专利名称：从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法
从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法
技术领域：
本发明涉及废水中除去特定溶解物的多级处理，特别涉及印制电路板蚀刻废液除去砷的方法，尤其涉及从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法。
背景技术：
印制电路板蚀刻废液(也称PCB蚀刻废液)包括碱性蚀刻废液和酸性蚀刻废液， 其中印制电路板碱性蚀刻废液中铜及氨含量高，属碱性，内含有砷等杂质；由印制电路板碱性蚀刻废液生产出来的碱式氯化铜对砷的含量有严格要求，砷含量越低越好，一般在用印制电路板碱性蚀刻废液生产碱式氯化铜前，需要对印制电路板碱性蚀刻废液进行除砷的前期处理。现有技术从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法包括中和沉淀法、硫化物沉淀法、铁氧体沉淀法和絮凝沉淀法，这些方法有的除砷效果不好，有的会造成二次污染，有的成本较高；因此，本领域的技术人员在控制成本的前提下，找到一套从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷效果好的方法是较为迫切的难题。
发明内容本发明要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而提出一种从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，该除砷的方法采用氯化镁沉淀法和絮凝沉淀法共同使用，在成本低廉的情况下实现对印制电路板碱性蚀刻废液的除砷处理，具有处理成本低和除砷率高等优点，适合对大批量印制电路板碱性蚀刻废液的除砷处理。本发明解决所述技术问题采用的技术方案是一种从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，用于从印制电路板碱性蚀刻废液生产出碱式氯化铜的前期处理，包括如下步骤A、氯化镁沉淀称量，按每立方米待处理印制电路板碱性蚀刻废液称取0. 8 1. 5 千克的氯化镁；将称量好的氯化镁加入到对应量的待处理印制电路板碱性蚀刻废液中；B、絮凝沉淀①称量，按每立方米待处理印制电路板碱性蚀刻废液称取0. 8 1. 5千克的絮凝剂；②配置絮凝剂溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，搅拌配置成粘稠溶液；③将配置好的絮凝剂溶液加入经所述氯化镁沉淀后的碱性蚀刻废液中，搅拌3 20分钟，然后静置8 12小时；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液。所述步骤A中，在加入氯化镁前，还包括配置氯化镁溶液的过程用水稀释称量好的氯化镁，搅拌使之完全溶解，再将该氯化镁溶液注入所述待处理印制电路板碱性蚀刻废液中。在配置所述氯化镁溶液时，所述水的重量至少是所述氯化镁重量的十五倍。
在配置所述絮凝剂溶液时，搅拌时间为20 35分钟。在配置所述絮凝剂溶液时，所述水的重量至少是所述絮凝剂重量的六倍。所述絮凝剂包括聚丙烯酰胺(Polyacrylamide，简称PAM)。在配置所述絮凝剂溶液时，所述水的重量至少是所述聚丙烯酰胺PAM重量的六倍。所述步骤C之过滤工艺采用抽底部除砷沉淀进行压滤，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液。所述步骤A之前，待处理的所述印制电路板碱性蚀刻废液还需作前期处理，就是， 将待处理的所述印制电路板碱性蚀刻废液加热至80 90°C，再按每立方米的待处理印制电路板碱性蚀刻废液需用0. 3 0. 8千克的活性炭用量加入活性炭，静置2 8小时。所述活性炭是纳米级活性炭。同现有技术相比较，本发明从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法之有益效果在于1、除砷所需物料氯化镁和聚丙烯酰胺的成本低，用于待处理印制电路板碱性蚀刻废液前期处理的活性炭成本也低；2、氯化镁溶液和聚丙烯酰胺溶液配置操作简单；3、整个除砷操作过程简单，易控制，沉淀易过滤，设备投资小；4、除砷率高；5、适合对大批量印制电路板碱性蚀刻废液的除砷处理。
