一种p‑n异质结型可见光光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4及其制备方法与流程

文档序号:12353402阅读:1358来源:国知局
一种p‑n异质结型可见光光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4及其制备方法与流程

本发明属于环境友好新材料技术领域,具体涉及一种p-n型异质结可见光光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4及其制备方法。



背景技术:

磷酸银(Ag3PO4)作为一种重要的半导体材料,它可以吸收小于530nm的太阳光,具有较强的氧化能力,在可见光光解水和降解污染物方面引起了研究者的广泛关注。然而,磷酸银材料在光照下容易分解,这极大地降低了其在光催化过程中的稳定性。最近,研究者发现以Ag3PO4为基体的光催化剂能有效地降解有机污染物并保持良好的稳定性,成功地解决了Ag3PO4上述缺点并能够大幅度提高其光催化活性。

p-n异质结光催化剂是由p型半导体和n型半导体复合形成的光催化剂,是一种具有良好化学功能的特殊功能材料,能有效分离光生电子和空穴。p-n结光催化材料不仅能够拓宽带隙半导体的波长范围,而且能通过内部电场抑制载流子的复合,极大地提高了材料的光催化吸能,受到广泛关注。如专利CN201510148053.2报道了采用固相反应法制备BiVO4/Bi2O3复合微棒p-n结光催化剂。但是很多方法涉及高温操作,既耗能又耗时。目前,关于具有p-n异质结构的Bi2WO6/Ag3PO4光催化材料还没有相关报道。本专利介绍的方法能够有效地降低材料的生产成本,合成过程简单、易控制,重复性好,而且有效提高了磷酸银材料在光照下的稳定性,具有优异的光催化还原性能。



技术实现要素:

针对磷酸银的光腐蚀问题,本发明提供了一种能够抑制光激发产生的电子和空穴复合的p-n异质结型可见光光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4,同时提供这种p-n异质结型可见光光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4的制备方法。

本发明是通过以下技术方案予以实现的。

本发明一种制备p-n异质结型可见光光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4的方法,包括如下步骤:

(a)采用水热法制备Bi2WO6材料;

(b)将AgNO3溶液加入到用步骤(a)制备的Bi2WO6悬浊液中,然后加入NH4OH,使Ag+完全生成银氨络离子,然后加入一定量的Na2HPO4·12H2O,获得Bi2WO6/Ag3PO4材料;

(c)将步骤(b)制备出来的产物进行洗涤,分离得到Bi2WO6/Ag3PO4,然后干燥、研磨,备用。

上述p-n异质结型可见光光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4的制备方法,步骤(a)包括如下步骤:

(1)将一定量的Na2WO4·2H2O溶解于去离子水中,配成WO42-离子浓度为0.05-0.15mol/L,标记为溶液A;

(2)将一定量的Bi(NO3)3·5H2O和1-5g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解于25mLC2H5OH/CH3COOH/H2O(体积比为1:1:3),使Bi3+:WO42-的摩尔比为2:1,磁力搅拌,标记为溶液B;

(3)溶液A和溶液B混合,磁力搅拌10min,形成均匀的溶液,标记为溶液C,将混合溶液C转移到150mL的反应釜中,在150-200℃,反应6-10h后。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6材料。

上述p-n异质结型可见光光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4的制备方法,步骤(b)包括如下步骤:

(1)将一定量的步骤(a)制备的Bi2WO6材料,加入到40mL去离子水中,磁力搅拌30min,标记为溶液D;

(2)然后将40mL,浓度为0.008-0.03mol/L的AgNO3溶液,加入到溶液D中,再加入1mol/L的NH4OH,使Ag+完全生成银氨络离子,磁力搅拌20min,形成溶液E。

(3)最后将0.004-0.01mol/L的Na2HPO4·12H2O溶液滴加溶液E中,磁力搅拌60min。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6/Ag3PO4p-n异质结构光催化材料。

上述p-n异质结型可见光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4的制备方法中,Bi2WO6和Ag3PO4的质量比为3~8:1。

本发明的化学反应方程式:

Na2WO4·2H2O+2Bi(NO3)3·5H2O=Bi2WO6+2NaNO3+4HNO3+10H2O

AgNO3+2NH3·H2O=[Ag(NH3)2]NO3+2H2O

3[Ag(NH3)2]NO3+6Na2HPO4=Ag3PO4+2(NH4)3PO4+3Na3PO4+3NaNO3

与现有技术相比,本发明的有益效果在于:

(1)本发明p-n异质结型可见光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4较好地克服了Ag3PO4的光腐蚀的缺点,显著地提高了太阳光的利用效率,能够有效地抑制光生电子和空穴的复合,提高其分离效率,呈现出优异的可见光光催化性能。

(2)本发明不仅制备过程简单方便,重复性好,且适合规模化制备,具有较好的商业化应用前景;具有一定的普适性,可用于构筑Bi2WO6基的p-n异质结型复合纳米材料以(如Cu3P,Bi2O3,FeWO4,Co3O4等n型半导体)解决光激发产生的电子和空穴容易复合的难题。

附图说明

图1是本发明实施例1中制备的p-n异质结型可见光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4的形貌图(日本日立公司S-4800型场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观测);

