专利名称：用于非硅基器件的晶片级密封的制作方法
相关申请对照本申请要求2002年8月28日提交的美国专利申请10/231357的优先权，其标题为“Wafer-Level Seal for Non-Silicon-Based Devices(用于非硅基器件的晶片级密封)”并要求2002年8月28日提交的美国专利申请10/231356的优先权，其标题为“Seal for Surface Acoustic Wave Devices(用于表面声波器件的密封)”发明背景发明领域本发明一般涉及集成电路，尤其涉及集成电路制造过程和结构。
背景技术：
的描述各种非硅基器件正被制造用于通信和其它应用中。这种器件常对污染或对它所工作的气氛很灵敏，因此期望它们在受控气氛中工作。这些气氛灵敏的非硅基器件的实例包括表面声波(SAW)器件、电光调制器、声光器件等等。
例如，更详细地考虑SAW器件。SAW器件常用于通信装置中，诸如移动电话手机和通信网络中的射频(RF)滤波器。SAW器件利用沿基片表面(或近表面)传播的波。如这里所使用的，SAW器件包括利用压电耦合的Rayleigh波的那些且还可包括利用非Rayleigh(撇取或“泄漏”)波的那些。典型的SAW滤波器包括诸如钽酸锂、铌酸锂或单晶石英的非硅基压电基片上形成的输入和输出传感器。该传感器可以是金属电极，例如交错铝指状元件。作为典型SAW器件的尺寸的实例，以2.5GHz工作的一种具有约0.4微米的最小特征尺寸，用于传感器的铝指状元件。
SAW器件所遇到的一个问题在于，存在声波的器件区域对于表面污染的存在非常灵敏，它会改变波速并最终劣化器件性能。即使晶体表面上的单层污染也会显著地改变器件性能。同样，期望SAW器件在低压(近真空)气氛中工作，而非在大气中。在这种低压气氛中操作能减小声波的粘性阻尼。与SAW器件有关的另一个问题在于声波速度的变化取决于温度。换句话说，温度变化会改变声波速度。该温度依赖性实际上限制了SAW器件的可操作温度范围。
发明内容
本发明的一个实施例涉及用于密封晶片上的非硅基器件的有效区域的方法。该方法包括至少在非硅基器件的有效区域上提供牺牲材料；在晶片上沉积密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换牺牲材料。
本发明的另一个实施例涉及以晶片级密封的非硅基器件(即，在管芯与晶片分离之前)。该器件包括要保护的有效区域；接触区域；以及平版印刷形成的结构，它密封至少有效区域并留下至少一部分接触区域被暴露。
本发明的另一个实施例涉及一种用于密封晶片上的SAW器件的有效区域的方法。该方法包括在SAW器件的至少有效区域上提供牺牲材料；在晶片上沉积密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换牺牲材料。
本发明的另一个实施例涉及一种以晶片级密封(即，在管芯与晶片分离之前)的SAW器件。该器件包括要保护的有效区域；电接触区域；以及平版印刷形成的结构，它密封至少有效区域并留下至少一部分电接触区域被暴露。
本发明的这些和其它特点将在本领域普通技术人员阅读整个揭示内容后而变得显而易见，其中包括附图和权利要求书。
附图概述
图1A是描绘晶片表面上制造的未密封的非硅基器件(在该情况中，SAW器件)的剖视图。
图1B，1C，1D，1E，1F，1G，1H和1I是描绘根据本发明实施例的密封非硅基器件过程中的各步骤的剖视图。
图2是流程图，描绘了根据本发明实施例的密封晶片上的非硅基器件的有效区域(在该情况中，SAW器件的波传播区域)的方法。
不同附图中使用的相同标号表示相同或类似的部件。除非注明，否则附图不按比例。
具体实施例方式
通过控制器件工作的气氛，可克服以上描述的采用非硅基器件的问题和困难。
实现该目的的一个方法将是在单个管芯的封装期间密封封装级上的器件。例如，可以在金属或陶瓷封装中形成密封。例如，金属封装可被熔接或焊接以密封之，且可利用分开的玻璃密封来密封个别引线以便将引线与金属分开。作为另一个实例，在陶瓷封装中，通过玻璃状的材料附着的金属密封带可用于帮助通过熔接或焊接密封，并且引线可包含在陶瓷自身中。也可使用其它类型的封装和封装级处的其它密封技术。
