技术特征：
技术总结
本发明公开了一种亚微米流道微流控芯片的制作方法，包括步骤：A、在一基底上沉积用作底电极的金属钼；并刻蚀出指定形状的底电极；B、在底电极上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜；C、在氮化铝薄膜上沉积覆盖整个基底的PSG，并利用反应离子刻蚀方法刻蚀PSG以刻蚀出流道的形状，将刻蚀后剩余的PSG作为流道牺牲层；D、在流道牺牲层上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜；并在其上沉积用作顶电极的金属钼；并刻蚀出指定形状的顶电极；E、在顶电极上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜作为流道结构层，并在其上刻蚀出流道出入口；G、利用氢氟酸溶液释放流道牺牲层，以获取亚微米流道微流控芯片；其中，顶电极与底电极成对设置，且均与流道牺牲层重叠设置。由上，本申请可以实现精准地制备目标亚微米流道微流控芯片。
技术研发人员：段学欣;刘建涛;韩子钰;陈雪娇;刘展宁
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2018.12.29
技术公布日：2019.04.09