三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料的合成方法与流程

文档序号:12093760阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料的合成方法,二氧化钼与氧化钴的质量比为9:(0.4‑2),二氧化钼的孔径为200—400nm,氧化钴颗粒为5—10nm,利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构,在三维大孔二氧化钼结构上进行氧化钴颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便,污染低,是一种高效经济的合成方法,同时本发明的材料结构稳定且具有阳极电催化性能。

技术研发人员:梁砚琴;李彬彬;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳
受保护的技术使用者:天津大学
文档号码:201610890140
技术研发日:2015.04.08
技术公布日:2017.03.15

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