如本申请中详细揭示的，控制非硅基器件在其中工作的气氛的不同和有利的方式在于利用集成电路制造技术制造晶片级的密封(即，在管芯与晶片分离之前)。与封装级相比，制造晶片级的密封具有各种优点。
一个优点在于管芯上的密封的非硅基器件可在切割前在晶片上测试。例如，SAW器件的当前管芯尺寸典型的是1到1.5mm范围内，从而在单个4英寸晶片上可制造约6000到7000个管芯。SAW器件的晶片级密封允许在管芯与晶片分离前通过验收测试的器件的识别和选择，且从而避免切割后单个管芯的更麻烦的测试并可避免当前普遍进行的后续封装。
此外，潜在的优点在于通过晶片级密封制造的管芯可安装于印刷电路板(PCB)上而不用进一步封装。这种直接安装到PCB的方式是可能的，因为在制造过程中以晶片级密封了非硅基器件。这种直接安装将避免与安装到引线框架中、线路结合以及封闭有关的附加成本和处理时间。这还有利地使得器件的生产具有更高的质量、处理量、产量和更少的费用。
另一个潜在优点涉及补偿非硅晶体的热膨胀。通过利用密封结构在晶体中引起应变来补偿热膨胀。用于晶片级密封的结构设计和材料可用于引起这种应变。选择密封材料，以使材料具有与晶体的热膨胀系数(TCE)失配。该结构被设计成使得TCE失配有效地产生应变，作为针对晶体的正常热膨胀的抵消力。
在本揭示内容中，提供了大量特定细节，诸如装置、处理参数、材料、过程步骤和结构的实例，以提供本发明实施例的完全理解。但是，本领域的熟练技术人员将理解，本发明可在没有一个或多个特定细节的情况下实施。在其它情况中，未示出或未描述已知细节以避免模糊本发明的方面。
图1A是描绘未密封的非硅基器件(在该实例中，SAW器件)的剖视图，如晶片表面上制造的。未密封的SAW器件包括基片2和传感器结构4并可利用常规技术制造。基片2典型地是钽酸锂、铌酸锂或单晶石英的晶片。这种材料使得声波能基本弹性地行进通过基片表面。传感器结构4典型地由形成图案为交错电极“指”和接触件的铝构成，用于将电流传导进并流出结构4。通常，一个传感器结构用于输入而另一个用于输出。所关心的波传播出现于传感器结构4内基片2的表面上并在传感器结构4之间的区域中。例如，SAW器件用作射频(RF)滤波器。可使用许多不同的器件配置。
图1B，1C，1D，1E，1F，1G，1H和1I是描述根据本发明实施例的密封非晶硅器件的过程中各种步骤的剖视图。
图1B是描述牺牲材料6的沉积之后的结构的剖视图。在一个实施例中，牺牲材料可沉积为(接近)均匀的多晶硅涂层。多晶硅用作牺牲材料6具有一优点，即沉积可用于增加诸如钽酸锂或铌酸锂的SAW材料的体积或表面传导率。这是由于化学还原过程，该过程已知在这些基片被真空加热时出现。同样，该化学还原过程可出现于容易被氧化的材料(诸如硅)之间的界面处，从而形成具有传导率提高的化学还原材料的薄表层。在抑制由于热电效应引起的这些基本绝缘的基片上的电荷聚积中，该提升的传导率可以是有价值的。在温度变化过程中，常规钽酸锂可聚积几千伏的热电诱发的电荷，且通过对传感器结构的破坏或者SAW有效区域中颠倒晶体取向的微观域形成，该聚积电荷会潜在地劣化SAW的性能，或者会潜在地破坏灵敏电子部件或者破坏晶片，甚至到断裂点(因为热电引发的电压会超过晶片材料的击穿电压)。结果，在SAW器件的制造中使用多晶硅牺牲层会使得它成为具有有效地阻碍这些有害热电效应的器件。
在另一个实施例中，牺牲材料可包含无定形硅。有利地，可以以比多晶硅更低的温度沉积无定形硅。
在再一个实施例中，牺牲材料6可以是聚合物材料，诸如聚酰亚胺、光致抗蚀剂或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。当通过密封过程需要低温处理时，这些聚合物牺牲材料会是有吸引力的。但是，它们具有以下缺点(a)由于等离子体蚀刻的方向性质，很难将材料从具有显著横向尺寸的容器中移除；(b)不起反应的杂质从而留下残存(对PMMA来说不是问题)；以及(c)形成容器内表面吸收的水分子，由于潮湿会影响密闭度。