SEM结果显示:Ag3PO4纳米颗粒均匀附着于Bi2WO6颗粒表面。

图2是本发明实施例1中具有p-n异质结型可见光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4的光催化降解有机染料罗丹明B(RhB)测试图;

光催化实验结果显示:p-n异质结构光催化材料在120min时的光催化效率达到了75%。

图3是p-n异质结型可见光催化剂Bi2WO6/Ag3PO4的光催化降解机理图;

由该图可知,内部电场中的p-n异质结促进了光生电子和空穴的迁移。

具体实施方式

以下结合具体实施例详述本发明,但本发明不局限于下述实施例。

实施例1

(1)将0.008mol的Na2WO4溶解于100mL去离子水中,配成WO42-离子浓度为0.08mol/L,标记为溶液A;

(2)将一定量的Bi(NO3)3·5H2O和1g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解于25mLC2H5OH/CH3COOH/H2O(体积比为1:1:3),使Bi3+:WO42-的摩尔比为2:1,磁力搅拌,标记为溶液B;

(3)溶液A和溶液B混合,磁力搅拌10min,形成均匀的溶液,标记为溶液C,将混合溶液C转移到150mL的反应釜中,在180℃,反应6h后。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6材料。

(4)取1.2g上述制备的Bi2WO6材料,加入到40mL去离子水中,磁力搅拌30min,标记为溶液D;

(5)然后将40mL,0.018mol/L AgNO3溶液,加入到溶液D中,然后加入1mol/L的NH4OH,使Ag+完全生成银氨络离子,磁力搅拌20min,形成溶液E。

(6)最后将0.006mol/L的Na2HPO4·12H2O溶液滴加到溶液E中,磁力搅拌60min。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6/Ag3PO4复合光催化材料。

实施例2

(1)将0.005mol Na2WO4溶解于100mL去离子水中,配成WO42-离子浓度为0.05mol/L,标记为溶液A;

(2)将一定量的Bi(NO3)3·5H2O和1g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解于25mLC2H5OH/CH3COOH/H2O(体积比为1:1:3),使Bi3+:WO42-的摩尔比为2:1,磁力搅拌,标记为溶液B;

(3)溶液A和溶液B混合,磁力搅拌10min,形成均匀的溶液,标记为溶液C,将混合溶液C转移到150mL的反应釜中,在160℃,反应8h后。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6球形纳米材料。

(4)取0.5g上述制备的Bi2WO6材料,加入到40mL去离子水中,磁力搅拌30min,标记为溶液D;

(5)然后将40mL,0.012mol/L AgNO3溶液,加入到溶液D中,然后加入1mol/L的NH4OH,使Ag+完全生成银氨络离子,磁力搅拌20min,形成溶液E。

(6)最后将0.004mol/L的Na2HPO4·12H2O溶液滴加到溶液E中,磁力搅拌60min。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6/Ag3PO4复合光催化材料。

实施例3

(1)将0.01mol的Na2WO4溶解于100mL去离子水中,配成WO42-离子浓度为0.1mol/L,标记为溶液A;

(2)将一定量的Bi(NO3)3·5H2O和3g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解于25mLC2H5OH/CH3COOH/H2O(体积比为1:1:3),使Bi3+:WO42-的摩尔比为2:1,磁力搅拌,标记为溶液B;

(3)溶液A和溶液B混合,磁力搅拌10min,形成均匀的溶液,标记为溶液C,将混合溶液C转移到150mL的反应釜中,在200℃,反应10h后。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6球形纳米材料。

(4)取1.5g上述制备的Bi2WO6材料,加入到40mL去离子水中,磁力搅拌30min,标记为溶液D;

(5)然后将40mL,0.018mol/L AgNO3溶液,加入到溶液D中,然后加入1mol/L的NH4OH,使Ag+完全生成银氨络离子,磁力搅拌20min,形成溶液E。

(6)最后将0.006mol/L的Na2HPO4·12H2O溶液滴加到溶液E中,磁力搅拌60min。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6/Ag3PO4复合光催化材料。

实施例4

(1)将0.015mol的Na2WO4溶解于100mL去离子水中,配成WO42-离子浓度为0.15mol/L,标记为溶液A;

(2)将一定量的Bi(NO3)3·5H2O和5g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解于25mLC2H5OH/CH3COOH/H2O(体积比为1:1:3),使Bi3+:WO42-的摩尔比为2:1,磁力搅拌,标记为溶液B;

(3)溶液A和溶液B混合,磁力搅拌10min,形成均匀的溶液,标记为溶液C,将混合溶液C转移到150mL的反应釜中,在180℃,反应9h后。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6球形纳米材料。

(4)取2.5g上述制备的Bi2WO6材料,加入到40mL去离子水中,磁力搅拌30min,标记为溶液D;

(5)然后将40mL,0.024mol/L AgNO3溶液,加入到溶液D中,然后加入1mol/L的NH4OH,使Ag+完全生成银氨络离子,磁力搅拌20min,形成溶液E。

(6)最后将0.008mol/L的Na2HPO4·12H2O溶液滴加到溶液E中,磁力搅拌60min。水洗,醇洗后,放入80℃烘箱中干燥,得到Bi2WO6/Ag3PO4复合光催化材料。

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