具体实施方式下面对本发明作进一步详细说明。一种从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，用于从印制电路板碱性蚀刻废液生产出碱式氯化铜的前期处理，包括如下步骤Ac 、取样分析和检测对待处理的印制电路板碱性蚀刻废液，取样进行分析和检测该碱性蚀刻废液中的砷含量；A0前期处理将待处理的所述印制电路板碱性蚀刻废液加热至80 90°C，再按每立方米的待处理印制电路板碱性蚀刻废液需用0. 3 0. 8千克的活性炭用量加入活性炭， 静置2 8小时，以吸附该碱性蚀刻液里的有机泡沫和杂质；所述活性炭是纳米级活性炭；A、氯化镁沉淀称量，按每立方米待处理印制电路板碱性蚀刻废液称取0. 8 1. 5 千克的氯化镁；将称量好的氯化镁加入到对应量的待处理印制电路板碱性蚀刻废液中，在加入氯化镁的过程中，所述碱性蚀刻废液中会生成沉淀，该沉淀颗粒一般较小，比较分散；B、絮凝沉淀①称量，按每立方米待处理印制电路板碱性蚀刻废液称取0. 8 1. 5千克的絮凝剂，所述絮凝剂包括聚丙烯酰胺PAM ；②配置絮凝剂溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，搅拌配置成粘稠溶液，搅拌时间为 20 35分钟；③将配置好的絮凝剂溶液加入经所述氯化镁沉淀后的碱性蚀刻废液中，搅拌3 20分钟，然后静置8 12小时；
C、过滤将沉淀物过滤掉，可采用抽底部除砷沉淀进行压滤，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液。所述步骤A中，在加入氯化镁前，还包括配置氯化镁溶液的过程用水稀释称量好的氯化镁，搅拌使之完全溶解，再将该氯化镁溶液注入所述待处理印制电路板碱性蚀刻废液中。在配置所述氯化镁溶液时，所述水的重量至少是所述氯化镁重量的十五倍。在配置所述絮凝剂溶液时，所述水的重量至少是所述絮凝剂重量的六倍；若絮凝剂是聚丙烯酰胺PAM，则所述水的重量至少是所述聚丙烯酰胺PAM重量的六倍。实施例一一种从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，包括如下步骤Ac 、取样分析和检测取待处理的印制电路板碱性蚀刻废液500毫升，对该待处理的印制电路板碱性蚀刻废液，取样进行分析和检测，其砷含量为lOppm，即10毫克/升；A0前期处理将500毫升的所述印制电路板碱性蚀刻废液倒入反应釜内，加热至 80 90°C，再加入0. 35克的纳米级活性炭，静置3小时，以吸附该碱性蚀刻液里的有机泡沫和杂质；A、氯化镁沉淀①称量，称取0. 6克的氯化镁；②配置氯化镁溶液，用水稀释称量好的氯化镁，如将0. 6克的氯化镁加入10毫升的水中，搅拌使之完全溶解；③将配置好的氯化镁溶液缓慢加入到已经过前期处理的所述碱性蚀刻废液中；在缓慢加入氯化镁溶液的过程中，所述碱性蚀刻废液中会生成沉淀，该沉淀颗粒一般较小，比较分散；B、絮凝沉淀①称量，称取0. 6克的聚丙烯酰胺PAM作为絮凝剂；②配置PAM溶液，用水稀释称量好的聚丙烯酰胺PAM，如将0. 6克的PAM加入4毫升的水中，搅拌成粘稠溶液； ③将配置好的PAM粘稠溶液加入步骤A所述碱性蚀刻废液中，搅拌5分钟，然后静置10小时；一般来说，氯化镁溶液加入完后，可立即加入配置好的PAM粘稠溶液；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液；D、取除砷后的所述碱性蚀刻废液进行分析检测，其砷含量为0. 5ppm，砷的去除率为 95%。实施例二 一种从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，包括如下步骤Ac 、取样分析和检测对待处理的印制电路板碱性蚀刻废液，取样进行分析和检测，其砷含量为8ppm，即8毫克/升；A0前期处理将待处理的印制电路板碱性蚀刻废液60立方米泵入处理池中，加热至80 90°C，再按加入活性炭30千克的纳米级活性炭，静置5小时，以吸附该碱性蚀刻液里的有机泡沫和杂质；A、氯化镁沉淀①称量，称取60千克的氯化镁；
②配置氯化镁溶液，用水稀释称量好的氯化镁，如将60千克的氯化镁加入1000升的水中，搅拌使之完全溶解；③将配置好的氯化镁溶液借助泵加入到已经前期处理的所述碱性蚀刻废液中；在泵与处理池之间，设置有调节阀，通过调节阀来控制氯化镁溶液加入时的流量；在加入氯化镁溶液的过程中，所述碱性蚀刻废液中会生成沉淀，该沉淀颗粒一般较小，而且比较分散；B、絮凝沉淀①称量，称取60千克的聚丙烯酰胺PAM作为絮凝剂；②配置PAM溶液，用水稀释称量好的聚丙烯酰胺PAM，如将60千克的PAM加入400 升的水中，搅拌30分钟，配置成粘稠溶液；③将配置好的PAM粘稠溶液加入步骤A所述碱性蚀刻废液中，搅拌10分钟，然后静置10小时；一般来说，氯化镁溶液加入完后，可立即加入配置好的PAM粘稠溶液；C、过滤将沉淀物过滤掉，可通过压滤机采用抽底部除砷沉淀进行压滤，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液；D、取除砷后的所述碱性蚀刻废液进行分析检测，其砷含量为lppm，砷的去除率为 87. 5%。经过本发明除砷处理后的印制电路板碱性蚀刻废液用于生产碱式氯化铜，所得产品碱式氯化铜的砷含量非常低，符合规定的技术标准。以上所述实施例仅表达了本发明的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制；应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围；因此，凡跟本发明权利要求范围所做的等同变换与修饰，均应属于本发明权利要求的涵盖范围。