可以在500摄氏度左右的温度沉积多晶硅，这在钽酸锂的居里温度之下，因此是用作牺牲材料的候选材料。具有超过基片居里温度(对于一致的钽酸锂是约600摄氏度或者对于化学计算的钽酸锂是约695摄氏度)的沉积温度的材料将不是用作牺牲材料的良好候选，因为它们的高温将负面影响基片材料。无定形硅可以低于150摄氏度的温度沉积并可利用二氟化氙气体以高选择性方式干蚀刻。
图1C是描绘将牺牲材料6平版印刷形成图案后的结构的剖视图。该形成图案步骤除去牺牲材料的不需要部分8同时留下牺牲材料的剩余部分10。剩余的牺牲材料10覆盖要密封的那部分SAW器件。特别是，剩余的牺牲材料10应覆盖SAW器件的至少波传播区域，因为该区域要保持干净没有污染。波传播区域通常在两个传感器结构4之间(如图1A所示)以及这些结构4的实质部分内，从而图1C示出剩余的牺牲材料10，其覆盖传感器结构4之间的区域和这些结构4内的波传播区域。
图1D示出描绘沉积密封涂层12后的结构的剖视图。例如，密封涂层12可沉积在整个晶片上并可包括相对厚层的玻璃状材料。玻璃状材料例如可以是旋转玻璃(spin-on-glass)或溅射玻璃。材料可包括二氧化硅。或者，材料可包括氮化硅或金属。密封涂层12应是一定的材料和厚度以便对于不期望的污染是不可渗透的。在SAW器件的设计中必须考虑这些涂层的接近性和电特性。
图1E是描绘密封涂层12的平版印刷形成图案后的结构的剖视图。形成图案的步骤除去密封涂层的部分14以暴露传感器4的电接触垫部分。此外，图案形成步骤除去密封涂层的部分16以形成通路(孔)，它通过密封涂层到达以下的牺牲材料。在较佳实施例中，设置通道以避开SAW器件的波传播区域。
图1F是描述借助通道蚀刻掉剩余牺牲材料10后以形成由密封涂层的结构20围绕的容器18的结构的剖视图。蚀刻步骤可通过干蚀刻过程进行，它不会留下不期望的残余。
例如，在一个实施例中，例如，具有二氧化硅(或氮化硅或金属)密封层的钽酸锂(或铌酸锂)晶片上的多晶硅(或无定形硅)牺牲材料的蚀刻可通过将晶片置于二氟化氙气氛中实现。二氟化氙进入通道并以高选择性作用于牺牲材料(即留下基片和密封涂层基本未蚀刻)。二氟化氙还除去牺牲材料而不在晶片表面上留下残存。没有留下表面残存的声学有效部分避免了对器件的波传播特性的负面影响。从而，在密封涂层20与晶片表面之间之前由剩余牺牲材料10占据的区域中形成容器。或者，可使用具有同二氟化氙相类似的不同气体来干蚀刻牺牲材料。
图1G是描绘将晶片置于目标气氛中后的结构的剖视图。这可通过将晶片置于被抽气到目的气氛的溅射、蒸发或气体真空腔中而实现。目标气氛可包括一种或多种目标气体的分压力。腔中的气压通过通道16变得均衡以获得容器22内的与腔内相等的气压。
图1H是描绘填充通道16以密封容器中的目标气氛22之后的结构的剖视图。通过涂层结构20的通道(孔)16例如可通过二氧化硅或金属的溅射或蒸发而被填充24。
当配置成实际上各向同性时，通过涂覆孔的边缘和从这些边缘聚积材料直到密封通道16，溅射将填充入通道16。溅射的各向同性的性质将把某些二氧化硅或金属引入容器中。如果溅射材料落在由表面声波占据的区域上，则将以有害方式改变声波的传播属性。为了避免这种有害影响，涂层结构20可设计成使通道16不在波传播区域上或者使其不在波传播区域的附近。这样，可以使落到波传播区域上的溅射材料量最小化或将其减小到很小的量，从而仅轻微地影响表面声波的传播。
或者，可使用蒸发，其中二氧化硅或金属束以一定角度定位于晶片上。蒸发实际上趋于高度定向的。通过以一定角度将束定位到晶片，高度定向的束可填充24通道16，而不将显著的蒸发材料引入容器。蒸发的附加优点在于与溅射腔相比在蒸发腔中可实现更高的真空。
如图1H所描绘的，接着，将所选择的气体和压力锁定于现在密封24的容器中。这有利地为器件的声学有效部分提供了受控气氛并保护该部分不受不期望的污染。如上所述形成的密封结构应提供气密封。气密封基本是不透气的，其中它基本避免空气或气体进出。但是，即使对于气密封，较小的气体分子将借助扩散和渗透而随时间缓慢的通过。通过用借助等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)沉积的氮化硅膜将其涂覆，可增强密封的密闭度。
