多频复合式水处理器的制作方法

文档序号:23078100发布日期:2020-11-27 10:19阅读:91来源:国知局
多频复合式水处理器的制作方法

本实用新型涉及水处理装置领域,特别是涉及一种多频复合式水处理器。



背景技术:

水处理器在有腐蚀、结垢、菌类及澡类等环境下,为提高水质而使用。现有的水处理器进行水处理时包括防垢、防腐、杀菌、灭藻等工序,且不同的工序对应不同的处理装置,各个工序分布依次进行,这就导致水处理器整体结构复杂,占用空间大,且水处理耗时长。

因此,提供一种结构简单,占用空间小,且水处理耗时短的水处理器成为本领域技术人员目前亟待解决的问题。



技术实现要素:

为解决以上技术问题,本实用新型提供一种多频复合式水处理器,以使水处理器结构简单,占用空间小,且水处理耗时短。

为实现上述目的,本实用新型提供了如下方案:

本实用新型提供一种多频复合式水处理器,包括:用于生成低频电磁场的低频电磁场发生器;用于生成高频电磁场的高频电磁场发生器;主体,其包括一端相连通的第一筒体和第二筒体,所述低频电磁场发生器设置于所述第一筒体内,所述高频电磁场发生器设置于所述第二筒体内,所述第一筒体远离所述第二筒体的一端用于供水流进入所述主体内部,所述第二筒体远离所述第一筒体的一端用供水流自所述主体内部流出。

优选地,所述低频电磁场发生器包括低频电路和第一线圈,所述第一线圈设置于所述第一筒体内,所述低频电路与所述第一线圈电连接、以使所述第一线圈生成所述低频电磁场,所述高频电磁场发生器包括高频电路和第二线圈,所述第二线圈设置于所述第二筒体内,所述高频电路与所述第二线圈电连接、以使所述第二线圈生成所述高频电磁场。

优选地,多频复合式水处理器还包括显示屏,所述显示屏与所述低频电路电连接、以显示所述低频电路的功率大小,所述显示屏与所述高频电路电连接、以显示所述高频电路的功率大小。

优选地,多频复合式水处理器还包括壳体、第一电缆、第二电缆、第一开关和第二开关,所述低频电路和所述高频电路均设置于所述壳体内部,所述壳体的底端设置有第一接口和第二接口,所述第一接口与所述低频电路电连接,所述第二接口与所述高频电路电连接,所述主体的底端设置有第三接口和第四接口,所述第三接口与所述第一线圈电连接,所述第四接口与所述第二线圈电连接,所述第一电缆的两端分别与所述第一接口和所述第三接口电连接,所述第二电缆的两端分别与所述第二接口和所述第四接口电连接,所述第一开关和所述第二开关均设置于所述壳体上,所述第一开关用于控制所述低频电路通断,所述第二开关用于控制所述高频电路通断。

优选地,多频复合式水处理器还包括接地保护装置,所述接地保护装置设置于所述主体上,且所述接地保护装置用于将所述主体于大地导通。

优选地,所述接地保护装置为合金块。

优选地,所述第一筒体和所述第二筒体的外形均为圆柱体结构,且所述第一筒体的横截面半径大于所述第二筒体的横截面半径。

优选地,所述低频电磁场的频率为10-12khz,所述高频电磁场的频率的42-44khz。

本实用新型相对于现有技术取得了以下技术效果:

本实用新型提供的多频复合式水处理器,包括:用于生成低频电磁场的低频电磁场发生器;用于生成高频电磁场的高频电磁场发生器;主体,其包括一端相连通的第一筒体和第二筒体,低频电磁场发生器设置于第一筒体内,高频电磁场发生器设置于第二筒体内,第一筒体远离第二筒体的一端用于供水流进入主体内部,第二筒体远离第一筒体的一端用于供水流自主体内部流出。

该多频复合式水处理器,水流通过第一筒体时,低频电磁场对产生水垢、细菌、藻类和腐蚀的物质电磁波进行初效处理,通过第二筒体时,高频电磁场时对产生水垢、细菌、藻类和腐蚀的物质电磁波进行二次高效处理,高频电磁场和低频电磁场均能够同时完成防结垢、防腐、杀菌、灭藻等综合功能,与现有防结垢、防腐、杀菌、灭藻等工序分别采用不同的装置依次进行相比,装置结构更加简单,占用空间大大减小,水处理耗时大大缩短。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中提供的多频复合式水处理器的结构示意图;

