外线烤灯；所述从动齿轮上安装有晶片托架，所述晶片托架上设有晶片容置凹槽。
[0005]所述从动齿轮有六个。
[0006]所述红外线烤灯为圆柱形。
[0007]所述工作台的底部设有支腿。
[0008]所述支腿上设有带驻刹的万向轮。
[0009]所述工作台的一侧设有推拉支架。
[0010]本实用新型采用上述方案，在烘烤过程中能够使晶片表面均匀受热，晶片的两面均能烘干到位且不会被烤坏。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的结构示意图。
[0012]图2为图1的俯视图。
[0013]图中:1、工作台，2、主动齿轮，3、从动齿轮，4、驱动电机，5、红外线烤灯，6、晶片托架，7、支腿，8、万向轮，9、推拉支架，10、晶片。
【具体实施方式】
[0014]为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过【具体实施方式】，并结合其附图，对本实用新型进行详细阐述。
[0015]如图1?图2所示，本实用新型包括工作台1、一个主动齿轮2和六个从动齿轮3，主动齿轮2和从动齿轮3均可转动的安装在工作台1上，主动齿轮2与从动齿轮3啮合，六个从动齿轮3均布在主动齿轮2周围。主动齿轮2通过驱动电机4驱动，主动齿轮2上安装有红外线烤灯5，红外线烤灯5为圆柱形。从动齿轮3上安装有晶片托架6，晶片托架6上设有晶片容置凹槽。工作台1的底部设有支腿7，支腿7上设有带驻刹的万向轮8。工作台1的一侧设有推拉支架9。
[0016]使用时，将晶片10插入晶片容置凹槽中，启动驱动电机4，驱动电机4带动主动齿轮2旋转，主动齿轮2带动从动齿轮3旋转，从而带动晶片10旋转，使晶片10表面均匀受热，从而使晶片10的两面均能烘干到位且不会被烤坏。
[0017]另外，由于支腿7上设有带驻刹的万向轮8，工作台1的一侧设有推拉支架9，工作人员可以推动推拉支架9将本实用新型轻松的移动到需要的地方，增加了本实用新型使用的便捷性。
[0018]上述【具体实施方式】不能作为对本实用新型保护范围的限制，对于本技术领域的技术人员来说，对本实用新型实施方式所做出的任何替代改进或变换均落在本实用新型的保护范围内。
[0019]本实用新型未详述之处，均为本技术领域技术人员的公知技术。
【主权项】
1.一种晶片烘干装置，其特征在于:包括工作台(1)、一个主动齿轮(2)和若干个从动齿轮(3)，所述主动齿轮(2)和从动齿轮(3)均可转动的安装在工作台(1)上，主动齿轮(2)与从动齿轮(3)啮合，若干个从动齿轮(3)均布在主动齿轮(2)周围；所述主动齿轮(2)通过驱动电机(4)驱动，主动齿轮(2)上安装有红外线烤灯(5);所述从动齿轮(3)上安装有晶片托架(6)，所述晶片托架(6)上设有晶片容置凹槽。2.根据权利要求1所述的晶片烘干装置，其特征在于:所述从动齿轮(3)有六个。3.根据权利要求1所述的晶片烘干装置，其特征在于:所述红外线烤灯(5)为圆柱形。4.根据权利要求1?3任一所述的晶片烘干装置，其特征在于:所述工作台(1)的底部设有支腿(7)。5.根据权利要求4所述的晶片烘干装置，其特征在于:所述支腿(7)上设有带驻刹的万向轮(8)。6.根据权利要求5所述的晶片烘干装置，其特征在于:所述工作台(1)的一侧设有推拉支架(9)。
【专利摘要】本实用新型涉及一种晶片烘干装置。它包括工作台、一个主动齿轮和若干个从动齿轮，所述主动齿轮和从动齿轮均可转动的安装在工作台上，主动齿轮与从动齿轮啮合，若干个从动齿轮均布在主动齿轮周围；所述主动齿轮通过驱动电机驱动，主动齿轮上安装有红外线烤灯；所述从动齿轮上安装有晶片托架，所述晶片托架上设有晶片容置凹槽。本实用新型结构设计合理，使用方便，能够使晶片表面均匀受热，晶片的两面均能烘干到位且不会被烤坏。
【IPC分类】F26B23/04, F26B25/02, F26B11/00
【公开号】CN205037695
【申请号】CN201520799159
【发明人】刘树奇, 吕尧池
【申请人】山东百利通亚陶科技有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年10月16日