图1I是描绘在传感器结构4的接触部分上形成电极(凸起)26后的结构的剖视图。电极26可利用常规平版印刷技术形成。如图1I所示，电极26形成为高度大于密封结构的高度。这使得密封器件适合于表面安装焊接。
在将密封器件安装到PCB板上之前，诸器件可单独在晶片上测试并选出供验收或报废。此后，切割晶片以形成其上具有器件的单个管芯。随后，将可接收的管芯置于表面安装器件带和卷上，用于随后到印刷电路板上的表面安装焊接。
图2是流程图，描述了根据本发明实施例用于密封晶片上的非硅器件(在该实例中，是SAW器件的波传播区域)的有效区域的方法。如图2所示，方法100包括九个步骤(102、104、106、108、110、112、114、116、118)。
在第一个步骤102中，在晶片上制造未密封的器件。图1A中示出了密封前制造的SAW器件的截面。如参考图1A描述的，未密封器件可利用常规技术在诸如钽酸锂、铌酸锂或石英的基片上制造。
在第二个步骤104中，牺牲材料沉积于晶片上。图1B示出了牺牲层沉积后的截面。如参考图1B所描述的，牺牲层包括多晶硅或者无定形硅，或者可能是聚合材料。
在第三个步骤106中，利用平版印刷将牺牲层形成图案。图1C示出了牺牲层形成图案后的截面。如参考图1C所描述的，剩余的牺牲材料应至少覆盖SAW器件的波传播区域，因为这就是要密封的区域。
在第四个步骤108中，密封涂层沉积于晶片上。图1D示出了密封涂层沉积后的截面。如参考图1D所描述的，密封涂层包括通过旋转或溅射沉积的玻璃状材料。材料可包括二氧化硅。或者，材料可包括氮化硅或金属。
在第五个步骤110中，利用平版印刷将密封层形成图案。图1E示出了密封层形成图案后的截面。如参考图1E所描述的，形成图案的步骤暴露了传感器4的电接触垫部分。此外，形成图案步骤形成了经过密封涂层到达牺牲材料的通道(孔)。
在第六个步骤112中，可借助该通道蚀刻牺牲材料以形成器件上的容器。图1F示出了蚀刻牺牲材料后的截面。如参考图1F所描述的，通过不留下不期望的残存的干蚀刻工艺进行该蚀刻。
在第七个步骤114中，将基片置于目标气氛中并允许均衡。图1G示出了置于目标气氛中后的截面。如参考图1G所描述的，腔中的气压通过通道变得均衡以获得同腔内相同的容器内的气压。
在第八个步骤116中，填充通道(孔)以密封容器。在晶片仍在目标气氛中时执行该步骤。图1H示出了填充通道后的截面。如参考图1H所描述的，例如，通过二氧化硅或金属的溅射或蒸发而填充通道。
最后，在第九个步骤118中，电极26聚积到接触件上。图1I示出了填充通道后的截面。如参考图1I所描述的，电极26形成为高度大于密封结构的高度，以使密封的器件适合于表面安装焊接。
在第九个步骤118后，可执行其它步骤以便将器件安装到印刷电路板(PCB)上。例如，可以在晶片上单独测试器件，晶片可被切割以形成各个管芯，且可接收的管芯随后被置于表面安装器件带和卷中，用于随后表面安装焊接到PCB上。
虽然以上描述集中在用于SAW器件的晶片级密封，但该技术可应用于以晶片级保护其它含要保护有效区域的采用非硅基材料的器件。这种应用包括高介质强度真空隔绝，用于在铁电(诸如钽酸锂、铌酸锂)、电光调制器(例如，基于钽酸锂、铌酸锂)和集成光学结构中的范围图案形成。在每一个这种应用中，非硅基器件被平版印刷地构建以包含用于接收电形式信号的手段，用于将该信号应用于基片的有效区域的手段，以及用于气密封有效区域而不阻止电信号接收的手段。对于SAW器件，要保护的有效区域当然对应于波传播区域。该技术还可应用于其它近表面器件。近表面器件例如包括声、光、非线性光、电光、声光和其它器件。
虽然已提供了本发明的具体实施例，但可以理解，这些实施例用于说明目的而非限制性的。许多附加实施例是本领域普通熟练技术人员在阅读该揭示内容后显见的。因此，本发明仅由所附权利要求书限定。
权利要求