图2为本实用新型实施例中提供的多频复合式水处理器的电路框图。

附图标记说明:1、第一筒体;2、第二筒体;3、第一线圈;4、第二线圈;5、第一开关;6、第二开关;7、第一接口;8、第三接口;9、合金块;10、显示屏;11、第一电缆;12、壳体。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的目的是提供一种结构简单,占用空间小,且水处理耗时短的多频复合式水处理器。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1-图2所示,本实施例提供一种多频复合式水处理器,包括:用于生成低频电磁场的低频电磁场发生器;用于生成高频电磁场的高频电磁场发生器;主体,其包括一端相连通的第一筒体1和第二筒体2,低频电磁场发生器设置于第一筒体1内,高频电磁场发生器设置于第二筒体2内,第一筒体1远离第二筒体2的一端用于供水流进入主体内部,第二筒体2远离第一筒体1的一端用于供水流自主体内部流出。该多频复合式水处理器结构简单,占用空间小,且水处理耗时短。另外,该多频复合式水处理器采用纯物理方法进行水处理,与采用化学试剂进行水处理相比,成本大大降低,且该多频复合式水处理器环保性能更好。

于本实施例中,如图2所示,低频电磁场发生器包括低频电路和第一线圈3,第一线圈3设置于第一筒体1内,低频电路与第一线圈3电连接、以使第一线圈3生成低频电磁场,高频电磁场发生器包括高频电路和第二线圈4,第二线圈4设置于第二筒体2内,高频电路与第二线圈4电连接、以使第二线圈4生成高频电磁场。本实施例中,第一线圈3和第二线圈4均为圆弧状线圈,低频电路的型号具体为scld-1,高频电路的型号具体为sclg-1。

于本实施例中,如图1所示,为了方便检测,低频电路和高频电路的功率大小,多频复合式水处理器还包括显示屏10,显示屏10与低频电路电连接、以显示低频电路的功率大小,显示屏10与高频电路电连接、以显示高频电路的功率大小。本实施例中,具体地,显示屏10设置于第一筒体1上。

于本实施例中,如图1所示,为了方便控制低频电路和高频电路工作,多频复合式水处理器还包括壳体12、第一电缆11、第二电缆、第一开关5和第二开关6,低频电路和高频电路均设置于壳体12内部,壳体12的底端设置有第一接口7和第二接口,第一接口7与低频电路电连接,第二接口与高频电路电连接,主体的底端设置有第三接口8和第四接口,第三接口8与第一线圈3电连接,第四接口与第二线圈4电连接,第一电缆11的两端分别与第一接口7和第三接口8电连接,第二电缆的两端分别与第二接口和第四接口电连接,第一开关5和第二开关6均设置于壳体12上,第一开关5用于控制低频电路通断,第二开关6用于控制高频电路通断。需要说明的是。开关控制电路通断以及接口的具体结构均属于现有技术,在此不再赘述。

于本实施例中,如图1-图2所示,多频复合式水处理器还包括接地保护装置,接地保护装置设置于主体上,且接地保护装置用于将主体于大地导通。

于本实施例中,接地保护装置为合金块9。利用合金的导电性能,来实现主体与大地的导通。

于本实施例中,如图1所示,第一筒体1和第二筒体2的外形均为圆柱体结构,且第一筒体1的横截面半径大于第二筒体2的横截面半径。横截面指的是垂直于第一筒体1和第二筒体2轴线方向的截面。

进一步地,本实施例中第一筒体1和第二筒体2同轴设置。

需要说明的是,现有技术中筒体为内部中空,两端开口的结构,第一筒体1一端开口与第二筒体2一端开口相连通,水流自第一筒体1远离第二筒体2的一端开口流入,随后依次穿过第一筒体1和第二筒体2,再经第二筒体2远离第一筒体1的一端开口流出。

于本实施例中,低频电磁场的频率为10-12khz,高频电磁场的频率的42-44khz。本实施例中,具体地,低频电磁场的频率为13khz,高频电磁场的频率为43khz。

在具体使用过程中,低频电离产生的电子信号作用在第一线圈3上,以在第一线圈3上形成一定强度的低频电磁场(11khz),水通过低频电磁场时对产生水垢、细菌、藻类、腐蚀的物质电磁波进行初效处理。高频电路产生的高频高功率信号作用在第二线圈4上,以在第二线圈4上形成一定高强度的高频电磁场(43khz),水通过高频电磁场时对产生水垢、细菌、藻类、和腐蚀的物质电磁波进行二次高效处理(同时对水流中的水分子进行电磁场效作用,进行正负电荷的加载,使水进行高频电子离化并使其携带有效电荷)。通过初效处理和二次高效处理,该多频复合式水处理器能够给高效地杀灭水中菌类,藻类等,有效地抑制水中微生物的繁殖。该多频复合式水处理器在系统正常运行状态下,可以同时完成防结垢、防腐、杀菌、灭藻等综合功能,同时不产生二次有害衍生物。另外,该多频复合式水处理器需要配合水泵及管道一起使用。

本说明书中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

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