1.一种半导体器件加工用金刚石微粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件加工用金刚石微粉的制备方法，其特征在于，所述s1中，所述金刚石物料的冲击韧性ti值为70～80，热冲击韧性tti值为65～75；和/或，所述金刚石物料的颗粒大小为30～50μm；和/或，所述制备方法还包括在所述s3前或所述s3后进行除杂提纯的步骤，所述的除杂提纯为煮酸和/或煮碱；和/或，所述s3中，所述分级使用微粉自动分级机通过水分法进行沉降分级，最后分批次抽料获得颗粒直径不大于30μm的金刚石物料，且各批次内的粒度分布span值小于等于0.48。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件加工用金刚石微粉的制备方法，其特征在于，所述s2中，所述粉碎处理为球磨整形处理。
4.根据权利要求3所述的一种半导体器件加工用金刚石微粉的制备方法，其特征在于，所述球磨整形处理使用球磨罐和密度为10～20g/cm3、硬度hrc为50～100的钢球进行球磨，所述球磨罐的内壁上设有多个垂直内壁的导流杆；和/或，所述球磨整形处理时间为4～10h。
5.根据权利要求4所述的一种半导体器件加工用金刚石微粉的制备方法，其特征在于，所述钢球为钨钢球；和/或，所述球磨罐材质为不锈钢和/或轴承钢；和/或，所述钢球的直径为5～25mm；和/或，所述球磨罐转速为50～60rad/s。
6.根据权利要求5所述的一种半导体器件加工用金刚石微粉的制备方法，其特征在于，所述钨钢球的直径选自15～25mm、11～14mm、6～10mm中的一种或多种；和/或，所述钨钢球的直径为15～25mm、11～14mm、6～10mm三种的混合物，且直径为15～25mm的钨钢球、直径为11～14mm的钨钢球和直径为6～10mm的钨钢球的用量比为(0.1～1):1:
7.根据权利要求2所述的一种半导体器件加工用金刚石微粉的制备方法，其特征在于，所述煮酸为采用ph小于等于2的酸液处理；和/或，所述煮酸温度为250℃～300℃；和/或，所述煮酸时间为2～6h；和/或，所述煮碱为采用ph为11～12的碱液处理；和/或，所述煮碱温度为450℃～500℃；和/或，所述煮碱时间为2～6h；和/或，所述煮酸中的酸液为盐酸、硝酸和硫酸中的一种或多种的水溶液；和/或，所述碱液为氢氧化钠水溶液和/或氢氧化钾水溶液。
8.根据权利要求2所述的一种半导体器件加工用金刚石微粉的制备方法，其特征在于，所述水分法中采用浓度为1～5wt％的硅酸钠水溶液；和/或，所述沉降时间为200～500s；
9.一种根据权利要求1～8任一项所述的制备方法获得的金刚石微粉。
10.根据权利要求9所述的金刚石微粉，其特征在于，包括如下特征中的一种或多种：所述金刚石微粉具有尖锐的棱角；
11.如权利要求9所述的金刚石微粉在半导体器件加工领域的用途。