1.一种用于密封晶片上的非硅基器件的有效区域的方法，其特征在于，该方法包括至少在非硅基器件的有效区域上提供牺牲材料；在晶片上沉积密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换牺牲材料。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，密封涂层是足够不可渗透的，从而气密封容器内的目标气氛。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供了牺牲材料的步骤包括在晶片上沉积牺牲材料；以及平版印刷地将牺牲材料形成图案，以使牺牲材料在非硅基器件的至少有效区域之上。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，牺牲材料包括选自多晶硅、无定形硅或聚合材料的材料。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，密封涂层包括选自二氧化硅、氮化硅或金属的材料。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，密封涂层包括玻璃状材料。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，玻璃状材料是选自旋转玻璃和溅射玻璃的玻璃状材料。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，替换牺牲材料的步骤包括用平版印刷方法将密封涂层形成图案以形成经过密封涂层的通道并为非硅基器件暴露电接触垫；借助通道蚀刻牺牲材料以形成由密封涂层包围的容器；将晶片置于目标气氛中；以及填充通道以密封容器中的目标气氛。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，蚀刻牺牲材料的步骤包括不留下实质残存的蚀刻过程。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，牺牲材料包括硅基材料，且其中蚀刻过程包括将晶片置于二氟化氙气氛中以干蚀刻所述硅基材料。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括在填充通道之前允许容器中的气氛与目标气氛均衡。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，填充通道的步骤包括溅射填充材料直到通道被填充，且其中通道被设置成避开非硅基器件的有效区域。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，填充通道的步骤包括蒸发填充材料直到通道被填充，且其中蒸发束和晶片表面之间的角度足够低以避免将实质量的填充材料引入容器。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括聚积连接到非硅基器件的接触垫的电极。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，晶片随后被切割以形成各个管芯且可接收的管芯被置入表面安装器件带和卷，用于随后的印刷电路板安装。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，有效区域包括非硅基器件的波传播区域。
17.一种晶片级密封的非硅基器件，其特征在于，该器件包括要保护的有效区域；接触区域；以及平版印刷形成的结构，它密封至少有效区域并留下至少一部分接触区域被暴露。
18.如权利要求17所述的器件，其特征在于，平版印刷形成的结构包括玻璃状材料。
19.如权利要求17所述的器件，其特征在于，非硅基器件制造于基片上，该基片选自钽酸锂、铌酸锂或石英。
20.一种平版印刷制造的非硅基器件，其特征在于，该非硅基器件包括气氛灵敏的非硅基器件的有效区域；以及用于密封该非硅基器件的有效区域的晶片级装置。