权利要求
1.一种从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，用于从印制电路板碱性蚀刻废液生产出碱式氯化铜的前期处理，包括如下步骤A、氯化镁沉淀称量，按每立方米待处理印制电路板碱性蚀刻废液称取0.8 1. 5千克的氯化镁；将称量好的氯化镁加入到对应量的待处理印制电路板碱性蚀刻废液中；B、絮凝沉淀①称量，按每立方米待处理印制电路板碱性蚀刻废液称取0.8 1. 5千克的絮凝剂；②配置絮凝剂溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，搅拌配置成粘稠溶液；③将配置好的絮凝剂溶液加入经所述氯化镁沉淀后的碱性蚀刻废液中，搅拌3 20分钟，然后静置8 12小时；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液。
2.根据权利要求1所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于所述步骤A中，在加入氯化镁前，还包括配置氯化镁溶液的过程用水稀释称量好的氯化镁，搅拌使之完全溶解，再将该氯化镁溶液注入所述待处理印制电路板碱性蚀刻废液中。
3.根据权利要求2所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于在配置所述氯化镁溶液时，所述水的重量至少是所述氯化镁重量的十五倍。
4.根据权利要求1所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于在配置所述絮凝剂溶液时，搅拌时间为20 35分钟。
5.根据权利要求1所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于在配置所述絮凝剂溶液时，所述水的重量至少是所述絮凝剂重量的六倍。
6.根据权利要求1所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于所述絮凝剂包括聚丙烯酰胺PAM。
7.根据权利要求6所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于在配置所述絮凝剂溶液时，所述水的重量至少是所述聚丙烯酰胺PAM重量的六倍。
8.根据权利要求1所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于所述步骤C之过滤工艺采用抽底部除砷沉淀进行压滤，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液。
9.根据权利要求1至8任一项所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于所述步骤A之前，待处理的所述印制电路板碱性蚀刻废液还需作前期处理，就是，将待处理的所述印制电路板碱性蚀刻废液加热至80 90°C，再按每立方米的待处理印制电路板碱性蚀刻废液需用0. 3 0. 8千克的活性炭用量加入活性炭，静置2 8小时。
10.根据权利要求9所述的从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，其特征在于所述活性炭是纳米级活性炭。
全文摘要
一种从印制电路板碱性蚀刻废液中除砷的方法，包括步骤氯化镁沉淀按每立方米印制电路板碱性蚀刻废液称取0.8～1.5千克的氯化镁，将氯化镁加入到印制电路板碱性蚀刻废液中；絮凝沉淀按每立方米印制电路板碱性蚀刻废液称取0.8～1.5千克的絮凝剂，用水稀释称量好的絮凝剂，配置成粘稠溶液，将絮凝剂溶液加入经氯化镁沉淀后的碱性蚀刻废液中，搅拌和静置；将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液。本发明除砷的方法采用氯化镁沉淀法和絮凝沉淀法共同使用，在成本低廉的情况下实现对印制电路板碱性蚀刻废液的除砷处理，具有处理成本低和除砷率高等优点，适合对大批量印制电路板碱性蚀刻废液的除砷处理。
文档编号C02F101/20GK102229452SQ20101024289
公开日2011年11月2日 申请日期2010年7月30日 优先权日2010年7月30日
发明者兰永辉, 孙荣斌, 彭韬, 肖华, 许世爱, 邝国生, 高仁富 申请人:深圳东江华瑞科技有限公司