21.一种用于密封晶片上的表面声波(SAW)器件的有效区域的方法，其特征在于，该方法包括在SAW器件的至少有效区域上提供牺牲材料；在晶片上沉积密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换牺牲材料。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，密封涂层是足够不可渗透的，以便气密封容器内的目标气氛。
23.如权利要求21所述的方法，其特征在于，提供牺牲材料的步骤包括在晶片上沉积牺牲材料；以及用平版印刷方法将牺牲材料形成图案，以使牺牲材料在SAW器件的至少有效区域上。
24.如权利要求21所述的方法，其特征在于，牺牲材料包括选自多晶硅、无定形硅和聚合材料的材料。
25.如权利要求21所述的方法，其特征在于，密封涂层包括选自二氧化硅、氮化硅或金属的材料。
26.如权利要求21所述的方法，其特征在于，密封涂层包括玻璃状材料。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述玻璃状材料选自旋转玻璃和溅射玻璃。
28.如权利要求21所述的方法，其特征在于，替换牺牲材料的步骤包括用平版印刷方法将密封涂层形成图案以形成经过密封涂层的通道并为SAW器件暴露电接触垫；借助通道蚀刻牺牲材料以形成由密封涂层包围的容器；将晶片置于目标气氛中；以及填充通道以密封容器中的目标气氛。
29.如权利要求28所述的方法，其特征在于，蚀刻牺牲材料的步骤包括不留下实质残存的蚀刻过程。
30.如权利要求29所述的方法，其特征在于，牺牲材料包括硅基材料，且其中蚀刻过程包括将晶片置于二氟化氙气氛中以干蚀刻硅基材料。
31.如权利要求28所述的方法，其特征在于，进一步包括在填充通道之前，允许容器中的气氛与目标气氛均衡。
32.如权利要求28所述的方法，其特征在于，填充通道的步骤包括溅射填充材料直到通道被填充，且其中通道被设置成避开SAW器件的有效区域。
33.如权利要求33所述的方法，其特征在于，填充通道的步骤包括蒸发填充材料直到通道被填充，且其中蒸发束和晶片表面之间的角度足够低以避免将实质量的填充材料引入容器。
34.如权利要求21所述的方法，其特征在于，进一步包括聚积连接到SAW器件的接触垫的电极。
35.如权利要求34所述的方法，其特征在于，晶片随后被切割以形成各个管芯且可接收的管芯被置入表面安装器件带和卷，用于随后的印刷电路板安装。
36.如权利要求21所述的方法，其特征在于，有效区域包括SAW器件的波传播区域。
37.一种以晶片级密封的表面声波(SAW)器件，其特征在于，所述器件包括要保护的有效区域；电接触区域；以及平版印刷形成的结构，它密封至少有效区域并留下至少一部分电接触区域被暴露。
38.如权利要求37所述的器件，其特征在于，平版印刷形成的结构包括玻璃状材料。
39.如权利要求37所述的器件，其特征在于，SAW器件制造于基片上，该基片选自钽酸锂、铌酸锂或石英。
40.一种平版印刷制造的表面声波(SAW)器件，其特征在于，该SAW器件包括用于承载表面声波的装置；以及用于密封所述用于承载表面声波的装置的晶片级装置。
全文摘要
所揭示的一个实施例涉及用于密封晶片上的非硅基器件的有效区域的方法(100)。该方法包括至少在非硅基器件的有效区域上提供(104)牺牲材料；在晶片上沉积(108)密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换(112、114)牺牲材料。所揭示的另一个实施例涉及以晶片级密封的SAW器件(即，在管芯与晶片分离之前)。该器件包括要保护的有效区域；电接触区域(4)；以及平版印刷形成的结构(24)，它密封至少有效区域并留下至少一部分电接触区域(4)被暴露。
文档编号B81B7/00GK1689166SQ03823717
公开日2005年10月26日 申请日期2003年6月9日 优先权日2002年8月28日
发明者G·D·米勒, M·布鲁纳, L·H·拉根, G·W·格里尼 申请人:硅光机械股份有限公司